- •Воронеж 2006
- •Введение
- •1. Дифракция медленных электронов
- •1.1. Эксперимент Дэвиссона и Джермера
- •1.3. Рассеяние медленных электронов: вторичная электронная эмиссия
- •1.4. Волновые свойства микрочастиц. Дифракция электронов
- •2. Метод эсха
- •2.1. Основные принципы метода эсха
- •2.2. Фотоэффект в методе эсха и в рентгеновской абсорбционной спектроскопии
- •2.4. Вычисление энергии связи на основе данных, полученных методом эсха
- •2.5. Модификация диаграммы уровней, связанная с наличием двойных слоев и электрических полей
- •2.6. Собственные ширины уровней и расстояния между ними
- •2.7. Исследования поверхности методом эсха
- •3. Метод Оже-спектроскопии
- •3.1. Физические основы метода Оже-электронной спектроскопии
- •3.2. Аппаратура и методика измерений Оже-спектра
- •3.3. Методика подготовки образцов
- •3.4. Качественный и количественный анализ
- •3.4.1. Методика эксперимента
- •3.4.2. Описание экспериментальной установки
- •3.4.3. Растровая Оже-электронная спектроскопия
- •3.4.4. Применение Оже-спектроскопии
- •4. Вторично-ионная масс-спектрометрия
- •4.1. Взаимодействие ионов с веществом
- •4.2. Вторично-ионная эмиссия
- •4.3. Оборудование вимс.
- •4.3.1. Принцип действия установок.
- •Установки, не обеспечивающие анализа распределения частиц по поверхности
- •Установки, позволяющие получать сведения о распределении элемента по поверхности, со сканирующим ионным зондом
- •Установки с прямым изображением
- •4.3.2. Порог чувствительности
- •4.3.3. Анализ следов элементов
- •4.3.4. Ионное изображение
- •4.3.5. Требования к первичному ионному пучку
- •4.4. Масс-спектрометрический анализ нейтральных распыленных частиц
- •4.5. Количественный анализ
- •4.6. Глубинные профили концентрации элементов
- •4.6.1. Приборные факторы, влияющие на разрешение по глубине при измерении профилей концентрации
- •4.6.2. Влияние ионно-матричных эффектов на разрешение по глубине при измерении профилей концентрации
- •4.7. Применение
- •4.7.1. Исследование поверхности
- •4.7.2. Глубинные профили концентрации
- •4.7.3. Распределение частиц по поверхности, микроанализ и объемный анализ
- •5. Инфракрасная Фурье-спектрометрия
- •5.1. Принцип метода
- •5.2. Диапазон измеряемых значений толщины эпитаксиального слоя
- •5.3. Погрешность измерения
- •6. Эллипсометрия.
- •6.1.Эллипсометрический метод измерения толщины пленок.
- •7. Инфракрасная интерференция
- •7.1. Физические основы метода
- •7.2. Выбор спектрального диапазона и требования к параметрам подложки
- •7.3. Диапазон измеряемых толщин
- •7.4. Интерференция в видимой области спектра
- •7.5. Инфракрасная Фурье-спектрометрия
- •7.6. Принцип метода
- •7.7. Диапазон измеряемых значений толщины эпитаксиального слоя
- •7.8. Погрешность измерения
- •7.9. Измерение отклонения от плоскостности и контроль рельефа поверхности полупроводниковых пластин и структур
- •7.9.1. Отклонение от плоскостности и методы его измерения
- •7.9.2. Аппаратура для измерений отклонений от плоскостности
- •7.9.3. Погрешность измерения отклонения от плоскостности
- •7.9.4. Аппаратура для контроля рельефа полупроводниковых пластин и структур
- •Заключение
- •Библиографический список
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
2.4. Вычисление энергии связи на основе данных, полученных методом эсха
Закон сохранения энергии в случае фотоэффекта на свободном атоме можно записать в следующем виде:
= - - (2.1)
Здесь — энергия рентгеновского кванта, — энергия, необходимая для удаления электрона из атома, и — энергия отдачи. Применяя закон сохранения импульса к случаю, когда направление отдачи совпадает с направлением распространения падающего рентгеновского фотона, мы получаем максимальную величину энергии отдачи
(2.2)
Здесь М — масса атома, испытывающего отдачу, m — масса фотоэлектрона. Предполагается, что расчет может быть выполнен в нерелятивистском приближении. Максимальная энергия отдачи для некоторых элементов первой группы таблицы Менделеева, вычисленная по формуле (2.2), приведена в табл. 1. Расчет выполнен для - излучения серебра, меди и алюминия. Максимальная энергия отдачи соответствует фотоэлектронам, выбитым из валентной оболочки атома.
Таблица 1
Максимальная энергия отдачи (в электроновольтах)
|
Ag( ) |
Cu( ) |
Al( ) |
H Li Na K Rb |
16 2 0.7 0.4 0.2 |
5 0.8 0.2 0.1 0.06 |
0.9 0.1 0.04 0.02 0.01 |
В большинстве случаев эта энергия меньше 1 эВ , из наших измерениях ее можно сделать пренебрежимо малой, если соответствующим образом выбрать рентгеновское излучение. Отсюда следует, что в выражении (2.1) мы можем не рассматривать величину . Однако, измеряя экспериментально энергии связи электронов в атомах, входящих в состав твердых тел, мы должны видоизменить выражение (2.1). Соответствующая схема показана на рис. 2.6.
В пространстве между источником и входной щелью спектрометра существует небольшое электрическое поле даже в том случае, если источник и спектрометр заземлены. Это связано с тем, что заземление источника и корпуса спектрометра уравнивает их уровни Ферми. Любое различие в работе выхода для материалов, из которых изготовлены источник и спектрометр, приводит к разнице в макропотенциале, т. е. возникновению контактной разности потенциалов и электрического поля в пространстве между источником и камерой спектрометра. В результате кинетическая энергия электрона в камере спектрометра несколько отличается от той энергии, которую он имел при выходе из источника. В эксперименте мы измеряем энергию , а не . Если бы мы выбрали уровень Ферми за начало отсчета энергии связи, то закон сохранения энергии следовало бы записать в форме
= - - (2.3)
Здесь — энергия связи электрона, а — работа выхода для вещества, из которого сделан спектрометр. Следует заметить, что величина в соотношении (2.3) не зависит от материала источника; если этот материал не претерпевает никаких изменений с течением времени, то поправка на работу выхода во всех измерениях должна быть одна и та же. Уровень Ферми принимается за начало отсчета энергии связи не только в электронной, но и в рентгеновской спектроскопии.
Рис. 2.6. Схема,
поясняющая принцип определения энергии
связи из электронных спектров.
Схема на рис. 2.6 построена в предположении, что материал источника — металл. Тот же результат мы получили бы, если бы образец был неметаллическим. Однако в этом случае в образце должно присутствовать достаточно много свободных носителей заряда, чтобы можно было считать, что уровень Ферми соответствует состоянию термодинамического равновесия. Было найдено, что методом ЭСХА можно изучать не только металлы, но и диэлектрики, так как рентгеновское облучение образца создает в последних достаточно много свободных носителей заряда.