Методическое пособие 445

Рис. 74. Выходные характеристики транзистора КТ339А

15.Для транзистора КТ339А, включенного по схеме с общей базой, при изменении тока эмиттера на 10 мА ток коллектора изменяется на 9,7 мА. Определить коэффициент усиления по току для транзистора в схеме с ОЭ.

16.По семейству выходных характеристик транзистора КТ312А в схеме с общим эмиттером (рис. 75) определить значения коэффициентов усиления тока базы h21э при напряжениях на коллекторе Uк = 5; 10; 15 В и токе базы Iб = 0,4 мА. Построить зависимость h21э = f(Uк).

17.По семейству выходных характеристик транзистора

КТ312А в схеме с общим эмиттером (рис. 75) определить выходное сопротивление транзистора при напряжении на коллекторе Uк =10 B и токах базы Iб = 0,2; 0,4; 0,6; 0,8 мА. Построить график зависимости Rвых = f(Iб).

60

Рис. 75. Выходные характеристики транзистора КТ312А

18. Дана схема, изображенная на рис. 76. Определить коллекторный ток, если коэффициент передачи тока базы

транзистора β = 50,	обратный ток	коллекторного	перехода
IКБ0 ≈ 0, EЭ = –30В,	EК = –40В.	Воспользуйтесь	методом
эквивалентного генератора.

Рис. 76. Схема

19. На низких частотах коэффициент передачи тока эмиттера транзистора h21Б0 = –0,98, его предельная частота fh21Б = 5 МГц. Определить: а) модуль коэффициента передачи тока эмиттера |h21Б| этого транзистора на частоте 10 МГц;

61

б) частоту, на которой модуль коэффициента передачи тока эмиттера уменьшается до значения 0,6.

Известно, что коэффициент передачи тока эмиттера fh21Б изменяется с частотой согласно выражению:

h	h
21Б	21Б0		1

1 j f

f	h21Б

.

20.При	T = 300	К в	рабочей точке	с координатами
Iк = 10 мА и UКЭ = 10 В на низких частотах транзистор имеет
следующие значения		h-параметров: h11Э = 500 Ом,			h12Э = 10–4,
h21Э = 100,	h22Э = 50	мкСм.	Вычислить	все	параметры

гибридной схемы замещения, если fгр = 50 МГц и CК = 3 пФ.

Контрольные вопросы

1.На чем основана работа транзистора? Почему ширина базы выбирается меньше длины свободного пробега носителей заряда в этой области?

2.Объясните физический смысл прямого и обратного включения р-n-перехода.

3.Изобразите схемы включения транзисторов.

4.Сравните значение выходных сопротивлений биполярных и полевых транзисторов.

5.При каком способе включения транзистора входной ток не усиливается?

62

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1.Бойт, К. Цифровая электроника [Текст] / К. Бойт. – М.: Техносфера, 2007. – 472 с.

2.Расчет электронных схем. Примеры и задачи [Текст]: учеб. пособие для вузов по специальности электронной техники / Г. И. Изъюрова, Г. В. Королев, В. А. Терехов и др. –

М.: Высш. шк., 1987. – 335 с.

3.Кучумов, А. И. Электроника и схемотехника [Текст]: учеб. пособие / А. И. Кучумов. – М.: Гелиос АРВ, 2011. – 336 с.

4.Опадчий, Ю. Ф. Аналоговая и цифровая электроника [Текст] / Ю. Ф. Опадчий, О. П. Глудкин, А. И. Гуров. – М.: Горячая линия–Телеком, 2000. – 768 с.

5.Прянишников, В. А. Электроника. Полный курс лекций [Текст] / В. А. Прянишников. – 7-е изд. – СПб: КОРОНА– Век, 2014. – 416 с.

63

СОДЕРЖАНИЕ
Практическое занятие № 1
Составление комбинационных схем......................................	2
Теоретические сведения..........................................................	2
Задания....................................................................................	12
Контрольные вопросы ...........................................................	19
Практическое занятие № 2
Составление схем устройств с памятью ..............................	20
Теоретические сведения........................................................	20
Задания....................................................................................	34
Контрольные вопросы ...........................................................	39
Практическое занятие № 3
Полупроводниковые диоды ..................................................	40
Теоретические сведения........................................................	40
Задания....................................................................................	44
Контрольные вопросы ...........................................................	48
Практическое занятие № 4
Транзисторы. Одиночные каскады транзисторов...............	49
Теоретические сведения........................................................	49
Задания....................................................................................	57
Контрольные вопросы ...........................................................	62
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК ..................................	63

64

ЦИФРОВЫЕ СХЕМЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ

к практическим занятиям по дисциплине «Электроника и схемотехника» для студентов специальностей

090301 «Компьютерная безопасность»,

090302 «Информационная безопасность телекоммуникационных систем», 090303 «Информационная безопасность автоматизированных систем»

очной формы обучения

Составитель Москалева Екатерина Алексеевна

В авторской редакции

Подписано к изданию 01.06.2015. Уч. - изд. л. 4,0.

ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный технический университет»

394026 Воронеж, Московский просп., 14