книги / Проектирование источников электропитания устройств связи
..pdfувеличивается падение напряжения на нижнем плече сравниваю щего делителя. Разность напряжений, снимаемых со стабилитрона Ц\ и нижнего плеча делителя Ru, прикладывается к базе усили тельного транзистора Ту. Отрицательный потенциал на базе уси лительного транзистора Ту увеличивается, а ток базы транзистора Ту возрастает. Увеличение тока базы транзистора Ту приведет к увеличению его (коллекторного тока. Токи базы транзисторов Ti3, Тц и Тц уменьшаются, напряжения коллектор — эмиттер Та, Та, Тц возрастают, а выходное напряжение стабилизатора UВЫх умень шается до первоначального значения с определенной степенью точ ности. Принцип действия схем рис. 5.156, в аналогичен принципу действия схемы рис. 5.15а.
;В стабилизаторах (рис. 5Лба, б, в) в качестве регулирующего элемента используется составной транзистор. Он представляет со бой каскадное соединение нескольких транзисторов.
При расчетах транзисторы, входящие в составной, обычно за меняют одним транзистором с эквивалентными параметрами.
При больших напряжениях и токах нагрузки стабилизатора приходится использовать последовательное и параллельное вклю чения регулирующих транзисторов (рис. 5.16а, б). С повышением
Рис. 5.16. Схемы включения регулирующих транзисторов: о) параллельного, б) последовательного
температуры коллекторного перехода транзистора Тц, возрастает обратный коллекторный ток /ко, текущий от базы « коллектору.
При уменьшении тока нагрузки стабилизатора суммарный ток базы транзистора Тц уменьшается, а следовательно, уменьшается и ток эмиттера Та- При некотором значении тока нагрузки ток базы Тц, а следовательно, и ток эмиттера Та. станут равными нулю и нормальная работа схемы нарушается.
Для того чтобы обеспечить нормальную работу схемы при мак симальной температуре и минимальном токе нагрузки, в схему вводят резистор R3. Ток через резистор R3 при максимальной тем пературе коллекторного перехода должен быть больше разности
максимального значения /кои и величины /б и мин. Назначение ре зистора /?з аналогично.
Схема рис. б. 15а применяется, если выходное напряжение боль ше опорного. В схеме источник опорного напряжения включен в цепь эмиттера усилительного транзистора Гу. В качестве источника опорного напряжения в транзисторных стабилизаторах обычно используются одноили двухкаекадные параметрические стабили заторы на кремниевых стабилитронах (ДО-
Сравнивающий делитель состоит из резисторов Ru R2 и пе ременного резистора Ru, предназначенного для регулировки вы ходного напряжения. Для увеличения коэффициента передачи де лителя по переменной составляющей (для уменьшения пульсации) его верхнее плечо шунтируют емкостью Ci.
Схема (рис. 5.156) применяется, если выходное напряжение меньше опорного. В этой схеме минус источника опорного напря жения подключен -к плюсу -стабилизатора, а сравнивающий дели тель (Ri, Rib R2) питается от суммарного напряжения (С/Вых+
+ U o n ) .
Стабилизатор с дифференциальным усилителем постоянного тока (рис. 5.15а) используется, если выходное напряжение боль ше напряжения опорного.
В стабилизаторах с дифференциальным усилителем, в отличие от схем рис. 5.1ба, б компенсируется температурный дрейф напря жений базы — эмиттер транзисторов Ту и Т .
Кроме того, в отличие от схемы рис. 5.15а, источник опорного напряжения включен в базу транзистора 74', что позволяет умень
шить нестабильность из-за влияния динамического сопротивления опорного источника.
Напряжение питания УПТ оказывает значительное влияние на стабильность выходного напряжения. При питании УПТ непосред ственно от входного напряжения стабилизатора (точка б подклю чена к точке а рис. 5.17а) изменения напряжения U0 приводят к значительным изменениям тока коллектора усилительного тран зистора Тщччо, в свою очередь, уменьшает стабильность выходного напряжения.
В связи с этим УПТ питают от дополнительного стабилизиро ванного источника питания. В качестве такого источника широко применяются'параметрические стабилизаторы на кремниевых ста билитронах. На рис. 5.176 показана схема включения такого ис точника.
Если использование дополнительного источника для питания УПТ невозможно, например, при питании стабилизатора от акку муляторной батареи, используют схему рис. 5.17а.
В этой схеме для стабилизации тока усилителя в качестве на грузки транзистора Ту используется эмиттерный повторитель, со стоящий из транзистора Г2 и резистора R '3. Так как выходное на
пряжение эмиттерного повторителя равно напряжению -стабили-
тр он а Д 3 |
и |
м а л о за в и си т от |
и зм ен ен и я н а п р я ж ен и я |
£У0, то |
ток |
эм и т т ер а |
Г2, |
а с л е д о в а т е л ь н о , |
и ток к о л л ек т о р а Г2 |
т а к ж е |
м а л о |
за в и с я т о т и зм ен ен и я в х о д н о г о н а п р я ж е н и я с т а б и л и з а т о р а U Q.
ил
'О
Рис. 5.17. Схемы (питания усиди - теля постоянного тока:
а) со входа ставший затора; б) от дополнительного источника; в) со входа стабилизатора :(в качестве напрузки Ту используется эмитгтe/piHый повтори тел ь)
Расчет транзисторных стабилизаторов напряжения. Исходные данные для расчета: Ui(e) — напряжение питающей сети; 1(гц) —
частота тока сети; амакс, бмнн — величины относительных отклоне |
|||||
ний напряжения сети как в сторону увеличения, так и в сторону |
|||||
уменьшения; UВых(в) — номинальное |
значение выходного |
напря |
|||
жения стабилизатора; |
Uвыхмакс(в), и выхмин(б) — пределы |
регули |
|||
ровки выходного напряжения стабилизатора; / Нм акс(а), /н м и н (а) — |
|||||
максимальный и минимальный токи |
нагрузки стабилизатора; |
||||
Кст — коэффициент |
стабилизации |
по |
входному |
напряжению; |
|
гi(ом) — внутреннее |
сопротивление |
стабилизатора; |
1/вЫх~(в) — |
амплитуда пульсации выходного напряжения стабилизатора; А>крмакс(°'С), /окр мин(°С)пределы изменения температуры окру
жающей среды; |
у(мв1°С) — температурный коэффициент стабили |
затора; г) — кпд |
стабилизатора. |
Р а с ч е т с и л о в о й ч а с т и ст а б и л и з а т о р а. 1. На осно |
вании исходных данных выбираем ту или иную схему стабили затора.
2. Определим минимальное, номинальное и максимальное на
пряжения на входе |
стабилизатора Uомип, |
Uо, |
макс-1 Величину у |
UOMUH определяем при максимальном напряжении на выходе ста |
|||
билизатора 0 рых макс |
и при максимальном |
токе |
через .регулирую |
щий транзистор Та: |
|
|
|
/ вн — ток, потребляемый |
схемой стабилизатора, |
равный (0,0\ |
н макс* |
|
|
" о МИН ^ |
вых.макс |
(.5.30 |
10
где U0~ — амплитуда пульсации на входе стабилизатора: «*|(0,05-Т-0,1)'(£/Вых мако+ t/кэ11 мин); UK3 ц мин= 1,5—г-2 в ДЛЯ Г©рМЭниевых транзисторов и 4-ь8 в для кремниевых транзисторов.
Если коллекторной нагрузкой усилителя является эмиттерный повторитель (см. рис. 5.17в), то, выбрав ориентировочно тип диода
или стабилитрона Д 3 |
и их количество, можно определить мини |
||
мальное напряжение |
UKэишш |
из .выражения |
UHэ 11 МНИ — |
= ядз^дз макс + (12-т-3) |
в, где Пдз — число диодов Дз, |
включенных |
|
последовательно. |
|
|
|
Номинальное и максимальное значения напряжения на входе |
|||
стабилизатора определяются из выражений: |
|
||
|
^о = ^омин/(1—оМШ1); |
(5.31) |
|
|
^ом акс = ^ о ( 1 |
+ « м.кс)- |
(5.32) |
3. Найдем максимальное напряжение на входе стабилизатора макс макс при минимальном токе нагрузки / кмин и определим
максимальное напряжение коллектор — эмиттер транзистора Тц —
Uкз 11 макс*
макс макс — ^0макс "Ь н.макс |
^н.мин) Г0; |
(5 .3 3 ) |
U к .эП макс = U Q макс макс |
^вых.мин- |
(5 .3 4 ) |
■Величину внутреннего сопротивления выпрямителя /о можно принять ориентировочно равной"(0,05-н0,1)£/о//нмакс-
4. Величину максимальной мощности, рассеиваемой на регули рующем транзисторе Тц—Ркнмакс, найдем из выражения
Рк И макс = V o макс ^пых.мин) / к ц макс- |
(5 .35) |
5. |
По данным t/кэи макс, |
/к и макс, Рк и макс из справочника |
или |
из приложения 05.3 выбираем тип регулирующего транзистора. |
|||
При |
выборе регулирующего |
транзистора необходимо учесть, |
что |
расчетные величины t/кэИмакс, /к Н макс и Рк 11 макс должны быть меньше предельных значений, указанных в справочнике. Опреде ляем величину предельной мощности, которую может рассеять вы бранный транзистор без радиатора:
|
|
^пред = (^п.макс |
Ажр.макс)/7?/> |
|
(5.36) |
где |
Ах маке (°С)— максимальная температура коллекторного |
пере |
|||
хода |
(табл. 5.3); |
A>Kp макс(0|С )— максимальная температура |
окру |
||
жающей оредь-.; |
Rt= (PtK+RtKc) (°С/вт) — тепловое |
сопротивление |
|||
транзистора; $ш(0С/вт) — тепловое |
сопротивление |
переход— кор |
|||
пус; /?1кс(°С/$г) — тепловое сопротивление корпус— среда. |
радиа |
||||
Если величина Рк н м а к с > Я пред1 |
необходимо применить |
тор. Зная тип/транзистора Тп и величину его максимальной мощ ности Рк и макс, выбираем стандартный радиатор по тепловым ха рактеристикам, приведенным в приложении.
|
Определение |
величин Rtlu '#<к с, tn макс |
|
|
Тип транзистора |
Rt к °С/впг |
Rt =(Rt к+ |
Максимальная мощность, рас |
*п.макс |
|
+ Rt кс> °C/am сеиваемая без теплоотвода, впг |
°С |
||
П209, П210 |
1,0 |
30 |
2 ,9 —0,033/окр |
85 |
П4, П216, П217 |
2,0 |
36 |
2 .4 —0,028/окр |
85 |
П201—П203, |
3,5 |
80 |
|
85 |
П214, П215. |
1,06—0,0125/окр |
|||
IT403 |
15,0 |
100 |
0,85—0 ,0П окр |
85 |
МП25, МП26 |
— |
200 |
(375-5<окр)10_ 3 |
75 |
МП13—МП16 |
|
200 |
(425—5^окр) -10 —3 |
85 |
МП35—МП38 |
|
200 |
(425—5#окР) 10—3 |
85 |
МП39—МП42 |
|
200 |
(425—5/окр) • 10—3 |
85 |
Теплоная |
хара,ктер1И'От1и.ка |
|
|||||||
рис. |
5.18 |
представляет |
собой |
|
|||||
заыис‘И1МОсть |
|
ма:коимальной |
|
||||||
мощности,- рассеиваемой |
тран |
|
|||||||
зистором, |
от |
температуры ок |
|
||||||
ружающей |
среды. |
Температу |
|
||||||
ра коллекторного |
перехода в |
|
|||||||
любой точке |
хар актеристаки |
|
|||||||
ра<вна |
предельно |
допустимой |
|
||||||
«личине tnмакС. |
|
|
|
||||||
При |
выборе |
радиатора не |
|
||||||
обходимо, |
чтобы при темпера |
|
|||||||
туре |
^окр макс + |
(0,1 -J-0,2) tnмакс |
|
||||||
мощность, (Которую может рас |
|
||||||||
сеять тра«зистО|р с дайным ра |
|
||||||||
диатором Яфак, была равна или |
Рис. 5.18. Тепловая характеристика |
||||||||
больше |
Як и макс. |
'В этом |
слу |
||||||
транзистора с радиаторам |
|||||||||
чае |
температура |
коллекторно |
|
||||||
го перехода |
Тц |
будет меньше предельно допустимой температуры |
tn макс-
Если Тц ,не проходит по току или мощности ни с одним радиа тором, указанным в приложении П6, необходимо использовать параллельное включение транзисторов (см. рис. 5.16а). При парал лельном включении транзисторов для выравнивания токов в эмит
теры Тц, Тц включают резисторы ЯеВеличина Яб=(0,5-г- -г-1)лпар//кимакс, где «пар — число параллельно включенных тран зисторов. В качестве Яб необходимо использовать точные резисто ры с допуском .не более 2%, например резисторы типа ПТМК или типа УЛИ.
Если Т ц не проходит по максимальному напряжению коллек тор—эмиттер, необходимо использовать последовательное включе ние двух или нескольких транзисторов (см. рис. 5.166). Для сим метрии коллекторных напряжений транзисторы шунтируются дели телем, состоящим из резисторов R. 'Величину сопротивления рези
стора |
R можно определить |
из неравенства R< U Kэ н макс/2Д с, где |
/б с — ток базы составного транзистора. |
||
На |
рис. 5.166 ток базы |
составного транзистора /б c = h 22= h ч- |
Ориентировочно принимаем h с^ОДч-О.б ма. При параллельном
'включении |
(регулирующих транзисторов небоходймо увеличить |
|
Uо мин |
на |
величину падения напряжения на сопротивлении |
Д б - и |
Вб(и Вб= /к и максЯбМпарПри этом необходимо пересчитать ве |
личины Uo, г/омакс Uк и макс и проверить, не превышает ли £/к mi маь-<- предельной величины, указанной в справочнике для выбранных
транзисторов Т ц и Т и. При последовательном соединении также необходимо пересчитать-величины £/омин, Uo, Романс, учитывая, что Uoмин увеличивается на и кэц тт. При параллельном и (последова тельном включениях транзисторов радиатор выбирается на мощ ность Ркимакс/n, где п — число транзисторов, включенных парал лельно или последовательно.
6. Зная входные напряжения стабилизатора Uaym„, Uo, f/омакс. максимальный и минимальный токи, /о—Л< и макс, /о мин=Д мин, по требляемые стабилизатором от выпрямителя, и пульсацию на входе стабилизатора t/o~, произведем расчет выпрямителя по ме тодике, изложенной в гл. 3. Из расчета определим величину его внутреннего сопротивления г0. Из .выражений (5.33), (5.34) уточ ним величины Uoмакс макс И t/цоН макс-
7. Количество транзисторов, входящих в составной, зависит от максимальной величины тока транзистора Т ц — /к и макс и тока коллектора Ту — / ку. Их число должно быть таким, чтобы ток базы составного транзистора /бс был на порядок меньше тока коллектора усилительного транзистора /ку. Так как в качестве Ту
используются маломощные транзисторы и |
величина |
тока |
/ку= |
|
= 2ч-5 ма, то соответственно |
ток h e |
должен |
быть |
равен |
(0,2-f-0,5) ма. |
определим: |
|
|
|
Для выбора транзистора Ti2 |
|
|
|
минимальный и максимальный токи базы транзистора Тц:
где лПар — число транзисторов Т ц , |
.включенных |
параллельно; |
До и макс — обратный ток коллектора |
транзистора |
Т ц при макси |
мальной температуре коллекторного перехода; |
|
|
величину сопротивления резистора R3: |
|
максимальное значение тока эмиттера транзистора:
Iэ 12 макс = /б 11 макс |
^вых.макс |
|
(5.40) |
||
Яз |
; |
||||
|
|
|
|||
максимальное напряжение |
коллектор — эмиттер |
транзисто- |
|||
pa Ti2: |
|
|
|
|
|
t /к .э 12 макс |
^ к . э 11 макс I |
|
|
максимальную величину мощности, рассеиваемую транзисто ром Т12-*
Як 12 макс = , ^к 12 макс ^ к . э 12 макс • |
(5.41) |
По величинам /к 12 макс585Лиг макс* Л^кэ12макс^ |
Яи 12 макс выбираем |
из справочника тип транзистора Тi2. При последовательном соеди нении регулирующих транзисторов (см. рис. 5.166) расчет коли чества транзисторов, входящих в составной, ведут .на одну группу (Тн, Ti2). Ток через резистор Rb—Im равен току /д3.
Сопротивление резистора /?4 (см. рис. 5.166) определяется из выражения (UBUXМип+ ^кэ имин)//д4.
Из (5.36) определяем предельную величину мощности Япред, ко торую может рассеять транзистор Ti2 без радиатора «при Лшрмакс-
Если |
Рн 12макс> ЯПред, необходимо |
выбрать |
радиатор, так как |
это |
||||||||||
показано в п. 5 (см. стр. |
104). При |
Яи 12макс<ЯПред транзистор |
Тi2 |
|||||||||||
устанавливается без радиатора. |
|
|
|
|
|
|
||||||||
Найдем максимальный и минимальный токи базы транзистора |
||||||||||||||
Т12 |
Яб 12 макс> |
|
12 мин! |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
/■б 12 макс |
|
*э 12 |
макс |
Iб 12 МИН |
|
ун.мин |
|
|
иш |
(5.42) |
||||
|
Р1 2 |
мин |
Р и макс Р12 макс |
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
Если величина /б 12мадс> (0,3-т-0,б) ма, |
увеличиваем число тран |
|||||||||||||
зисторов, входящих в составной, до |
трех. |
|
|
|
|
|
||||||||
Для выбора транзистора Tiз необходимо определить ток через |
||||||||||||||
резистор |
R3—I R 3 , |
величину |
сопротивления |
резистора |
R3 |
ток |
||||||||
7э 13 макс, |
напряжение (Л; о 13 макс И Рк 13 макс. |
|
|
|
|
|
||||||||
Ток |
через |
|
резистор / из определяем из |
(3.38), подставляя вме |
||||||||||
сто / ко и макс, |
7 б 11 мин, |
Опар it величины /к0 12мдкс, |
/б 12 мяв, Опар 12- Вели |
|||||||||||
чину R3 определяем из (5-39), подставляя |
вместо /д3 величину I Rз. |
|||||||||||||
Ток |
/э1змакс |
найдем |
из |
(5.40), подставляя |
вместо /« и макс и |
R3 |
||||||||
соответственно /б12макс И |
R3' |
Напряжение |
(Лг э 13макс~^кз12 м акс~ |
|||||||||||
** Uкэ 11 макс- |
Величину мощности Р К 1змакс |
определим из |
(5 .4 1 ) , |
за |
||||||||||
меняя /к 12 макс Н Uко 12 макс ИЗ /к 13 макс, ^ к а 13 макс- |
выбираем |
|||||||||||||
По |
величинам /э 13 макс ^ I « I S макс, (/к а 13 макс, ^к 13 макс |
|||||||||||||
тип транзистора Г13. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
Из |
(5.36) |
|
определяем Р Пред и проверяем, выполняется ли нера |
венство Рпред> At 13 макс. Если это неравенство не выполняется, вы бираем более мощный транзистор.
Определяем максимальный ток базы транзистора Тп — Лиз макс-'
Iб 13 макс ^ А 13 макс/PlSмин-
Если величина h 13макс^ (0,34-0,5) на, то количество транзи
сторов, входящих в составной, равно трем. |
п о с т о я н |
||
Р а с ч е т |
схем с р а в н е н и я |
и у с и л и т е л я |
|
ного тока . |
1. Выбираем тип схемы сравнения и определяем ве |
||
личину опорного напряжения для схемы рис. 5.15а и в: |
|
||
|
U0n ^ ^вых.мин |
(2—3) в. |
(5.43) |
Для схемы рис. 5.16б величина опорного напряжения может быть как больше, так и меньше выходного напряжения.
Определив величину опорного напряжения из приложения П5.2 или из справочника, выбираем тип кремниевого стабилитрона Mt и определяем его основные параметры: гц(ом) — динамическое со противление; UcTiMm(e), Ucт 1макс(в) — минимальное и макси мальное значения напряжения стабилизации; уСт 1макс(лш/°С) — максимальный температурный коэффициент; минимальный и мак симальный ТОКИ через стабилитрон— Амин, А максС-Ма).
В схеме рис. 5.15в желательно использовать стабилитроны с малым температурным дрейфом (типа Д818), так как в данной схеме температурный уход напряжений база — эмиттер транзисто
ров Т7, Ту скомпенсирован.
В схемах рис. 5.15 возможно последовательное включение ста билитронов. В этом случае Uст увеличиваются в п раз, где п — число стабилитронов, включенных последовательно.
2. Задаемся максимальным током коллектора усилительного транзистора Гу: /Кумакс~|('2-;-5) ма. В схеме рис. 5.15в токи кол
лектора Гу и Гу должны быть одинаковы: /Ку=Аку= (2-Н5) ма. Определяем максимальное напряжение коллектор — эмиттер
транзистора Гу; для схемы рис. 5.15а
^к.э.у.макс ^ ^вых.макс ^AT I MHH
для схемы рис. 5.156
(5.44)
^ к . 9.у.макс ^ ^вы
для схемы рис. 5.15в
и |
к.э.у.макс |
=11' |
« и |
вых.макс |
— U„ 1UHH |
|
к.э. у.макс |
|
CTIMHH |
Определяем максимальную мощность, рассеиваемую транзис тором Гу:
|
Рк.у.макс = А.у.макс ^к.э.у.макс. |
(5.45) |
|
Для |
схемы рис. б.15в |
Л<у макс= ^'кумакс- |
По величинам |
А умакс, |
Uкэу макс, Рк умакс из |
приложений П5.3, П5.4 или из спра |
вочника выбираем тип транзистора Гу. В схеме рис. 5.15в транзи
сторы 7У и Ту выбираются одного типа. В качестве Гу обычно ис пользуют маломощные транзисторы с максимальной мощностью
рассеивания |
(150-7-200) мет. |
|
для |
выбранного |
типа |
Из (5.36) |
определяем величину ЯПред |
||||
транзистора. |
Расчетная величина Л<умакс должна быть меньше |
||||
R пред- |
сопротивления резистора |
|
для схем рис. 5.15 при |
||
Величина |
R y |
||||
питании усилителя постоянного тока |
по |
схеме |
рис. 5.176 |
равна |
(5-ь 10) ком (13].
При питании усилителя постоянного тока по схеме рис. 5.17а
величина |
R y определяется из выражения R y ~ U K3i i макс/Л< умакс- |
|
Величину |
сопротивления резистора в цепи эмиттеров Ту, |
Ту (см. |
рис. 5.15в) |
найдем из выражения |
|
|
Я э « ^ с т 1 м и „ / 2 / к . у .макс* |
(5.46) |
3. При питании усилителя по схеме рис. 5.17в необходимо рас считать эмиттерный повторитель, состоящий из транзистора Г* резисторов R K , R 3 и диода Д 3. Диод Д з выбираем, исходя из ми нимальной величины напряжения UKaiimm- Напряжение диода Uдз должно быть меньше t/кэнмип на 2-ьЗ в. По величине напря
жения £/д3 выбираем тип диода |
Д 3. В качестве диода Д з |
можно |
|||
использовать стабилитроны, |
включенные как в прямом, |
так и |
|||
в обратном 'Налра^лениях, либо обычные |
|
||||
диоды, имеющие вольтампериые характе- |
|
||||
piiicTiHKiH, |
близине |
к стабилитронам (нап- |
|
||
•ри-мер, Д226). |
|
|
опреде |
|
|
Сопротивление резистора |
R rз |
|
|||
ляем из |
следующего .выражения: |
|
|
||
Rr3 ^ |
№ 0 мин |
^ДЗ )//д 3мши |
|
(5.47) |
|
где I дзмин— минимальный тон диода' Дз, определяется из характеристик рис. 5.19.
Определяем сопротивление резисто
ра R '3'.'
К = [^дз-(0,2 -0,5)]//кумакс. |
(5.48) |
Рис. 6.19. Вортьтамтерная ха рактеристика диода
Транзистор Тг выбираем, исходя из следующих величин:
2 макс = ^к.у.макс> |
^ к .э 2 макс ~ ^ к .э 11 макс |
^Д3> |
Р к 2 макс = |
^ к . э 2 макс ^к 2 макс* |
|
Выбрав транзистор Т& необходимо проверить, будет ли выпол
няться неравенство ^кгмакс^С-Рпред, где ^пред определяется из вы ражения (5.36) для выбранного типа транзистора.
4. Сопротивление резисторов Rr1 для схем рис. 5.15а, в найдем из выражения
Р г1 ^ (^вых.мин ^ с т 1 макс)/^ст 1 мин» (5.49)
109
где / cTiMira — ток больший или равный минимальному току через стабилитрон — Л мии-
Определив величину /?гь необходимо найти максимальный ток через стабилитрон Д i и убедиться, что его величина не превышает предельно допустимого значения:
для схемы рис. 5.15 а
Г |
^вых.макс |
^СТ 1 мин |
■ г |
<< |
/ с т 1 м а к с = ---------------- ~------------------ |
l- iK .y .M a K c ^ 'l,макс |
для схемы рис. 5.15 в |
(5.50) |
|
|
||
|
^вых.макс |
^ст 1 мин |
^ст 1 макс |
Лп |
< /:1 макс |
|
|
|
Для схемы рис. 5.156 |
сопротивление резистора Rri опреде |
ляется из выражений параграфа 5.2 (расчет параметрических ста билизаторов).
Исходными данными для расчета параметрического стабилиза тора (Rru ДО являются: величина опорного напряжения; ток на грузки стабилизатора, равный току сравнивающего делителя (/дел=6-5-10 ма), и коэффициент стабилизации параметрического стабилизатора Астоп, на порядок больший, чем КСтосновного ста билизатора.
5. При питании усилителя по схеме рис. 5.176 необходимо опре делить величину напряжения дополнительного источника питания
и рассчитать его: £/пу~ (7кум а к с + / б c)Ry, |
где |
/ б с |
— ток базы |
|||
•составного регулирующего транзистора. |
тип |
стабилитрона |
Дг |
|||
По величине |
напряжения £/пу |
выбираем |
||||
и рассчитываем |
параметрический |
стабилизатор |
по |
формулам |
из |
параграфа 5.2. При расчете необходимо учесть, что ток нагрузки параметрического стабилизатора равен / к у м а к с + /б с . В результате расчета параметрических стабилизаторов опорного напряжения и напряжения £/пу получим необходимые величины для расчета их
выпрямителей. |
током делителя / дел. Принимаем |
для всех схем |
||||
6. Задаемся |
||||||
стабилизаторов / Де л = |
(5-МО) ма. Определим максимальный и ми |
|||||
нимальный коэффициенты передачи делителя: |
|
|||||
для схемы |
рис. |
5.15 а, в |
|
^ |
||
^СТ 1 МИН |
. |
^ |
|
__^СТ 1 |
|
|
*мин // |
» |
^макс |
л |
|
|
|
^вых.макс |
|
|
'-'вых.мин |
|
(5.51) |
|
для схемы рис. 5.15 б |
|
|||||
Ur |
|
|||||
_______ЧсХ1 мин |
|
^МЯКС ' и„ |
|
|||
и. |
. + Uс |
|
, + Uc |
|
«Найдем сопротивления делителя. Суммарное сопротивление де лителя Ядел равно: