4.2. Задание №2

Осуществить проектирование межблочных и межуровневых блоков ИМС в САПР Cadence Virtuoso.

Необходимо соединить 4 КМОП транзистора n-типа по схеме на рис. 13, используя только пятый и шестой слой метала.

Рис. 13. Схема соединения транзисторов

Для добавления транзисторов используется функция вставки Instance, для выбора необходимо открыть меню Create далее выбираем Instance. Добавим 4 транзистора nmos1v в рабочую область из библиотеки gpdk090 (рис. 15). Для перехода в библиотеку в меню Instance необходимо нажать на кнопку «Browse» (рис. 14).

Рис. 14. Меню функции Instance

Соединим транзисторы согласно схеме с использованием функции Patch. По заданию необходимо использовать пятый и шестой слой метала. Для этого выбираем в LSW 5 слой метала (met5). Соединяем стоки и истоки транзисторов (рис. 14).

Рис. 15. Вид рабочей области

Рис. 16. Соединение стоков и истоков МОП транзисторов

Чтобы подключиться к затвору, нужно использовать межслойный контакт VIA (M1_POv) (рис. 17).

Так как этот контакт M1_POv связывает только слой поликремния и первый слой металла, нам необходимо с первого слоя метала перейти на шестой. Для это добавим VIA: M2_M1, M3_M2, M4_M3, M5_M4, M6_M5 (рис. 18).

Рис. 17. Контакт VIA к затвору МОП-транзистора

Рис. 18. Контакт с шестого слоя метала к поликремнию

Далее соединяем затворы с использованием функции Patch (рис. 19).

Рис. 19. Схема соединения

Варианты лабораторного задания представлены в таблице

Вариант	Элементы для добавления (библиотека gpdk090)	Задание
1	4 транзистора nmos1v	Соединить транзисторы согласно рисунку 14, используя третий и четвертый слои метала.
2	4 транзистора nmos1v	Соединить транзисторы согласно рисунку 14, используя второй и третий слои метала.
3	4 транзистора nmos1v	Соединить транзисторы согласно рисунку 14, используя четвертый и пятый слои метала.
4	4 транзистора nmos1v	Соединить транзисторы согласно рисунку 14, используя шестой и седьмой слои метала.
5	4 транзистора nmos1v	Соединить транзисторы согласно рисунку 14, используя второй и третий слои метала.
6	4 транзистора nmos1v	Соединить транзисторы согласно рисунку 14, используя второй и четвертый слои метала.

5. Указания по оформлению отчета

Отчет оформляется в виде пояснительной записки на листах формата А4 (210 × 297 мм). Необходимо дома подготовить заготовку отчета по всей работе. Заготовка отчета должна содержать номер, цель и содержание работы, все пункты домашних заданий и результаты их выполнения все пункты лабораторных заданий и свободное место для их выполнения. Дополнительно в отчете необходимо сделать выводы по результатам проделанной работы. Рисунки и графики выполнять на отдельных листах А4, на которых, если позволяет место, может быть размещено по несколько рисунков. Рисунки вкладывать в отчет после первой ссылки по тексту. Титульный лист выполняется по ГОСт 7.4-78 в виде обложки, в которую вкладывают отчет.