6. Разработка профильной схемы технологического маршрута имс.

Описывается последовательность основных технологических операций. Результаты их выполнения иллюстрируются эскизы профилей формируемой структуры.

7. Заключение.

Содержит выводы о проделанной работе и ее краткий анализ. Акцентируется внимание на «узких местах» технологического процесса и оригинальных методах решения поставленной задачи.

8. Список цитируемой литературы.

К моменту защиты проекта необходимо подготовить пояснительную записку объемом около 30 листов стандартного формата рукописного текста и плакат.

Формы титульного листа, листа технического задания, а также примеры календарного плана и реферата к курсовому проекту приведены в приложении.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В данном учебном пособии представлены основные сведения, необходимые для выполнения курсового проектирования по дисциплине «Микроэлектроника». Пособие состоит из восьми частей. В первых двух частях изложены физические основы твердотельной электроники. Подробно рассмотрены электрофизические процессы в p-n-переходе. Рассмотрены принципы функционирования биполярных и униполярных транзисторов. Даны общие сведения об их электрофизических характеристиках. Приведены методы расчета и подходы к конструированию активных и пассивных элементов интегральных схем.

Третья часть пособия посвящена вопросам формирования соединений и контактных площадок в интегральной схеме (ИС).

Принципиальные электрические схемы базовых логических элементов на основе биполярных и МДП транзисторных структур обсуждаются в разделе 4, а проблемы разработки топологии ИС и соответствующего комплекта фотошаблонов - в разделах 5 и 6. Вопросы, связанные с разработкой технологического маршрута биполярных ИС и описание основных технологических операций приведены в седьмом разделе пособия. Его заключительная – восьмая часть содержит методические рекомендации, относящиеся к выполнению курсового проекта, примерный перечень заданий и др. информацию.

Учебное пособие предназначено для студентов и магистрантов обучающихся по профилю «Физическая электроника».

ПРИЛОЖЕНИЕ 1

Оформление пояснительной записки

Министерство образования и науки РФ

ФГБОУВПО «Воронежский государственный технический университет»

Кафедра ФТТ

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА К КУРСОВОМУ ПРОЕКТУ ПО ДИСЦИПЛИНЕ ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

РАЗРАБОТКА ЛОГИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА ТТЛ «2И – НЕ»

Разработал:

ст. гр. ТФ…. И.И. Иванов

Руководитель:

ХХХ

20……

ФГБОУВПО «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»

Кафедра: Физики твердого тела

Дисциплина: Микроэлектроника

Специальность

Курс: 3 Група: ТФ…. Семестр: 6

ЗАДАНИЕ

на курсовой проект студенту

Иванову Ивану Ивановичу

І. Тема проекта (работы): Разработка технологии и топологии изготовления ИМС

2. Срок сдачи студентом законченного проекта (работы):

3. Исходные данные к проекту (работе):

электрическая принципиальная схема; параметры транзисторных структур и резисторов.

4. Содержание расчетно-пояснительной записки (перечень вопросов, которые необходимо разработать):

провести расчет интегральных транзисторов

рассчитать размеры диффузионного резистора;

разработать топологию интегральной схемы, комплект фотошаблонов, технологию изготовления ИС.

5. Перечень графического материала (с точным обозначением обязательных чертежей): Технологический маршрут изготовления интегральной схемы; Топология интегральной схемы.

6. Дата выдачи задания: ___________________________________