- •54 Отчетная научно-техническая
- •Получение и диэлектрические свойства твердого раствора 0,2BiLi0,5Sb0,5o3 – 0,8Na1/2Bi1/2TiO3
- •Расплавные методы получения y-втсп
- •Малые значения магнитосопротивления композитов Nix(NbmOn)100-X
- •Преподавание гражданских дисциплин в военном вузе
- •1 Вунц ввс «Военно-воздушная академия»
- •2 Фгбоу впо «Воронежский государственный технический университет»
- •Корреляция магнитосопротивления и магнитных свойств композитов Fex(NbmOn)100-X
- •Магниторезистивные свойства {[(Co41Fe39b20)33,9(SiO2)66,1]/[SiO2]}93
- •Расчет масс исходных компонентов в шихте с использованием программного комплекса «тРиМ»
- •Магниторезистивные свойства многослойной наноструктуры {[(Co41Fe39b20)33.9 (SiO2)66.1]/[In35.5y4.2o60.3]}93
- •Магнитосопротивление тонкопленочных нанокомпозитов на основе ферромагнетика и пьезоэлектрика
- •Механизмы электропроводности в аморфных тонкопленочных наногранулированных композитах (X)Ni − (1-X)pzt
- •Определение порога перколяции в аморфных тонкопленочных нанокомпозитах (X)Ni − (1-X)pzt
- •Разработка математической модели процесса захолаживания длинных криогенных трубопроводов
- •Магнитный момент в BiFeO3, легированном Ca и Nb
- •Доменный механизм диэлектрических потерь в германате свинца
- •Технология получения углеродной однонаправленной ленты аналога уол-300-2-3к
- •Технология получения препрегов на основе аналога углеродной однонаправленной ленты уол-300-2-3к и связующего эдт‑69н
- •Исследование влияния температуры на прочностные характеристики полимерных композиционных материалов на основе препрегов марок кмку и лу/п при сжатии
- •Структура и электрические свойства тонких пленок Sb0,9Bi1,1Te2,9Se - с
- •Термо-эдс композитных тонкопленочных структур Fe-Al2o3
- •Статические и динамические магнитные свойства аморфного сплава на основе железа
- •Об автоматизации объектов криогенной техники
- •Гидрохимический синтез плёночных структур на основе сульфида свинца
- •Влияние исходного состава на свойства y-втсп
- •Влияние термообработки на магнитосопротивление нанокомпозитов (CoNbTa)X(SiO2)100-X ю.С. Полубавкина, студент гр. Пф-121, о.В. Стогней
- •Структура и порог перколяции тонких плёнок Ni-Nb2o5
- •Криохимический метод синтеза y-втсп
- •Разработка установки сублимационной сушки для получения высокогомогенного прекурсора y– втсп
- •Высокочастотные магнитные свойства многослойных гетерогенных систем на основе нанокомпозитов (Co41Fe39b20)X(SiO2)100-X и (Co45Fe45Zr10)X(Al2o3)100-X
- •Разработка упрочняющих биоактивных покрытий медицинского назначения
- •1 Вунц ввс «Военно-воздушная академия»
- •2 Фгбоу впо «Воронежский государственный технический университет»
- •Влияние термообработки на структуру и электрические свойства тонких пленок на основе сульфида самария
- •Термоэлектрические свойства композита [Cu2Se]X[Cu2o]100-X
- •Синтез селенида меди
- •Механосинтез селенида меди (Cu2Se)
- •Динамика магнитного потока при проникновении в y-втсп
- •Зависимость микротвердости тонких пленок Ni – ZrO2 от режимов ионно-лучевого напыления
- •Электромеханические свойства кристалла kdp
- •54 Отчетная научно-техническая
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
Магниторезистивные свойства многослойной наноструктуры {[(Co41Fe39b20)33.9 (SiO2)66.1]/[In35.5y4.2o60.3]}93
И.В. Бабкина, К.С. Габриельс, O.В. Жилова, аспирант, А.В. Ситников
Кафедра физики твердого тела
Исследованы магниторезистивные свойства новых многослойных структур композит – полупроводник, в которых слои композита ферромагнетик – диэлектрик (Co41Fe39B20)33.9 (SiO2)66.1, находящегося в суперпарамагнитном состоянии, разделены полупроводниковой (диэлектрической) прослойкой In35.5Y4.2O60.3.
Образцы были получены ионно–лучевым методом напыления с использованием составной мишени из металлического сплава (Co41Fe39B20) с пятнадцатью равномерно распределенными на его поверхности навесками SiO2 и мишени из полупроводника сложного состава In35.5Y4.2O60.3 на вращающуюся подложку. За один оборот карусели формировались слой композита (Co41Fe39B20)33.9 (SiO2)66 и полупроводниковая прослойка In35.5Y4.2O60.3. Пленка многослойной гетерогенной структуры состояла из 93х бислоев {[(Co41Fe39B20)33.9 (SiO2)66.1]/[In35.5Y4.2O60.3]}93.
Установлено, что толщина полупроводниковой прослойки влияет на удельное сопротивление пленок. Это связано с изменением механизма электропереноса в материале. При толщине меньше 0.5 нм процесс переноса заряда определяется композитом (Co40Fe40B20)33.9(SiO2)66.1, состав которого находится до порога перколяции. При толщинах от 0.5 до 1.2 нм наблюдается перераспределение проводимости от электропереноса металл – диэлектрик – металл к каналам металл – полупроводник – металл, в результате чего удельное сопротивление уменьшается в несколько раз. При толщине > 1.2 нм в проводящих каналах металл – полупроводник – металл увеличивается толщина полупроводника, что приводит к росту сопротивления.
П осле отжига при температуре 300 0С в течение 30 минут в атмосфере водорода при давлении 7.8 Торр в многослойной гетерогенной структуре выявлен максимум на зависимостях действительной и мнимой частей комплексной магнитной проницаемости от толщины прослойки In35.5Y4.2O60.3 в диапазоне 1 – 1.5 нм, положение которого коррелирует с зависимостями электрического сопротивления образцов от толщины полупроводниковой прослойки.
П
Магниторезистивный
эффект многослойной структуры после
термической обработки при Т = 300 оС
в течение 30 мин в атмосфере водорода
при давлении 7.8 Торр при толщине
In35.5Y4.2O60.3: 0.4 нм (кривая
1) и
1.44 нм (кривая 2)
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект №13-02-97512-р_центр_а).
УДК 537.633.9
Магнитосопротивление тонкопленочных нанокомпозитов на основе ферромагнетика и пьезоэлектрика
З.Х. Граби, аспирант, С.А. Гриднев, М.А. Каширин, А.В. Калгин, докторант
Кафедра физики твердого тела
С
(1)
где R(H) – электросопротивление материала в присутствии внешнего магнитного поля напряженностью H= и R(0) – электросопротивление материала в нулевом магнитном поле.
Целью работы являлось обнаружение и объяснение закономерностей поведения магнитосопротивления в аморфных тонкопленочных наногранулированных композитах (x)Ni – (1-x)[Pb0,81Sr0,04(Na0,5Bi0,5)0,15][(Zr0,575Ti0,425)]O3 (далее (x)Ni − (1-x)PZT), полученных методом ионно-лучевого распыления.
Образцы композитов (x)Ni − (1-x)PZT имели размеры 10 мм × 3 мм × d мкм, где толщина d увеличивалась от 0,56 до 0,61 мкм с ростом х в композите от 0,23 до 0,39.
Полевые и концентрационные зависимости МС показаны на рис. 1 и 2.
|
|
Рис. 1. Зависимости ∆R/R(0) от Н= для композитов (x)Ni − (1-x)PZT при комнатной температуре |
Рис. 2. Зависимость ∆R/R(0) от x для композитов (x)Ni − (1-x)PZT при Н= = 8000 Э
|
Согласно модели туннельного магнитосопротивления, в композитах доперколяционного состава перенос заряда происходит путем туннелирования электронов через диэлектрический барьер PZT между соседними гранулами Ni с параллельными магнитными моментами. Чем больше величина Н=, тем больше соседних гранул с параллельными магнитными моментами, что соответствует росту туннельного тока, и, как следствие, росту ΔR/R(0) (рис. 1). С увеличением х в композитах ΔR/R(0) увеличивается, так как вероятность туннелирования электронов возрастает из-за уменьшения расстояния между гранулами, и становится максимальной при х, близкой к порогу перколяции. За порогом перколяции х = 0,35 все больше гранул объединяется друг с другом, что приводит к уменьшению туннельного тока, а, значит, и падению ΔR/R(0) (рис. 2).
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ по гранту № 13-02-00663.
УДК 537.312.6