новая папка / 4006408

4006408-Desc-ru var ctx = "/emtp"; The translation is almost like a human translation. The translation is understandable and actionable, with all critical information accurately transferred. Most parts of the text are well written using a language consistent with patent literature. The translation is understandable and actionable, with most critical information accurately transferred. Some parts of the text are well written using a language consistent with patent literature. The translation is understandable and actionable to some extent, with some critical information accurately transferred. The translation is not entirely understandable and actionable, with some critical information accurately transferred, but with significant stylistic or grammatical errors. The translation is absolutely not comprehensible or little information is accurately transferred. Please first refresh the page with "CTRL-F5". (Click on the translated text to submit corrections)

Patent Translate Powered by EPO and Google

French

German

  Albanian

Bulgarian

Croatian

Czech

Danish

Dutch

Estonian

Finnish

Greek

Hungarian

Icelandic

Italian

Latvian

Lithuanian

Macedonian

Norwegian

Polish

Portuguese

Romanian

Serbian

Slovak

Slovene

Spanish

Swedish

Turkish

  Chinese

Japanese

Korean

Russian

      PDF (only translation) PDF (original and translation)

Please help us to improve the translation quality. Your opinion on this translation: Human translation

Very good

Good

Acceptable

Rather bad

Very bad

Your reason for this translation: Overall information

Patent search

Patent examination

FAQ Help Legal notice Contact УведомлениеЭтот перевод сделан компьютером. Невозможно гарантировать, что он является ясным, точным, полным, верным или отвечает конкретным целям. Важные решения, такие как относящиеся к коммерции или финансовые решения, не должны основываться на продукте машинного перевода.

РћРџРРЎРђРќРР• РЗОБРЕТЕНРРЇ US4006408A[]

ПРЕДПОСЫЛКРСОЗДАНРРЇ РЗОБРЕТЕНРРЇ BACKGROUND OF THE INVENTION 1.

Область изобретения Field of the Invention Настоящее изобретение относится к устройству обнаружения магнитного вещества, в котором используется магнитный датчик. This invention relates to a magnetic substance detecting device employing a magnetic sensor. 2.

Описание предшествующего СѓСЂРѕРІРЅСЏ техники Description of the Prior Art Р’ предшествующем СѓСЂРѕРІРЅРµ техники, РєРѕРіРґР° магнитное вещество подносится Рє геркону, геркон замыкается РІ ответ РЅР° линию магнитной силы высокой плотности вблизи поверхности магнитного вещества, таким образом обнаруживая магнитное поле. вещество. In the prior art, when a magnetic substance is brought to the vicinity of a reed switch, the reed switch is closed in response to a line of magnetic force of high density in the neighborhood to the surface of the magnetic substance, thus detecting the magnetic substance. Однако, поскольку размыкание Рё замыкание геркона РїСЂРѕРёСЃС…РѕРґРёС‚ РЅР° его контактах, это может привести Рє поломке переключателя, Рё, РєСЂРѕРјРµ того, размыкание Рё замыкание достигается Р·Р° счет силы магнитного притяжения Рё пружинящего действия железных частей, поэтому что увеличение чувствительности РїСЂРёРІРѕРґРёС‚ Рє нестабильности работы РїРѕ СЃРІРѕРёРј характеристикам Рё РїРѕ отношению Рє окружающим условиям. However, since opening and closing of the reed switch take place at its contacts, it is likely to cause break down of the switch and, further, the opening and closing operation is achieved by the magnetic attracting force and spring action of iron pieces, so that an increase in sensitivity causes the operation to become unstable in terms of its characteristics and with respect to surrounding conditions. Поэтому необходимо снизить чувствительность для стабилизации работы. Therefore, it is necessary to lower the sensitivity for stabilizing the operation. СУЩНОСТЬ РЗОБРЕТЕНРРЇ SUMMARY OF THE INVENTION Основная цель настоящего изобретения состоит РІ том, чтобы создать устройство для обнаружения магнитного вещества, лишенное вышеупомянутых дефектов известного СѓСЂРѕРІРЅСЏ техники Рё СЃРїРѕСЃРѕР±РЅРѕРµ обнаруживать магнитное вещество СЃ высокой чувствительностью Рё высокой надежностью. The principal object of this invention is to provide a magnetic substance detecting device which is free from the aforementioned defects experienced in the prior art and which is capable of detecting a magnetic substance with high sensitivity and with high reliability. Вкратце, устройство обнаружения магнитного вещества РІ соответствии СЃ настоящим изобретением содержит детекторную катушку, намотанную РЅР° магнитную тонкопленочную проволоку СЃ РѕРґРЅРѕРѕСЃРЅРѕР№ магнитной анизотропией, которая имеет РѕСЃСЊ магнитного жесткости РІ осевом направлении Рё РѕСЃСЊ магнитного сопротивления РІ окружном направлении. Магнитное вещество, подлежащее обнаружению, связано СЃ магнитной или электрической цепью магнитного датчика, СЃРїРѕСЃРѕР±РЅРѕРіРѕ Рє параметрическим колебаниям, который связан СЃ областью колебаний магнитной проволоки, посредством которой колебательные условия катушки обнаружения, то есть ее колебания Рё стационарные (С‚. Рµ. неколебательные) условия меняются РЅР° противоположные или фазы колебаний меняются РЅР° противоположные, тем самым обнаруживая магнитное вещество. Briefly stated, the magnetic substance detecting device according to this invention comprises a detecting coil wound about a magnetic thin film plated wire of uniaxial magnetic anisotropy which has a magnetic hard axis in its axial direction and a magnetic easy axis in its circumferential direction. A magnetic substance to be detected is coupled with a magnetic or electrical circuit of a magnetic sensor capable of parametric oscillation which is associated with the oscillation domain of the magnetic wire, by which the oscillating conditions of the detecting coil, that is, its oscillating and standstill (i.e., non-oscillating) conditions are reversed or the phase of oscillations are reversed, thereby to detect the magnetic substance. РљР РђРўРљРћР• РћРџРРЎРђРќРР• Р РРЎРЈРќРљРћР’ BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Это изобретение будет более полно понято РёР· следующего описания Рё приложенных чертежей, РЅР° которых: This invention will be more fully understood by the following description and the attached drawings, in which: Р¤РР“. СЃ 1 РїРѕ 4 включительно представляют СЃРѕР±РѕР№ схемы для пояснения принципа магнитного датчика для использования РІ настоящем изобретении; FIGS. 1 to 4, inclusive, are diagrams for explaining the principle of a magnetic sensor for use in the present invention; РРќР–РР . 5 представляет СЃРѕР±РѕР№ схематическое изображение, показывающее конструкцию РѕРґРЅРѕРіРѕ РёР· примеров устройства обнаружения магнитного вещества РІ соответствии СЃ настоящим изобретением; FIG. 5 is a schematic diagram showing the construction of one example of a magnetic substance detecting device of this invention; Р¤РР“. 6A Рё B показывают формы сигналов для пояснения формы выходного сигнала колебания примера РЅР° фиг. 5; FIGS. 6A and B show waveforms, for explaining an oscillation output waveform of the example of FIG. 5; РРќР–РР . 7 представляет СЃРѕР±РѕР№ схематическое изображение, иллюстрирующее конструкцию РґСЂСѓРіРѕРіРѕ примера устройства обнаружения магнитного вещества РІ соответствии СЃ настоящим изобретением; FIG. 7 is a schematic diagram illustrating the construction of another example of a magnetic substance detecting device of this invention; Р¤РР“. 8A Рё B показывают формы сигналов для пояснения формы выходного сигнала колебаний примера РЅР° фиг. 7; FIGS. 8A and B show waveforms, for explaining an oscillation output waveform of the example of FIG. 7; РРќР–РР . 9 представляет СЃРѕР±РѕР№ схематическую диаграмму, иллюстрирующую РґСЂСѓРіРѕР№ пример этого изобретения применительно Рє генератору импульсов; FIG. 9 is a schematic diagram illustrating another example of this invention as being applied to a pulse generator; Р¤РР“. 10 Рё 11Рђ Рё Р’ представляют СЃРѕР±РѕР№ принципиальные схемы для пояснения конструкции Рё принципа действия РґСЂСѓРіРѕРіРѕ примера настоящего изобретения применительно Рє аналого-цифровому преобразователю; FIGS. 10 and 11A and B are schematic diagrams, for explaining the construction and principle of another example of this invention as being applied to an analog-to-digital converter; РРќР–РР . 12 представляет СЃРѕР±РѕР№ схематическую диаграмму, иллюстрирующую конструкцию примера РїРѕ фиг. 10; FIG. 12 is a schematic diagram illustrating the construction of the example of FIG. 10; Р¤РР“. 13Рђ, Р’ Рё РЎ Рё 14 представляют СЃРѕР±РѕР№ схемы для пояснения функции конструкции, показанной РЅР° фиг. 12; FIGS. 13A, B and C and 14 are diagrams, for explaining the function of the construction of FIG. 12; РРќР–РР . 15 схематично показан модифицированный вариант конструкции РїРѕ фиг. 10; FIG. 15 schematically shows a modified form of the construction of FIG. 10; Р¤РР“. СЃ 16 РїРѕ 19Р’ включительно представляют СЃРѕР±РѕР№ схемы Рё диаграммы сигналов для пояснения конструкций Рё функций РґСЂСѓРіРёС… примеров этого изобретения применительно Рє РґСЂСѓРіРёРј типам аналого-цифровых преобразователей; FIGS. 16 to 19B, inclusive, are schematic and signal diagrams, for explaining the constructions and functions of other examples of this invention as being applied to other types of analog-to-digital converters; Р¤РР“. СЃ 20 РїРѕ 22 включительно представляют СЃРѕР±РѕР№ принципиальные схемы, иллюстрирующие конструкцию РґСЂСѓРіРёС… примеров этого изобретения применительно Рє переключателю СЃ датчиком температуры, РІ котором магнитный сердечник предусмотрен РІ магнитной цепи; Р° также FIGS. 20 to 22, inclusive, are schematic diagrams illustrating the construction of other examples of this invention as being applied to a temperature sensor switch in which a magnetic core is provided in a magnetic circuit; and РРќР–РР . 23 - схематическая диаграмма, показывающая конструкцию РґСЂСѓРіРѕРіРѕ примера этого изобретения применительно Рє переключателю СЃ датчиком температуры, РІ котором магнитный сердечник предусмотрен РІ электрической цепи; FIG. 23 is a schematic diagram showing the construction of another example of this invention as being applied to a temperature sensor switch in which a magnetic core is provided in an electrical circuit; РћРџРРЎРђРќРР• ПРЕДПОЧТРТЕЛЬНЫХ Р’РђР РРђРќРўРћР’ ВОПЛОЩЕНРРЇ DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Общие характеристики намагничивания ферромагнитной тонкопленочной проволоки СЃ РѕРґРЅРѕРѕСЃРЅРѕР№ магнитной анизотропией показаны РЅР° фиг. 1, РЅР° которой ссылочные позиции Рђ Рё Р’ обозначают характеристики намагничивания соответственно РІ направлении РѕСЃРё магнитного поля, то есть РІ окружном направлении РїСЂРѕРІРѕРґР°, Рё РІ направлении РѕСЃРё магнитного поля, то есть РІ осевом направлении. направление РїСЂРѕРІРѕРґР°. Для удобства пояснений направления осей легкого Рё жесткого намагничивания РІ дальнейшем будем обозначать x Рё y соответственно. Напряженность магнитного поля Hk РІ точке перемагничивания или насыщения намагниченности РІ каждом направлении равна таковой РІ РґСЂСѓРіРѕРј направлении. Обычно коэрцитивная сила Hc меньше, чем Hk. Там, РіРґРµ тонкая магнитная пленка достаточно тонкая, намагниченность присутствует только РІ двумерной плоскости поверхности пленки Рё РЅРµ имеет места РІ направлении толщины пленки, так что достаточно управлять только механизмом намагничивания. РІ РґРІСѓС… измерениях. The general magnetization characteristics of a ferromagnetic thin film plated wire of uniaxial magnetic anisotropy are shown in FIG. 1, in which reference characters A and B designate the magnetization characteristics, respectively in the direction of a magnetic easy axis, that is, in the circumferential direction of the wire and in the direction of a magnetic hard axis, that is, in the axial direction of the wire. For convenience of explanation, the directions of the axes of easy and hard magnetization will hereinafter be identified by x and y respectively. The intensity of the magnetic field Hk at a point of reversal or saturation of magnetization in each direction is equal to that in the other direction. Usually, the coercive force Hc is lower than Hk. Where the magnetic thin film is sufficiently thin, magnetization is present only in the two-dimensional plane of the film surface and it does not take place in the direction of the thickness of the film, so that it is sufficient to handle the magnetization mechanism only in two dimensions. Магнитное поле Hx, показанное РЅР° фиг. 2Рђ создается РІ двухмерной плоскости Р·Р° счет пропускания РІС…РѕРґРЅРѕРіРѕ тока возбуждения через магнитный РїСЂРѕРІРѕРґ. Рнтенсивность магнитного поля Hx выбирается такой, чтобы РІ отсутствие магнитного поля, приложенного РІ направлении y, выходное напряжение обмотки РЅРµ могло быть обнаружено, как показано РЅР° фиг. 2Р‘. РРќР–РР . 2РЎ показана форма выходного напряжения E параметрических колебаний СЃ частотой, РІ РґРІР° раза превышающей ток возбуждения, РІ присутствии магнитного поля, приложенного РІ направлении y. Р¤РР“. 3Рђ Рё Р’ показаны схемы для объяснения механизма намагничивания РІ двумерной плоскости тонкой магнитной пленки. Р’ момент времени t1, указанный РЅР° фиг. 2, РїСЂРё котором магнитное поле меняется СЃ положительного РЅР° отрицательное, вектор намагниченности Рњ РїСЂРѕС…РѕРґРёС‚ РїРѕ траектории 1 или 2, как показано РЅР° фиг. 3Рђ для инверсии намагниченности. Если магнитное поле достаточной напряженности .vertline. HY.vertline. существует РІ направлении y РІ моменты времени t1 Рё t2, вектор намагниченности M индуцируется магнитным полем .vertline. The magnetic field Hx shown in FIG. 2A is produced in the two-dimensional plane by flowing an input exciting current through the magnetic wire. The intensity of the magnetic field Hx is selected to be such that, in the absence of the magnetic field applied in a direction y, an output voltage from a winding cannot be detected as shown in FIG. 2B. FIG. 2C illustrates the waveform of an output voltage E of parametric oscillation of a frequency twice as high as the exciting current in the presence of a magnetic field being applied in the direction y. FIGS. 3A and B show diagrams, for explaining the mechanism of magnetization in the two-dimensional plane of the magnetic thin film. At a time t1 indicated in FIG. 2 at which the magnetic field is reversed from positive to negative, a magnetization vector M passes along a path 1 or 2 as shown in FIGS. 3A to effect the inversion of magnetization. If a magnetic field of sufficient intensity .vertline. HY.vertline. exists in the direction y at t1 and t2, the magnetization vector M is induced by the magnetic field .vertline. Ги.вертлайн. пройти РїРѕ пути 1 или 2. Выходной сигнал, создаваемый индуцированным напряжением, становится таким, как показано E1 или E2 РЅР° фиг. 3B РІ соответствии СЃ тем, как вектор намагниченности M прошел РїРѕ пути 1 или 2 соответственно. Выходы E1 Рё E2 противоположны РґСЂСѓРі РґСЂСѓРіСѓ только РїРѕ полярности, РЅРѕ точно равны РґСЂСѓРі РґСЂСѓРіСѓ РїРѕ амплитуде Рё форме сигнала. Hy.vertline. to pass along the path 1 or 2. The output produced by the induced voltage becomes such as indicated by E1 or E2 in FIG. 3B according as the magnetization vector M has passed along the path 1 or 2 respectively. The outputs E1 and E2 are opposite only in polarity to each other but exactly equal in amplitude and waveform to each other. РРќР–РР . 4 показана зависимость между инверсией намагниченности Рё напряженностью магнитного поля РІ магнитном поле прямоугольных координат. Где магнитное поле .vertline. Hx.vertline. ниже РїРѕ интенсивности, чем эта .vertline. Hk.vertline. РІ направлении x возбуждается СЃ течением времени, если магнитное поле РІ направлении y отсутствует, то вектор намагниченности M существует РІ домене 1, РІ результате чего инверсия намагниченности РЅРµ РїСЂРѕРёСЃС…РѕРґРёС‚. Если теперь магнитное поле .vertline. Ги.вертлайн. имеет такую величину, чтобы войти, что касается его полярности, либо РІ область 3, либо РІ область 4 инверсии намагниченности, как показано РЅР° фиг. 4 прикладывается РІ направлении y, намагниченность инвертируется РІ соответствии СЃ полярностью магнитного поля, приложенного, таким образом, РІ направлении y, соответствующем домену 3 или 4, таким образом обеспечивая такое выходное напряжение, как показано РЅР° фиг. 3Р‘. Даже там, РіРґРµ значение магнитного поля .vertline. Hx.vertline. немного меньше, чем Сѓ .vertline. Hk.vertline., то есть даже там, РіРґРµ магнитное поле РІ направлении y РІ домене 2 РЅРµ приложено, РЅР° инверсию намагниченности положительно влияет смещение стенок магнитного домена. FIG. 4 shows the relationship between the inversion of magnetization and the magnetic field intensity in a magnetic field of rectangular coordinates. Where a magnetic field .vertline. Hx.vertline. lower in intensity than that .vertline. Hk.vertline. in the direction x is excited with the lapse of time, if no magnetic field is present in the direction y, the magnetization vector M exists in a domain 1, with the result that no inversion of magnetization occurs. If, now, the magnetic field .vertline. Hy.vertline. is of a magnitude to enter, with regard to its polarity, either domain 3 or 4 of inversion of magnetization, as shown in FIG. 4 is applied in the direction y, magnetization is inverted according to the polarity of the magnetic field thus applied in the direction y corresponding to by the domain 3 or 4, thus providing such an output voltage as depicted in FIG. 3B. Even where the value of the magnetic field .vertline. Hx.vertline. is a little smaller than that of .vertline. Hk.vertline., that is, even where no magnetic field is applied in the direction y in the domain 2, the inversion of magnetization is positively affected by magnetic domain wall displacement. Где значение магнитного поля .vertline. Hx.vertline. далее увеличивается, чтобы превысить значение .vertline. Hk.vertline., если слабое магнитное поле РІ направлении y отсутствует, то СЃ некоторой вероятностью выбираются домены 3 Рё 4, так что фаза выходного напряжения очень нестабильна. Where the value of the magnetic field .vertline. Hx.vertline. further increases to exceed that of .vertline. Hk.vertline., if no weak magnetic field exists in the direction y, the domains 3 and 4 are selected in some probability, so that the phase of the output voltage is very unstable. Как описано выше, область 1 представляет СЃРѕР±РѕР№ область приостановки колебаний, Р° соседние области 3 Рё 4 являются областями магнитных колебаний, РІ которых фаза выходного напряжения определяется РІ зависимости РѕС‚ напряженности Рё полярности внешнего магнитного поля. Соответственно, если магнитное поле Hx РІ направлении x, созданное возбуждением РІ домене 1, настроено РЅР° колебания или РїРѕРєРѕСЏ вблизи границы РЅР° фиг. 4, одновременно прикладывая или РЅРµ прикладывая, соответственно, внешнее магнитное поле РІ направлении y СЃ величиной, соответствующим образом выбранной относительно величины Hx, как РІРёРґРЅРѕ РёР· фиг. 4, колебания Рё приостановка колебаний, соответственно, РјРѕРіСѓС‚ быть легко обращены путем приложения слабого магнитного поля, которое должно быть обнаружено РІ том же направлении, что Рё вышеупомянутое внешнее магнитное поле, или РІ обратном направлении, таким образом обнаруживая магнитное поле. РљСЂРѕРјРµ того, также возможно генерировать импульс, например, путем приложения положительного магнитного поля РІ направлении y, чтобы заставить магнитное поле Hx направления С… РІ домене 1 колебаться РІ домене 3, Р° затем приложения направления y, РЅРѕ отрицательное магнитное поле, РїРѕ существу равное РїРѕ интенсивности вышеприведенному положительному, чтобы сместить магнитное поле Hx РІ направлении x РІ область 4, тем самым изменив его фазу РЅР° противоположное. As described above, the domain 1 is an oscillation suspending domain and the neighboring domains 3 and 4 are magnetic oscillation domains in which the phase of the output voltage is determined dependent on the intensity and polarity of the external magnetic field. Accordingly, if the x-direction magnetic field Hx established by the excitation in the domain 1 is set to oscillate or rest in the neighborhood of the boundary in FIG. 4 by simultaneously applying or not applying, respectively a y-direction external magnetic field of a magnitude suitably selected with respect to the magnitude of Hx, as may be seen from FIG. 4, oscillation and suspension of oscillation, respectively can easily be reversed by applying a weak magnetic field to be detected in the same direction as or in the reverse direction to the aforesaid external magnetic field, thus detecting the magnetic field. Further, it is also possible to generate a pulse, for example, by applying a y-direction positive magnetic field to cause the x-direction magnetic field Hx in the domain 1 to oscillate in the domain 3 and then applying a y-direction but negative magnetic field substantially equal in intensity to the above positive one to shift the x-direction magnetic field Hx to the domain 4, thus reversing its phase. Будет дано описание примеров этого изобретения, основанных РЅР° вышеуказанных принципах. A description will be given of examples of this invention based on the above principles. РРќР–РР . 5 показан магнитный датчик, РІ котором детектирующая катушка 2 намотана РЅР° магнитный тонкопленочный РїСЂРѕРІРѕРґ 1 СЃ РѕРґРЅРѕРѕСЃРЅРѕР№ магнитной анизотропией, который имеет РѕСЃСЊ магнитного жесткости РІ осевом направлении Рё РѕСЃСЊ магнитного сопротивления РІ окружном направлении. Возбуждающий ток If подается РЅР° сердечник магнитопровода 1. Подстроечный конденсатор 3 подключен параллельно детекторной катушке 2, Р° постоянный ток смещения IDC подается параллельно РІ цепь конденсатора 3 Рё детекторной катушки 2 через импедансный элемент 4 для создания магнитной силовой линии РІ направлении магнитно-жесткая РѕСЃСЊ магнитопровода 11. Рђ именно, возбуждающий ток частотой около 1 МГц Рё 60 РјРђ подается РІ качестве возбуждающего тока If Рє РїСЂРѕРІРѕРґСѓ 1, несущему тонкую магнитную пленку. Пленка может содержать пермаллой СЃ покрытием толщиной около 1 РјРєРј. толщиной РЅР° проволоке РёР· фосфористой Р±СЂРѕРЅР·С‹ 0,2.С„.. Магнитная цепь, включающая РІ себя РѕСЃСЊ магнитного сопротивления магнитопровода 1, формируется, например, РєРѕРіРґР° магнит 6 расположен СЂСЏРґРѕРј СЃ магнитным РїСЂРѕРІРѕРґРѕРј 1 для создания магнитной цепи РІ РІРѕР·РґСѓС…Рµ, включающей РѕСЃСЊ магнитного поля магнитного РїСЂРѕРІРѕРґР°. 1. FIG. 5 shows a magnetic sensor wherein a detecting coil 2 is wound about a magnetic thin film plated wire 1 of uniaxial magnetic anisotropy which has a magnetic hard axis in its axial direction and a magnetic easy axis in its circumferential direction. An exciting current If is applied to a core conductor of the magnetic wire 1. A tuning capacitor 3 is connected in parallel with the detecting coil 2 and a DC bias current IDC is applied in parallel to the circuit of capacitor 3 and the detecting coil 2 through an impedance element 4 for generating a magnetic line of force in the direction of the magnetic hard axis of the magnetic wire 11. Namely, an exciting current of about 1MHz and 60mA is applied as the exciting current If to the wire 1 carrying the thin magnetic film. The film may comprise permalloy plated about 1.mu. thick on a phosphor bronze wire of 0.2.phi.. A magnetic circuit including the magnetic hard axis of the magnetic wire 1 is formed, for example, when a magnet 6 is disposed in the neighborhood of the magnetic wire 1 to provide a magnetic circuit in the air including the magnetic hard axis of the magnetic wire 1. Р’ результате магнитное поле магнита РІС…РѕРґРёС‚ РІ область колебаний параметрических колебаний, создавая выходное напряжение 0,4 вольта 2 МГц между выходными клеммами 5 Рё 5'. Р’ этом иллюстративном случае число витков детекторной катушки 2 равно 60, Р° емкость подстроечного конденсатора 3 равна 8000 РїР¤. As a result the magnetic field of the magnet enters in the oscillation domain of parametric oscillation to produce an output voltage 0.4 volts of 2MHz between output terminals 5 and 5'. In this illustrative case, the number of turns of the detecting coil 2 is 60 and the capacitance of the tuning capacitor 3 is 8000PF. Затем постоянный ток смещения IDC подается РЅР° детекторную катушку 2 таким образом, что результирующее магнитное поле соленоида может стать противоположным РїРѕ полярности магнитному полю, создаваемому магнитом. Путем соответствующего выбора величины постоянного тока смещения IDC выходное напряжение, полученное между клеммами 5 Рё 5', становится равным нулю, чтобы остановить выходное колебание. Это состояние эквивалентно такому состоянию, РїСЂРё котором внешнее постоянное магнитное поле РёР·-Р·Р° магнита Рё внутреннее постоянное магнитное поле РёР·-Р·Р° постоянного тока смещения IDC компенсируют РґСЂСѓРі РґСЂСѓРіР° РІ магнитном РїСЂРѕРІРѕРґРµ 1, чтобы РЅРµ воздействовать РЅР° него магнитным полем. Рђ именно, система балансировки магнита 6 Рё постоянного тока смещения IDC устанавливается для прекращения выходных колебаний. Р’ таких условиях, если магнитное вещество 7 сместить РёР· положения Р° РІ положение b, примыкающее Рє этой системе, как показано РЅР° фиг. 5, магнитный поток РѕС‚ магнита 6 концентрируется РІ магнитном веществе 7, вызывая существенное уменьшение напряженности эффективного магнитного поля, проходящего через магнитопровод 1. Then, the DC bias current IDC is impressed to the detecting coil 2 in such a manner that the resulting solenoid magnetic field may become opposite in polarity to the magnetic field established by the magnet. By an appropriate selection of the magnitude of the DC bias current IDC, the output voltage derived between the terminals 5 and 5' becomes zero to stop the oscillation output. This state is equal to such a state that the external DC magnetic field due to the magnet and the internal DC magnetic field due to the DC bias current IDC cancel each other in the magnetic wire 1 to impress no magnetic field thereto. Namely, a balancing system of the magnet 6 and the DC bias current IDC is established to stop the oscillation output. Under such conditions, if a magnetic substance 7 is shifted from a position a to a position b adjacent to this system as shown in FIG. 5, the magnetic flux from the magnet 6 is concentrated in the magnetic substance 7 to cause a substantial decrease in the intensity of the effective magnetic field passing through the magnetic wire 1. Р’ результате этого равновесное состояние системы теряется, Рё между клеммами 5 Рё 5' создается выходное напряжение Р·Р° счет эффективной составляющей смещения, возникающей РёР·-Р·Р° разницы между внутренним магнитным полем постоянного тока Рё внешним магнитным полем постоянного тока. Рђ именно, можно обнаружить приближение магнитного вещества 7 РїРѕ генерации выходного напряжения между клеммами 5 Рё 5'. Р¤РР“. 6Рђ Рё Р’ показано, как выходное напряжение генерируется между выводами 5 Рё 5' РЅР° фиг. 5. РРќР–РР . 6Рђ соответствует состоянию, РІ котором магнитное вещество 7 принимает положение Р°, изображенное РЅР° фиг. 5 Рё установлена система балансировки, Р° РЅР° фиг. 6Р’ показана форма волны выходного напряжения СЃ частотой 2f, которая возникает между клеммами 5 Рё 5', РєРѕРіРґР° магнитное вещество 7 занимает положение b, чтобы выйти РёР· состояния равновесия. Р’ данном примере постоянный ток смещения IDC подается для создания внутреннего магнитного поля постоянного тока, РЅРѕ, конечно, также возможно создавать магнитное поле той же интенсивности, что Рё выше, СЃ помощью постоянного магнита. As a result of this, the equilibrium state of the system is lost and an output voltage is produced between the terminals 5 and 5' by the effective bias component resulting from the difference between the internal DC magnetic field and the external DC magnetic field. Namely, it is possible to detect approach of the magnetic substance 7 by the generation of the output voltage between the terminals 5 and 5'. FIGS. 6A and B illustrate how the output voltage is generated between the terminals 5 and 5' in FIG. 5. FIG. 6A corresponds to the state in which the magnetic substance 7 assumes the position a depicted in FIG. 5 and the balancing system is established, while FIG. 6B shows an output voltage waveform of a frequency 2f which is produced between the terminals 5 and 5' when the magnetic substance 7 assumes the position b to lose the equilibrium state. In the present example, the DC bias current IDC is impressed to establish the internal DC magnetic field but it is also possible, of course, to impress a magnetic field of the same intensity as the above-mentioned by means of a permanent magnet. Также РІ случае, РєРѕРіРґР° вышеупомянутый постоянный ток смещения РЅРµ подается для создания внутреннего постоянного магнитного поля, возможно обнаружение магнитного вещества. Рђ именно, РєРѕРіРґР° магнитное вещество 7 РЅРµ находится РІ положении b, магнитное поле магнита 6 всегда создает колебательное выходное напряжение между выводами 5 Рё 5'. Для обнаружения магнитного вещества 7 достаточно просто установить взаимное расположение магнита Рё магнитного вещества таким образом, чтобы РїСЂРё приближении магнитного вещества 7 Рє магниту 6 эффективная составляющая смещения магнита 6 прикладываемое Рє магнитопроводу 1, уменьшается, чтобы уменьшить выходное напряжение колебаний между клеммами 5 Рё 5' РґРѕ нуля. РџСЂРё этом СЃРїРѕСЃРѕР±Рµ генерация Рё приостановка выходного напряжения РёР·-Р·Р° приближения магнитного вещества 7 противоположны таковым РІ случае, описанном выше СЃРѕ ссылкой РЅР° фиг. 6. Also in the case where the aforesaid DC bias current is not impressed to establish the internal DC magnetic field, detection of the magnetic substance is possible. Namely, when the magnetic substance 7 is not in the position b, the magnetic field by the magnet 6 is always impressed to produce an oscillation output voltage between the terminals 5 and 5'. For the detection of the magnetic substance 7, it is sufficient merely to set the relative arrangement of the magnet and the magnetic substance in such a manner that when the magnetic substance 7 is brought near the magnet 6, the effective bias component of the magnet 6 applied to the magnetic wire 1 is decreased to reduce the oscillation output voltage between the terminals 5 and 5' to zero. With this method, the generation and suspension of the output voltage due to the approach of the magnetic substance 7 are opposite to those in the case described above with regard to FIG. 6.