Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Носков Д.А. Электронно-ионное оборудование технологического назначения

.pdf
Скачиваний:
5
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
4.65 Mб
Скачать

МИНИСТЕРСТВО ВЫСШЕГО И СРЕДНЕГО СПЕЦИАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ Р С Ф С Р

Тоыский институт автоматизированных састеи управления и радиоэлектроники

Д,А.Носков

P-i!ii?.1'POHHO-HOHHOS СБОРУДОВАШ

БИОЛОГИЧЕСКОГО -НАЗНАЧЕНИЯ

Иадательство Тоыского государственного уинерснтета Тоыса -1973

В квйге сис^еыатизированы сведения об устройства и принципах действия электронно-ионного оборудования,при- «еняеыого для'шшоляення технологических операций ъ раз ­ личных отраслях промышленности. Приведена классификация оборудования, олэсаны осровные типи ИСТОЧНИКОВ зарякенных частиц а сзстеи ускорения и предварительного форми­ рования яучкоз» йэдоаени принципы конструирования фокусз'рулдах аапз, аткяояяэцюс систем, рабочих вакууыных кайёр, сметровыг. окон, занууыншс сметой и электрических exes шшшвя.

Ышга расещзань на студентов технических вузов, вэучавщах оборудование электровакуумного и нолупроводвзкозого производства,, a токзе на мннеиеров и техников еоозвзтетвувщнх слециал^аостеа.

Редактор Л.Д. Левште

И а ^ а т я л ь с т БО Томского гэс/дарственного у н и в е р с и т е т а ,

т < т г

Пр е д и с л о в и е

ВЛрогоамые КПСС и материалах пленумов ЦК и съездов партии уделяется большое внимание внедрению в производст­ во передовой техзологии, основанной т использования но­

вейших доотиаевий

науки и техники, г той

числе

электро­

физических методов

как фактору широкого

разьертьваная

научно-технический

революции, которея с и л а однии из глав­

ных участков исторического соревновании

между

капитализмом

и социализмом и является важный условней развития социа­ листического общества.

Электронно- и ионно-лучевые методы обработки, обладая целый рядок достоинств перед другими электрофизичезкимв способами, широко используются в технике при выполнении разнообразных технологических операций.

Особенно широко электронно-ионная технологий использу­ ется в электронной промышленности при изготовлении прибо­ ров в микроминиатюрной исполнение, в производстве гибридыьи и интегральных микросхем.

В Советском Союзе и за рубежом разработано большое ко­ личество различное по назначению и параметрам технологиче­

ских электронных и ионных установок, эгепуатируемых

на

предприятиях

и в научно-исследовательских целтрах. '

3

Изучение

технологического электронно-ионного ооорудо-

вания связаьо с трудностями, обусловленными отсутствием

систематизированных обзоров и учебников. Имскшшеся

пере-,

водные соорники докладов международных и отечестхенных

конференций

ы п о доступны студентам i' в большинстве

слу­

чаев стали

библиографической гедкостью.

 

В данное пособии приведена классификация эл^к'дронвоионного оборудования ло характеру процессов, еэс^а'вляювдх основу техн_ ло1лческ.й слерации, по конструктивном приз­ накам и назначении оборудования. Вызелени основные, '. ха ­ рактерные для большинства ус-тановск элементы и •IPBBJABSOS их описание.

- 4 -

Вторая глава посвящена источникам электронов и ионов.Крат­ ко описаны особенности конструкций термокатодов электронно­

лучевых у'стрЪовок,

а также плазменных источников электронов

в ионов. 'Приведен

обзор плазменных электронных нагревателей

л »CSO4HIJKOS ионов твердых веществ, применяемых в устройст­ вах технологического назначения.

В главе ID излоаены принципы построяния электронно-опти­ ческих систем установок г описаны основные типы электронных

пушек и иоЕно-оптическнх систем, электростатических и ызг-

нитных линз,

отклоняющих сястеи и иа_сфидьтррв УОНОВ.

 

В главе

17 описаны наиболее распространенные конструк­

ции

рабочих

вакуумных камер с приспособлениями для лах-руз-

ки

обрабатываемое изделий, смотровыми окнами и си станами

контроля га ходом процесса обработки.

 

Глава

 

содермт описание основных типов вакуумные сис­

тем

установок с обводной откачкой рабочих камер, систем дня

 

Г

 

обеспече^я сверхвысокого вакуума и описание особенностей

построения вакуумных енотом установок с выводом пучка

в

атмосферу.

 

В главе У1 излоаены основные принципы построения

вьсо-

КОБОЛЬТНЫХ схем питания электронно-оптических систем уста­ новок, работающих р непрерывном и импульсном режимах.

Принципы уотройсгва узлов иллюстрируются примерами ус­ тановок, описанных в технической литературе. Ь описание включены только главные элементы без описания подробностей.

Г Л А В А I

ЭЛЕКТРОННО-ИОННЫЕ ИЕТОДЫ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ И КЛАССИФИКАЦИИ ЭЛЕКТ­ РОННО-ИОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ

I - J , Процессы, протекающие в твердой теле "ри электронной и ионнов 1оыбордировке

Основу технологических операций с исподь80ванвеи элект- ронно-ионного облучения составляю слогане фиаико-хиылчесвве процессы в поверхностных ".доях твердого тела, процессы в парах и гаьах при прохождений потока заряженных частиц.Есля результаты взаимодействия заряженных частиц с молекулами вещества, находящегося в газообразной состоянии, в основной сводятся к возбуждению, иончэпции и лвс-оциации молекул, so в твердом теле наблюдается целый ряд более слезных процес­ сов, характер и интенсивность которых зависит от вида облу­ чения, скорости заряненных частиц, свойств тзердого зада в других факторов.

При облучении твердого тела цучкри быстрых элекароаоз происходи отражение части п"чка, значатэдьная часть элек­ тронов проникает нэ некоторую глубиау, претерпевал торчокенив за сче! взаимодействия с сдектронами вещества, сопро­ вождающееся нагревом, рентгеновский иэлучерчем, вкричной электронной эмиссией, воз: а::новением дефектов в структуре кристаллов и другими эффектами.'В частности, при некоторых условиях облучение электронами ыояет стяыуларовять хв"нческке реакции в поверхностной слое твердого тела, способст­ вовать ускорению процессов диффузии, вывию** процессы диссоциации некоторых сое. анемий, входящих в СОСТАВ ~вердого тела, а такае стимулировать npou-эссы десорбции rasa

из по_ерхностных слоев твердого тела.

Взаимодействие ионов с веществом аачи:ае.ся еде

при

подлете

их к

п Е рхкести .вердого т<;ла,

к е д а

вонн

своя»,

ялектричеслиы

полем, производят

вырывание

злевг-речов

я

ионов. Часть

-оноэ, пр~ни"ших

в..угрь

вещества,

отражается

в вакуув

в виде

-ОНОЕ, нейтральных и хоэбухденных

ахомоя»

Оснегшя

часть

напор, проникая

вглубь

в-щества, эаторка-

- 6 -

жвввется г резулы-атё различных процессов взаимодействия с

ядрами

вещества в

электродными оболочкечи а т о м о в .

Ионы

на

своем

путь когут

нейтрализоваться, превращаясь

в

быстрые

атомы,

з а т е м спора частично ионизоваться, могут

выбивать

атома

из

у з л о в кристаллической решетка, которые

при

опре­

деленных

условиях

могут либо эыиттироваться в вакуук

в

ви­

де avouoB, ионов и возбужденных атомов, либо вызывать сме­ щение других атомов. 3- результате взаимодействия ионов с веществом могут создаваться каскады смещению: атомоч, об­

разоваться вакансии и атсан в ме^ууэлиях решетки.

Одно-

времьнво с этими процессами пр" ионной бомбардировке мо­

жет происходить ЕУбнвани„' электронов на вещества, а

как

следствие

возбуждения к ионизации атомов гещество

можэт

нспустить

видимое, ультрафиолетовое и рентгеновское

излу­

чение. При определенных условиях ионы могут осаждаться и

нейтрализоваться на поверхности твердого т е л а ,

образуя

тонкую плениу.

 

 

Некоторые процессы., протекающие в твердом

теле

при

облучении заряженными частицами, попользуются для техно­ логических целгЯ и составляют основу э л е к :ронно-иодной технологий. К таким процессам относятся: нагрев При тормо­

жении частиц 1 в е щ е с т в е , катодное распыление,

образование

дефектов в кристаллической решетке, внедрение

ионов

вглубь твердого тела, стимулирование хваичеекзх реакций электронной боибэрдирсякой, химическое взаимодействие

ионов

с атованя

бомбардируемого тела

и др. Некоторые про­

ц е с с ы ,

ие дающие

технологического эффекта, м о г у т

б и т ь ко-,

пользованы в качестве свидетелей для

контроля

за

х о д о м

технологического

процесса (вторичная

эмиссия,

излучение

ш т . д . ) .

"

 

 

 

 

 

Многие

из

перечисленных процессов

протекают

одновре­

м е н н о .

Однако

в

каждом конкретном случае используется

ляаь один, относительная интенсивность которого усилива­ ется путем соответствующего выбора ренина облучеиия.

- 7 -

1-2. Технологические операции, выполняемые электронно- 'юнныин методами

Большое разнообразие э.ффекгов, вызываемых облучением твердого тела потоками заряженных частиц,обусловило широ­ кий диапазон технологических операций, выполняемых с по­ мощью эле::тронно-ионных методов,

Для технологически:' целей особенно чшроко испольаует-т ся тепловое действие электронной бомбардировки. Электрон­

но-лучевые

гыоды

успешно применяются для

плавки

металлов

 

в вакууме,

для зонной

оч..стки, д«я сварки, размерной

об­

 

работки и для других целей. Ионная бомбардировка применя­

 

ется для очистки деталей, для нагрева заготовок при

диф­

 

фузионно,, сварке в вакууме, для изготовления

отверстий,

 

для получения пленок,

для ..ешрованья полупроводников

я

 

ДЛР вьполнеьия некоторых других опереди .

 

 

 

 

 

Несмотря аа большое разнсэбразие технологических опе­

 

раций,

которые мог"?

осуществляться электроьно-г.он.'шмв

о

методам:', их иожио сгруппировать и представить в виде

пя­

 

ти ыегодов, для которых общим ялляетия характер

процессов,

 

протекамих

в веществе при воздействии пучков

электронов

 

" и ионов. Причем

оти

процессы гоставлявт

основу

той

мы

 

иной технологической

оперший.

 

 

 

 

 

По этогу признаку

среди методов адектронно-иоьаои

 

 

технологии

можно

выделить следуюгие:

 

 

 

 

 

I .

Методы электронно-ионнс^о нггрева,

основу которых

 

составляют

тепловые' процессы, протекающие

при

юрМоЖьам

 

'заряженных частиц в'веществе, ~е приводящие к разрушен!» последнего. К этой группе относятся гяекгриняо-лучевыв ме­

тоды обезгэживания, отжига и плавки материалов, сварке

я

чайка

деталей

из различных материалов лу ,оь эчегтронов

ионбь

и другие

методы.

 

 

 

 

' 2..ЭлектреJHO- и нонноэрозионные м е т о д ы ,

основанные

на

разрушении

аеществя и удалении его частиц,

э pj

у ж и а -

le

которого в

твердом теле с5разуе-ся упубленис, канал -

или

паз. К э.лм ые^одьм

вносятся: электронЕ >..учевой

и$~

J P T

размер :ой

о«рарт л,

метод лепар^ния вещества

влевя-

- 8 -

ронныи нагревэм для получения пленок, мотод удалениг з а - гряавений посредством ионной бомбардировки, метод полу­ чения пяенот ка-одным распыленгем, метод изготовления отверстая и пазов войной бомбардировкой й другие.

3. Йетоды, использующие радиационное действие элект­ ронных > гонных иуч::ов, в результате которого изменяется строение кристаллов, возникаю? дефекты в твердом теле. В ату группу входят методы ускорения диффузии, методы изме­

нения

фвзичесгнх свойств поверхности

я

т . д .

 

 

4

. Метода, основную роль в которых

играет

химическое

действьё глектронных и ионных пучк'в,

 

проявляющееся

в

стимулировании процессов диссоциации

сложных

химических

соедянесий, ускоренна процессов полимеризация при элект­ ронной бомбардировке, а также в химическом взаимодействий аовов о молекулами бомбардируемого вещества. Эти процессы составляют освоь/ электроннолучевых методов обеэгаяиванил поверхностей, электронно-лучевых и ионно-ппазмейных методы получения металлических и полинервнх пленек, а также некоторых видов ионной размерной обработки и электроноллографии.

5. методы внедрения ионов в твердое

тело,

в результате

которого достигается

аффект

аегвроваш'я

поверхностного

слоя вещества. Этот

аффект

известен как

детод

ионного ле ­

гирования при изготовлений солнечных батарей й других по­ лупроводниковых приборов.

Некоторые из Осьовных технологических операций (отжиг я обезгаживгчие, очистка детале'', плавка я сварка, фрезе­ рование в сверление, поду^нне пленок и изготовлегие млкросхем, легьровгнно и получение переходов, ускорение про­ цессов диффузии, aaiiHCB информации и контроль за ходом процесса обработки) могут выполняться одним или несколь­ кими методами, вьюор которых определяется усло?ияы.|, в которых осуществляется операция, в возможностями оборудова­ ния. "

1-3. Классификация электренно-йо.чного оборудования

Для выполнения 6О."ЬШИНСТЕ.. технологических операций раэработЕНы спёцяалиЕйрова;шые устечоьки и несколько ти-

- 9 -

пов универсальных установок, предназначенных для выполне­ ния целого комплекса операций. По иере изучения аакономерностей взаимодействия пучков наряженных чосхрц с вевдством открываются аогые вгзможности электронно-ионних методов я расширяется круг их использования. Вследствие расширения об­ ластей применения электронно-но:;ных методов ра&рабатыгаютсн новые образцы оборудования leraoлогического назначения.

В связи

с быстрым увеличением общего количестве у л а -

ногок и их

типов изучение эхзктронно-ионного оборудования

целесообразно начать г. тслассификацин оборудования и озн~- коиления с принципом устройства основных узлов. За основ­ ные признал классификации мояно принчть вид заряженных частиц, используеыых в установке в качестве технологичес­ кого средства, назначение установки и характер выполняемой технологической операции по способу «доучемя .1 управления электронный "отоком. Кроме осноьлых признаков хлассифика-

ц'<и можно использовать ряд дополнительных,

подчеркивающих

ту или

иную особенность, например харг:стер

взаимодействия

частиц

с вещество, характер атьосферы и давление в

рабо­

чей камере, конструкция электронно-огтлческнх систем,

ве ­

личина

ускоряющего напряжения л мощностг луча и т . д .

Поль­

зуясь дополнительными признаками классификации,модно груп­ пировать установки, отчесерны? к определенному классу, на

билее мел«0!е группы в соответотвги

с тем и^и

другии 'при­

знаком, что облегчает их ге-адьное

изучение.

 

По виду заряженных частиц, используемых в качестве основного технологического средства, раагччают:

1)электронные установки;

2)ионные установки;

3)комбинированные уствноиш.

По характеру взаимодействия

зарях-знных ч а с и ц с гэще»-

ством

который положен в основу

т о и или ик,ги

технологи­

ческого

процесса, установки подразделвтег н

сле.'луюаде

группы*

 

 

 

1. Элслтронно-нагревате._ьяые установки, и лгчьзуюцие

нагрев

вещества при бсба^диров е заряженными часгицами.

2.

УСТАНОВКУ катодного распыления, в которых основным

дроцепаоы является распыление вещества п,.и минь.fl doulsp-

Д И Г и В И ' - .

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ