- •Биполярные транзисторы.
- •Таким образом современная система обозначений позволяет по наименованию типа получить значительный объём информации о свойствах транзистора.
- •2Т399а—кремниевый биполярный маломощный свч, номер разработки 99, группа а.
- •Статические характеристики в схеме с об.
- •С 0 татические характеристики в схеме с оэ.
- •Основные параметры биполярного транзистора и их ориентировочные значения
- •Лабораторная работа
- •Исследование транзистора в схеме с общей базой
- •5.2. Провести измерения для определения семейства выходных характеристик.
- •Записывать со всеми значащими цифрами
- •Лабораторная работа
- •Исследование транзистора в схеме с общим эмиттером
- •- В дальнейшем при проведении всех исследований устанавливать напряжение в базовой цепи u2 только потенциометром «плавно». Потенциометр «грубо» не трогать.
- •5.2. Провести измерения для определения выходных характеристик.
Биполярные транзисторы.
Биполярный транзистор – это полупроводниковый трёхслойный прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами. В зависимости от чередования областей с различным типом проводимости различают p-n-p транзисторы и n-p-n транзисторы. Транзистор имеет три вывода. Два вывода включаются в цепь преобразования сигналов – силовая цепь между коллектором и эмиттером, а третий является управляющим – база. На рис. 1 представлены упрощённое устройство плоскостного n-p-n транзистора и схемы замещения транзисторов p-n-p и n-p-n. Используя схему замещения представляется возможным осуществлять проверку исправности транзистора вне схемы включения с помощью тестера.
Работа транзистора основана на управлении токами электродов в зависимости от приложенных к его переходам напряжений. От того, каким образом включены источники напряжений, зависит режим работы транзистора и выполняемая функция устройства, в котором используется этот транзистор:
1.базоэмиттерный переход в прямом включении, базоколлекторный переход в обратном включении – режим управляемой проводимости, активный режим, режим линейного усиления;
2. базоэмиттерный переход в обратном включении, базоколлекторный переход в обратном включении – режим отсечки ( цепи разомкнуты);
3. базоэмиттерный переход в прямом включении, базоколлекторный переход в прямом включении – режим насыщения (цепи замкнуты);
4. базоэмиттерный переход в обратном включении, базоколлекторный переход в прямом включении – режим коммутации коллекторнобазовым переходом.
Промышленностью выпускается громадная номенклатура транзисторов, которые могут использоваться в различных устройствах преобразования электрических сигналов. Классификация транзисторов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивным и технологическим признакам, роду исходного материала находит своё отражение в системе условных обозначений их типов. Система обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 111.336.919-81 и базируется на ряде классификационных признаков.
В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код, первый элемент которого обозначает исходный полупроводниковый материал , на основе которого изготовлен транзистор. Для обозначения исходного материала используются следующие символы:
Г или 1 — для германия и его соединений;
К или 2 — для кремния и его соединений;
А или 3 — для соединений галлия
Второй элемент обозначения – буква, определяющая подкласс транзистора.
Т – для биполярных транзисторов;
П – для полевых транзисторов.
Третий—цифра от 1 до 9, определяющая его основные функциональные возможности табл.1 ( допустимое значение рассеиваемой мощности и граничную либо максимальную рабочую частоту)
Таблица 1
1 |
2 |
3 |
Транзисторы маломощные (Рмакс< 0,3 Вт) |
4 |
5 |
6 |
Транзисторы средней мощности ( 0,3Вт < Рмакс < 1,5Вт ) |
7 |
8 |
9 |
Транзисторы большой мощности (Рмакс > 1,5 Вт) |
Транзисторы низкочастотные f < 3 МГц |
Транзисторы средней частоты 3МГц<f<30МГц |
Транзисторы высокочастотные И СВЧ 30МГц<f |
Четвёртый элемент это число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа транзисторов ( каждый технологический тип может включать в себя один или несколько типов, различающихся по своим параметрам).
Пятый элемент – буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзисторов , изготовленных по единой технологии.