Моделирование процесса получения слоев поликристаллического кремния осаждением из газовой фазы

Цель: изучить основные закономерности получения слоев поликристаллического кремния из парогазовой фазы и определить факторы управления этими процессами. Изменяя термодинамические и конструктивные параметры модельного процесса получить слои поликремния заданной толщины и качества.

Теоретические сведения

Конструкции современных СБИС требуют создания многослойных структур на кремниевой подложке. Одним из таких слоев является поликремний, которая служит в качестве межсоединений активных элементов МОП-транзисторов, затворных электродов, высокоомных резисторов и диффузионных источников для формирования неглубоких переходов, а также заглубленных контактов.

В связи с широким применением слои поликремния должны обладать различными значениями удельного сопротивления, что определяется легированием и зернистостью. Поэтому важно знать свойства слоев поликремния.

Метод осаждения из газовой фазы посредством химических реакций в объёме и на поверхности при низких давлениях (LP CVD-процесс) широко используется в современной технологии микроэлектроники для создания слоев поликремния. Необходимым условием получения качественных слоев поликремния является контроль их электрических, структурных и других физических характеристик при проведении технологических операций обработки структурных элементов интегральных схем. Структура зерен поликремния характеризуется их средним размером, кристаллографической ориентацией и распределением по размерам. Размер зерна в существенной степени определяет распределение легирующих элементов по его объёму и, в конечном счете, влияет на величину проводимости плёнки поликремния.

Восстановление тетрахлорида кремния водородом. Процесс осаждения поликристаллических пленок с использованием тетрахлорида кремния заключается в том, что через реактор пропускают поток водорода с добавлением тетрахлорида кремния. При температуре выше 600 ºС тетрахлорид кремния восстанавливается на поверхности диэлектрической или монокристаллической подложки. Образующийся кремний осаждается на подложке в виде поликристаллической пленки, а другие продукты реакции уносятся потоком газа. Реакция протекает по уравнению:

SiCl₄+2H₂Si+4HCl. (1)

Увеличение концентрации тетрахлорида кремния приводит к травлению поверхности кремния, что уменьшает скорость роста слоя поликремния.

Реакция травления описывается уравнением

Si+SiCl₄2SiCl₂. (2)

Кинетика процесса осаждения пленок поликремния в системе SiCl₄+H₂ сложна и количественная связь между исходной концентрацией SiCl₄ и общим количеством выделившегося кремния, а также других продуктов реакции, пока не установлена. По мере повышения температуры смеси сначала происходит частичное восстановление SiCl₄ до SiHCl₃:

SiCl₄+H₂SiHCl₃+HCl. (3)

При дальнейшем повышении температуры, когда SiHCl₃ приходит в контакт с нагретой подложкой, может произойти восстановление SiHCl₃ до Si:

SiHCl₃+H₂Si+3HCl. (4)

Альтернативная технология получения поликремния — восстановление силана. С одной стороны, данная технология сложна, так как для получения плёнок используется высокое давление, но, с другой стороны, — материал получается высокой чистоты, а при хлоридной технологии может быть загрязнение материала примесями.

Воспроизводимость результатов при осаждении пленок поликремния зависит от постоянства концентрации тетрахлорида кремния в газовом потоке. В связи с этим способ насыщения потока тетрахлоридом кремния весьма существенен.

На рис. 1 приведена зависимость скорости осаждения поликремния от концентрации SiCl₄ и SiH₄ в парогазовой смеси (ПГС).

В реакционных камерах вертикального типа диаметром 160 мм при скорости газового потока 12 л/мин и концентрации тетрахлорида кремния 8—10 мол. % расчет захвата тетрахлорида кремния газом-носителем проводят по давлению пара SiCl₄. При таких концентрациях тетрахлорида кремния наблюдается высокая воспроизводимость результатов.

В реальных условиях осаждения в реакторе иногда возникают конвекционные потоки и в отдельных его частях застойные зоны. Правильно выбранные конструкции реакционной камеры и способ ввода газовой смеси позволяют свести к минимуму эти явления. Единого мнения об однородности осаждаемых слоев в горизонтальных и вертикальных реакторах до сих пор не выработано. Ясно, что разноречивость данных о степени однородности осаждаемых слоев обусловлена, прежде всего, конструктивными особенностями

Рис. 1. Зависимость скорости осаждения поликристаллических пленок от концентрации SiCl₄ (а, б), и SiH₄ (в) в газовой смеси: 1 — экспериментальные данные; 2, 3 — расчетные данные. Знак штрих относится к процессам, проведенным в электрическом поле. Температура процесса 1400 (1, 2), 1500 (3), 1323 (4), 1273 (5), 1072 (6—8) и 873 К (9—12), (7, 10 — легированные бором; 8, 11 — фосфором; 12 — мышьяком)

реакторов и неодинаковыми параметрами процесса. В горизонтальных реакторах толщина поликристаллических пленок кремния изменяется вдоль пьедестала по ходу газа-носителя вследствие уменьшения концентрации SiCl₄. Увеличение скорости общего газового потока до 30—40 л/мин позволяет добиться минимального разброса по толщине (±5 % по всей длине пьедестала). При малой скорости общего газового потока (10 л/мин) равномерность по толщине обеспечивается выбором оптимальной зоны по длине пьедестала. Однако это снижает производительность процесса. В вертикальных реакторах с целью обеспечения хорошей равномерности по толщине и удельному сопротивлению используется вращение пьедестала. Газовый поток в этом случае направляют перпендикулярно подложке. В камерах колпачного типа используется система противопотока.

В горизонтальных и вертикальных реакторах применяется индукционный нагрев подложек. В качестве передатчика тепловой энергии используют графитовые, стеклографитовые и молибдено­вые пьедесталы. С целью исключения диффузии примесей в осаждаемые слои поликристаллического кремния из пьедестала последний покрывают нитридом и/или карбидом кремния. Однородность пленок по толщине требует одинаковой температуры по всей длине пьедестала. Разброс температуры оказывает сильное влияние на скорость роста пленок. В температурном интервале 650—900 ºС скорость осаждения полиремния в зависимости от типа реакционной камеры, требуемой толщины слоев и типа используемых газов колеблется в диапазоне 0,06—0,5 мкм/мин. При индукционном и резистивном нагревах в области осаждения возникает перепад температуры до 50 ºС Минимальная разность температур между центром и краем пьедестала (20 ºС) наблюдалась при расположении индуктора в средней части пьедестала.

Увеличение скорости общего газового потока приводит к выравниванию температуры по длине пьедестала. Для вертикальных реакторов минимальный разброс по температуре вдоль пьедестала достигается за счет предварительного подогрева газа-носителя до 400 ºС. При этом подогрев газа существенно увеличивает скорость осаждения и позволяет получить качественные слои поликристаллического кремния при температуре 750—800 ºС вместо 1000—1100 ºС. Снижение температуры ниже 750 ºС приводит к образованию дефектных по сплошности поликристаллических слоев со значительным разбросом размера зерна. Увеличение скорости осаждения поликристаллических слоев кремния при подогреве газа-носителя объясняется тем, что с увеличением кинетической энергии и среднего пробега молекул газа происходит увеличение эффективного объема газовой фазы, принимающей участие в реакции осаждения кремния на поверхности. Это свидетельствует о том, что доставка реагентов в зону реакции и отвод продуктов реакции интенсифицируются.

Восстановление трихлорсилана водородом. Считается, что при восстановлении трихлорсилана водородом кинетика реакции проще, чем в тетрахлоридном и тетрабромидном процессах. Пленки поликремния, полученные по методу восстановления трихлорсилана, по качеству не уступают тетрахлоридным. Необходимо отметить, что температуры осаждения при восстановлении как тетрахлорида, так и трихлорсилана практически не отличаются. Таким образом, проблема размытия концентрационных профилей в полупроводниковых структурах остается.

Реакции протекает по уравнению:

SiHCl₃+H₂Si+3HCl. (5)

При осаждении поликристаллических пленок кремния по реакции восстановления трихлорсилана используются установки с горизонтальным и вертикальным типом реакторов. Как в горизонтальных, так и вертикальных реакторах скорость осаждения слоев поликристаллического кремния на подложки Si₃N₄ и Si–SiO₂–Si₃N₄ зависит от парциального давления трихлорсилана и температуры осаждения. При изменении парциального давления в диапазоне 10—30 Торр. и температуре 1000 ºС скорость осаждения изменяется с 0,8 до 1,5 мкм/мин. Энергия активации находится в пределах 0,98—0,99 эВ. Отмечено, что низкое значение энергии активации указывает на гетерогенный характер реакции. Скорость осаждения в данном процессе пропорциональна корню квадратному из концентрации трихлорсилана и прямо пропорциональна скорости реакции. При увеличении температуры выше 1200 ºС скорость осаждения уменьшается.

Рис. 2. Типы реакционных камер, используемых для наращивания поликристаллических полупроводниковых слоев: а — горизонтальный; б — колпакового типа; в — вертикальный

Данный процесс трудно воспроизводим в реакционных камерах горизонтального типа. Объясняется это низкими скоростями общего газового потока (0,5—1,0 л/ч), что приводит к обеднению газовой смеси вдоль пьедестала.

Конструкция реактора. В практике получения слоев используется несколько конструкций реакторов (рис. 2).

Преимуществом горизонтального реактора является более простая конструкция. В связи с тем, что диаметр горизонтального реактора значительно меньше, чем вертикального, ПГС проходит через реактор с более высокой линейной скоростью и процесс менее чувствителен к колебаниям скорости общего газового потока и изменениям температуры. Серьезный недостаток этого реактора — изменение скорости роста вдоль подставки с подложками. В горизонтальном реакторе при легировании подложки изменяется также ширина концентрационного перехода от 2—3 мкм на первой по отношению к входу подложке до 4—5 мкм на последней. Наряду с этим для горизонтального реактора характерна неоднородность по толщине и размеру зерна в радиальном направлении. Объясняется это влиянием стенок реактора на скорость общего газового потока. Это влияние заметнее у краев подложки, где стенки реактора расположены ближе к поверхности подложки. Для исключения указанных недостатков рекомендуется устанавливать подставки с подложками под углом 10—15° к оси реактора и использовать реактор прямоугольного сечения. В табл. 1 приведены данные об изменении скорости осаждения в зависимости от сечения реактора.

Таблица 1

Параметры реакторов

Тип реактора	Скорость газового потока, см/с	Скорость роста в разных точках подложки, мкм/мин
		1	2	3	4	5	6
Круглый, Dp=100 мм	7,3	0,33	0,52	0,55	0,51	0,44	0,43
	9,3	0,41	0,55	0,76	0,77	0,55	0,33
	11,5	0,40	0,63	0,81	0,8	0,6	0,36
Прямоугольный, 75100 мм	8,9	0,46	0,63	0,62	0,63	0,66	0,44
	11,3	0,51	0,73	0,7	0,71	0,71	0,46
	17,0	0,43	0,59	0,69	0,71	0,62	0,36
Прямоугольный, 50100 мм	11,2	0,56	0,65	0,64	0,64	0,66	0,57
	18,6	0,57	0,66	0,66	0,66	0,68	0,62
	23,5	0,62	0,76	0,76	0,76	0,70	0,65

Перечисленных недостатков лишен вертикальный реактор, в котором подложки расположены в один—два яруса на пьедестале, имеющем грани с наклоном в 5—10°. Однако недостатком вертикальных реакторов является более сложная система охлаждения. Линейная скорость газового потока в вертикальных реакторах ниже, чем в горизонтальных, из-за большего сечения. Процесс осаждения в вертикальных реакторах более восприимчив к изменению температуры и колебаниям газового тока. Воспроизводимость процесса на оптимальных технологических режимах во многом определяется конструкцией реактора.

Установлено, что при одинаковых общих геометрических размерах реакционной камеры существенное влияние на процесс осаждения тонких слоев оказывает система разводки реакционной смеси в области камеры. Используемые компоненты, например моносилан и арсин или моносилан и диборан, могут смешиваться в холодной зоне реакционной камеры, где воздействие тепловой энергии, излучаемой пьедесталом, не сказывается, или в зоне реакционной камеры над пьедесталом на расстоянии 50—75 мм, где температура газа-носителя достигает 400—500 ºС. В первом варианте реакционных камер с внешней разводкой скорость осаждения слоев, легированных мышьяком, не превышает 0,15 мкм/мин, а бором — 0,3 мкм/мин. Наблюдается значительный разброс по величине удельного сопротивления пленок до 30—50 %. Предположительно, это объясняется потерей основных компонентов газовой смеси за счет осаждения на стенках и за счет образования промежуточных продуктов, которые либо уносятся с основным потоком, либо осаждаются на стенках камеры.

Замена внешней разводки внутренней позволяет повысить скорость осаждения слоев поликристаллического кремния, легированных мышьяком, до 0,2—0,25 мкм/мин, а бором — до 0,5 мкм/мин с хорошей воспроизводимостью по удельному сопротивлению и толщине. Объясняется это более полным взаимодействием компонентов реакции в зоне пьедестала. Процесс разложения гидридов и осаждение на поверхности подложки происходят интенсивно за счет образования радикалов SiH₂ и AsH₂, которые благодаря свободной валентности обладают повышенной реакционной способностью, что обеспечивает полноту прохождения реакции и как результат повышает скорость осаждения.

Оптимальные соотношения для вертикального реактора, при которых разброс по толщине и размеру зерна в пленке минимален:

1,05D_п<D_р<1,5D_п; 1,80D_п<l'<3D_п; 0,05D_п<D₀<0,2D_п, (6)

где l' — расстояние от места ввода газа до подложек; D_p — диаметр реактора; D_п — диаметр пьедестала с подложками; D₀ — диаметр трубки, через которую подается ПГС.

С целью создания турбулентности газового потока в процессе осаждения пленок и газового их травления пьедесталы с подложками приводятся во вращение с определенной угловой скоростью. Обычно скорость вращения выбирается опытным путем.

Конструкция реактора и скорость газового потока через его сечение являются определяющими в стабилизации скорости осаждения и в достижении равномерности осаждаемых слоев.

Определение скорости осаждения поликремния. Диффузионное уравнение, описывающее перенос молекул газа в реакторе, в общем виде записывается следующим образом:

(7)

где u — средний по массе вектор скорости реагента сорта i в реакторе; C_i — молярная концентрация i-го реагента; J_i — молярный диффузионный поток атомов газа i-го сорта; R — полная скорость реакций с поверхностью пластины, на которой осуществляется процесс осаждения всех i компонент газа.

Уравнение (7) справедливо для всех i=1, ..., n компонент газа в реакторе, но только (n–1) этих уравнений независимы.

При решении уравнения (7) должны выполняться следующие предложения:

1) рассматривается газ только одного химического состава;

2) газ, содержащий только такие компоненты, которые хорошо растворяется в инертном газе-носителе;

3) рассматривается только гетерогенные реакции в объеме реактора и на поверхности пластины.

Типичным примером такой системы является осаждение поликремния на кремниевой пластине из газовой среды азот/аргон (носитель) + силан (активный компонент) посредством реакций:

(8)

Следующие предположения заключается в том, что скорость реакции в объеме (первая реакция в уравнении (8)) должна быть первого порядка по силану, т. е.

R_s=kC, (9)

где R_s — скорость конверсии силана, C — молярная концентрация силана; k — константа пиролитического разложения силана, которая аппроксимируется, выражением:

(10)

Здесь эмпирические константы a=0,0504, b=0,9496, A=2,5410³⁸, β=–7,95, Е=61,96, если давление в P реакторе задано в атмосферах.

И, наконец, полагается отсутствие потока (u=0) в пространстве между двумя соседними пластинами, т. е. при 0≤z≤d и 0≤r≤r₀. Это условие означает отсутствие конвективного перераспределения газа в зазоре между пластинами по сравнению с размерами пластины из-за относительно малого давления внутри реактора.

Выполнение указанных условий приводит выражение (7) в цилиндрической геометрии к следующему диффузионному уравнению:

(11)

с граничными условиями:

(12)

Здесь D — коэффициент диффузии силана в газе-носителе, зависящий от температуры и среды газа-носителя; C_b — концентрация силана на краю пластин, независящая от координаты z и равная концентрации на входе в реактор.

Решение системы уравнений (11), (12):

(13)

где I₀ — модифицированная функция Бесселя первого рода, а собственные значения λ_n — положительные корни трансцендентного уравнения

(14)

Пространственные координаты r и z здесь представлены в безразмерных величинах:

(15)

Функция F_n(A, K_D) определяется следующим образом:

(16)

Параметры A и K_D связаны с геометрическими характеристиками реактора и диффузионно-кинетическими параметрами физико-химических процессов в газовой среде и на поверхности пластины:

(17)

(18)

Коэффициент диффузии D молекул силана в газовой среде реактора определяется температурой T и давлением газа внутри реактора. Эмпирическая зависимость для D:

(19)

Произведение параметров A и K_D определяет критерий Тиле Φ, который обычно используется при анализе каталитических реакций, а при рассмотрении процесса осаждения определяет степень неравномерности η толщины осаждаемой пленки по радиусу пластины:

(20)

так что

(21)

Скорость w осаждения пленки поликремния определяется следующим образом:

(22)

где k_ab — коэффициент, определяющий нетто-скорость адсорбции-десорбции молекул; силилена SiH₂ на поверхности кремневой пластины; V_Si=M_Si/(N_Aρ_Si) — объем, приходящиеся на один атом кремния в зерне поликремния, M_Si — молекулярный вес кремния, ρ_Si — физическая плотность поликремния, N_A — число Авогадро.

Покажем один из способов учета конструкционных особенностей реактора при расчете скорости осаждения слоя в LP CVD-процессе:

(23)

где V/S — отношение объема к поверхности реакционной ячейки реактора, ограниченной двумя соседними пластинами и стенкой этой ячейки,

(24)

где d — расстояние между пластинами; r₀ — радиус пластины; r — текущий радиус по пластине; r_c — внутренний радиус ячейки; d_m — диаметр отверстия в стенке ячейки; S — размер эффективного зазора между ячейкой и стенкой реактора; h — толщина стенки ячейки; m — число отверстий, приходящихся на одну реакционную камеру.

При рассмотрении задачи определения скорости осаждения поликремния с одновременным легированием полагают, что реакции с участием фосфина (PH₃) протекают по следующей схеме:

(25)

где «gas», «ads» и «s» обозначают соответственно состояния в газовой среде, адсорбированное и твердое — на поверхности пластины.

Кинетика осаждения с участием фосфина обычно рассматривается, как и в случае силана, согласно теории адсорбции Ленгмюра—Хиншельвуда. Исходя из анализа результатов, скорость роста поликремния с одновременным легированием при парциальном давлении фосфина p_SiH4 рассчитывают по уравнению:

(26)

где w_R — скорость осаждения поликремния при p_PH3=0; γ — относительное содержание фосфина в газовой среде реактора; p_SiH4 — парциальное давление силана; b — константа, зависящая от температуры.

Таким образом, задавая технологические (температуру, парциальные давления компонентов газа в реакторе) и конструкционные параметры реактора, можно рассчитать скорость роста пленки поликремния в LPCVD-процессе, а путем варьирования этих параметров определить оптимальные характеристики процесса осаждения.

Задание

Таблица 2

Варианты заданий для расчета

Вариант	Диаметр пластины, мм	Расстояние между пластинами, мм	Диаметр трубы реактора, мм	Температура пластины, С	Давление газа в реакторе, Па	Парциальное давление силана, Па	Парциальное давление фосфина, Па
1	75	1,5	100	650	33,25	31	0,055
2	100	1,5	150	650	33,25	31	0,055
3	150	1,5	225	650	33,25	31	0,055
4	75	2	100	650	67	62	0,11
5	100	2	150	650	67	62	0,11
6	150	2	225	650	67	62	0,11
7	75	1,5	100	550	33,25	31	0,055
8	100	1,5	150	550	33,25	31	0,055
9	150	1,5	225	550	33,25	31	0,055
10	75	2	100	550	67	62	0,11
11	100	2	150	550	67	62	0,11
12	150	2	225	550	67	62	0,11

1. При заданном полном давлении газа в реакторе определить максимальную скорость роста пленки поликремния при максимально возможном радиусе пластины и при минимальном расстоянии между пластинами при соблюдении максимального выхода.

2. При заданном радиусе пластины определить максимальную скорость роста при минимальном расстоянии между пластинами.

Варианты заданий для расчетов даны в табл. 2.

Практические указания. Моделирование процесса осаждения тонких пленок поликремния методом химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ) при низком давлении (LPCVD-процесс) с одновременным легированием начинается с задания параметров процесса, таких как: радиус пластины, расстояние между пластинами, внутренний радиус трубы реактора, температура пластины, полное давление газа в реакторе, парциальное давление силана и парциальное давление фосфина.

Далее необходимо выбрать варьируемый параметр и его пределы: радиус пластины, расстояние между пластинами, внутренний радиус трубы реактора, температура пластины, полное давление газа в реакторе, парциальное давление силана и парциальное давление фосфина, текущий радиус пластины.

Совокупность всех получаемых в результате расчета данных позволяет выбрать оптимальный режим процесса получения поликремниевых слоев с заданными свойствами.

Результаты представить в виде таблицы и в виде графиков.

Контрольные вопросы

1. В чем разница между гомогенными и гетерогенными процессами?

2. В каком случае гетерогенный процесс протекает в квазиравновесном режиме? Диффузионном режиме? Кинетическом режиме?

3. Как изменяется парциальное давление конденсирующегося компонента парогазовой фазы у поверхности подложки при протекании процесса осаждения в диффузионном режиме?

4. Опишите процесс получения пленки поликремния водородным восстановлением тетрахлорида кремния.

5. Как влияет на однородность толщины осаждаемой пленки при неизменности других факторов расстояние между подложками? Давление газа в реакторе? Температура процесса осаждения? Диаметр пластин?

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Крапухин В.В. Технология материалов электронной техники. Теория процессов полупроводниковой технологии / В.В. Крапухин, И.А. Соколов, Г.Д. Кузнецов. – М.: «МИСИС», 1995. – 493 с.

2. Александров Л.Н. Процессы роста и структуры монокристаллических слоев полупроводников. Ч.1 / Л.Н. Александров. — Новосибирск: Наука, 1988.

3. Колешко В.М. Кинетика осаждения и свойства тонких высоколегированных поликристаллических пленок кремния, полученных методом пиролиза моносилана / В.М. Колешко, А.А. Ковалевский, Э.П. Калошкин, Н.Е. Рыжикова. Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1977. Т. 13, № 6. — С. 941.

4. Нечаев В.В. Моделирование процесса осаждения поликремния из газовой фазы / В.В. Нечаев, А.С. Турцевич. — М.: 1989.

5. Нашельский А.Я. Технология полупроводниковых материалов / А.Я. Нашельский. — М.: Металлургия, 1993.

СОДЕРЖАНИЕ

Лабораторная работа № 1.

РАСЧЕТ РАВНОВЕСНОГО КОЭФФИЦИЕНТА РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЖИДКОСТЬ—ПАР И КОНЦЕНТРАЦИИ ПРИМЕСИ 1

ВО ФРАКЦИЯХ, ПОЛУЧАЕМЫХ В ПРОЦЕССЕ ДИСТИЛЛЯЦИИ 1

РАСЧЕТ ПРОЦЕССА НЕПРЕРЫВНОЙ РЕКТИФИКАЦИИ 10

РАСЧЕТ СКОРОСТИ РОСТА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ A^IIIB^V И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ ИЗ ПАРОГАЗОВОЙ ФАЗЫ ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ ХИМИЧЕСКИХ ТРАНСПОРТНЫХ РЕАКЦИЙ 19

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ 33

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ

к выполнению лабораторных работ № 1—4 по дисциплине «Нанотехнологии» для студентов направления подготовки бакалавров 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» (профиль «Электронное машиностроение»)

очной формы обучения

Составитель Липатов Геннадий Иванович

В авторской редакции

Компьютерный набор Г.И. Липатова

Подписано к изданию 17.02.2016.

Уч.-изд. л. 2,9.

ФГБОУ ВО «Воронежский государственный

технический университет»