книги / Проектирование источников электропитания устройств связи
..pdfиш
|
Ядел |
1 |
Дел |
|
|
|
|
(5.52) |
||
|
|
|
|
|
|
|||||
для схемы рис. 5.15 б |
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
Яде |
б' |
|
|
I + |
L'c |
|
|
|
|
|
|
|
|
^Дел |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Сопротивление |
нижнего |
|
плеча |
делителя |
Яг |
для |
схем |
|||
рис. 5.15а, б, в |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(5.53) |
|
|
Я ‘2 |
^ |
®МИН Ядсл * |
|
|
||||
Сопротивление |
верхнего |
|
|
плеча |
делителя |
Ri |
для |
схем |
||
рис. 5.15а, б, в |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(5.54) |
|
|
Ях ^ |
|
(1 |
а макс) Ядел* |
|
|
|||
Переменное сопротивление определим из выражения |
|
|
||||||||
|
|
Я п ^ |
|
Ядел |
Я г |
Ях» |
|
|
(5.55) |
Рассчитав сопротивления /?i, R2, Яп, из справочника выбираем резисторы с ближайшими меньшими номиналами для Rif R2 и бли жайшими большими для Rn.
Иногда параллельно верхнему плечу делителя для уменьшения пульсации на выходе стабилизатора включается емкость Ci. Вели чина емкости конденсатора С\ выбирается так же, как и в стаби лизаторах на электронных лампах.
Р а с ч е т т е р м о к о м п е н с а ц и и . Из [12] известно, что>тем пературный уход выходного напряжения полупроводниковых ста билизаторов зависит в основном от температурных коэффициентов стабилитрона уст и перехода база—эмиттер усилительного тран зистора убу.
Для компенсации изменения выходного напряжения стабили затора от температуры в одно из плеч делителя включают диоды или кремниевые стабилитроны в прямом направлении (см. рис. 5.15,
диоды Дк) • Расчет температурной компенсации сводится к выбору типа
иопределению числа компенсирующих диодов.
1.Определяем максимальное ус-пмакс, номинальное уСт1 и ми нимальное у Ст 1 мин значения температурного коэффициента стаби литрона Mi. Величина уст i макс (мв/°С) — наибольший температур ный коэффициент стабилитрона—определяется из справочника:
Уст1= [2 + 1,25 (UCTi —6)],
YCTI MHH— [ 2 + 1 ,25 (^ст 1мин |
0,5, ГДе |
( U cr 1макс"Ь^Л:т 1мин)/2» |
|
Находим максимальный температурный коэффициент стабили |
|||
затора умакс при отсутствии термокомпенсирующих диодов: |
|
||
для схемы рис. 5.1ба |
|
|
|
£/вых [Уст 1 макс + Тб.у.мин (макс) 1 . |
(5.56) |
||
Тмакс = |
VcУст 1 макс |
|
|
|
|
и,ст 1 макс |
^ст 1 макс) |
|
| Уст х макс ^1 ' |
) + Тб.у.мин (макс) j (^вых + |
|
^вых Ч~ Ucт 1 макс) |
|
|
Yuaicc |
U* |
|
|
(5.57) |
|
для схемы рис. 5.15в |
|
|
|
/С с о \ |
|
^вых (YCT 1 макс |
Ye.yMaKC (мнн) “I” Ye.y .мин (макс) |
|
Умакс = -----------------------------------Г,----------------------------------------------- |
1 ° -0 0 ; |
|
|
и ст1 макс |
|
В выражениях (5.56), (5.58) ув у макс, убумип— соответственно максимальный и минимальный температурные коэффициенты пе рехода база —эмиттер усилительного транзистора. iB (5.56) —(5.58) выражения в скобках относятся к случаю, когда температурный коэффициент стабилитрона Д\ отрицательный.
Для германиевых маломощных транзисторов уву= — (1,9-4- -4-2,5) мв/°С, т. е. увмакс= —2,5 мв/°С-, убумин= 1,9 мв/ <С.
Если лолученное значение температурного коэффициента боль ше заданного и положительно, то для термокомпенсации в верх
нее плечо делителя включаем компенсирующие диоды. |
Д к |
|
2. Для определения количества компенсирующих диодов |
||
предварительно уточним величину тока делителя /дел- |
|
|
для схем рис. 5.15а, в /дел= UъыД(Ri+Ru+Rz) ; |
|
|
ДЛЯ СХеМЫ рИС. 5.156 /д е л = ( £ /вых+ £ / ст1 ) /( # 1 + |
Я п + /?2). |
5.5 |
Выбираем тип 'компенсирующего диода и из |
графика рис. |
определяем величину его температурного коэффициента ук при токе, равном /д СЛ-
Определяем количество NKкомпенсирующих диодов Д к:
с 1 с |
д7 |
(YCT l+ Y 6 .y ) б'вых |
|
|
|||
для схемы рис. 5.1ба |
NK= |
— |
|
— |
-------- |
|
|
|
|
|
|
^ст 1 YK |
|
|
|
|
|
|
|
|
Uст1 |
(^СТ 1 + ^вых) |
|
|
YCT 1 1 1 |
|
~) + Уб-у] |
||||
для схемы рис. 5.156NK= |
|
|
^BUIX+J/CT |
|
|
||
|
|
|
YK ^ ст 1 |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
для схемы рис. 5.15e |
NK= 'Уст 1 ^в— . |
|
|
|
|||
|
|
YK ^CTI |
компенсирующих |
диодов. |
|||
Выбираем ближайшее целое |
число |
||||||
3. Определим наибольшую |
величину температурного |
коэффи |
циента стабилизатора при наличии термокомпенсации, считая, что компенсационные диоды имеют разброс, равный ±0,1 жв/°С[13]:
для схемы рис. 5.15а
_ |
^ ВЫХ (^ст 1 МгкС |
7б у.мнн) , |
А, |
|
Умакс к |
ц |
-f-/V KYK.MIIH’, |
|
|
|
L/ CT 1 макс |
|
|
|
•для схемы рис. 5.156 |
|
|
|
|
[ YCT 1 макс ( l ~ ~ |
~~~Г. “ |
] + Тб.у.мин! (^вых + ^ сп макс) |
I |
|
__ L__________\_____ с/вых ~г Uс.т 1 макс |
/_________ |
J____________ |
У м ако I
^вых
+ A^kY K.МИН)
|
|
^вых (YCT 1 макс |
Y6.y.MaKC + Уб.у .мин) |
WKYK. |
|
||||||
|
Умакс к — |
|
V e i l макс |
|
|
|
|
||||
где YKMHH=YK+0,1 мв/°С. |
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
Определим .наименьшую величину температурного коэффициен |
||||||||||
та стабилизатора при наличии термокомпенсации: |
|
|
|||||||||
|
для схемы рис. 5.15а |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
__ U m x (Уст 1 мин “f" уб.у.макс) |
, |
м |
|
|
|
||||
|
Тмин к1 ---------------------77----------------------------- г /VK ук . макс » |
|
|
||||||||
|
для схемы рис. 5.156 |
и ст 1 мин |
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
| \ ’ст 1 мин 1 |
г7 |
Уел. |
) + Y6.y.макс] (^вых + |
^ с п мин) |
||||||
|
С^ |
п |
|||||||||
Yмин к |
|
^вых ~Г и ст 1 мин |
/___________ J_____________________ |_ |
||||||||
|
|
|
^вых |
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
для схемы рис. 5.15в |
~)~ А/к Ук.макс! |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
^ BWX [YCT 1 |
мин |
Ye.y.MHH + |
Уб.у.макс] |
|
NKyK.макс* |
|
|||
|
YMHHк |
|
^ст 1 мни |
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
Выбрав тип и количество компенсационных диодов Д к, |
необхо |
|||||||||
димо пересчитать величины |
сопротивлений |
резисторов делителя |
|||||||||
Ri, Rm Rz по выражениям, приведенным в п. 6 (ом. стр. ПО). |
|||||||||||
|
При пересчете в формулы п. 6 необходимо подставлять вме |
||||||||||
сто |
Uвых макс |
( U вых макс |
N KU K) , а вместо |
U Bых МИН |
( U ВЫХ МИН |
||||||
- N |
KU K). |
|
|
одном диоде Д « |
при токе, равном /д ел . |
||||||
|
UK— напряжение на |
||||||||||
•Величина U K определяется по вольтамперным характеристикам Д к |
|||||||||||
из справочника. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
О п р е д е л е н и е о с н о в н ых п а р а м е т р о в с т а б и л и |
||||||||||
з а т о р о в . |
1. Определение |
коэффициента |
стабилизации |
и внут |
|||||||
реннего сопротивления: |
|
|
|
питается |
|
от входного |
напря |
||||
|
а) Усилитель постоянного тока |
|
жения стабилизатора. При питании усилителя постоянного тока по схеме рис. 5.17а коэффициент стабилизации и внутреннее сопро тивление для всех схем рис. 5.15 определяются из выражений:
|
Кс. |
Ку Ир ОСЛпосл |
J /вых |
|
|
|
1 "Ь Ь Рр ППОСЛ |
Uо |
(5.59) |
||
|
|
||||
|
|
1 |
|
|
|
Г1 |
|
|
|
|
|
SpКу otпвар |
|
|
|||
|
|
|
|||
где р — коэффициент усиления |
составного регулирующего тран |
||||
зистора по напряжению, рр= |
к э11 при /ки= const;. К у — коэффи- |
Аиб.э.с
циент усиления усилителя постоянного тока; а — коэффициент пе
редачи делителя; b — коэффициент, равный •— —— (гку — сопро-
гку Ф °у
—
Параметр
Коэффициент усиления по напряжению составного ре гулирующего транзистора fip
Крутизна составного регу лирующего транзистора 5 Р
Входное сопротивление со ставного регулирующего тран зистора # вх с
Т А Б Л И Ц А 5.4
Определение величин |хр, *SP, RBXс
Количество транзисторов, входящих в составной
1 |
2 |
|
Ни |
М11И12 |
_ . Цц |
|
Mil + Ml2 |
|
5ц |
5 ц |
|
1 + SURб |
1 + SuRe |
|
Rbx 12+ |
(RBXII + |
Римин) X |
(*ВХ11 “Ь Римин ^б) |
X Pl2MHH |
|
^пар |
|
^пар
3
HllMl2Hl3
11ц
М11М12 + М12М13 *г М11М13
5 ц
1 + SHRQ
RBX13 "f* RBX12Р1ЗМИН “Ь + (*BX11 “Ь Re Римин) х
X P l2 MHHpl3 MHH
^пар
|
П р и м |
е ч а н и с. ДиРиРи — коэффициенты усиления по напряжению транзисторов Ти, Тi=, Tl2; |
^вх1Г ^вхМ2’ ^вх13 — входные со- |
|||||
противления |
транзисторов |
(составного, Ги, Гц, Т|3), включенных |
по |
'хеме с общим эмиттером; Sp, |
SJJ — крутизна |
составного транзистора |
||
и |
транзистора |
Тм\ |
минимальный коэффициент усиления |
по |
току транзистора, включенного |
по схеме с общим |
эмиттером; лпар — чи |
|
сло |
параллельно |
включенных регулирующих транзисторов. |
|
|
|
|
тивление коллектора Ту в схеме с общим эмиттером); паосЛ — число регулирующих транзисторов, включенных последовательно; ппар — число регулирующих транзисторов, включенных параллель
но; |
5Р — крутизна регулирующего транзистора: 5р=Д /кц/Д£/бэс |
при |
i/Kii=const. |
Коэффициент усиления составного регулирующего транзистора цр, крутизна 5Р и входное сопротивление RBXC определяются из выражений, приведенных в табл. 5.4.
|
|
Рее. |
5.20. |
Определение |
ц по характеристикам |
транзистора |
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
1*6 = / (Мб.э)t |
|
|
р, = |
д у |
/к = const |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
б. э |
|
|
|
|
|
|
мо |
Для определения р.Р необходи |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
найти |
коэффициенты |
|
усиле |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
ния транзисторов, входящих в со |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
ставной |
(рц, |
ц12, |
раз), или |
знать |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
их параметры |
(га, гэ, |
rK, Р) |
в схе |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
ме с общим эмиттером. Значения |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
Гб, гв, гк, р определяются из спра |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
вочника. |
Коэффициент усиления |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
транзистора ц 'можно определить |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
графически |
по |
входным и |
кол |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
лекторным |
характеристикам, |
как |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
это |
показано на рис. 5.20. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
По входным |
характеристикам |
|
|
|
|
|
RBJ. по |
|||||||||
также .можно определить величи |
Ряс. |
5.21. |
Определение |
||||||||||||||
ну |
входного сопротивления тран |
характеристике транзистора |
io— |
||||||||||||||
зистора Rax (рис. 5.21). На рис. |
= /(ыо. э): Лех |
^вх ”Ь ^вх |
|
||||||||||||||
5.21 |
RBx |
берется |
как |
среднее |
2 |
|
~~ |
||||||||||
арифметическое |
от |
R 1Х, |
найден |
|
< |
, |
ДМ |
1 |
|
||||||||
ного |
при |
С/к = 0, и R вх >найденно |
|
|
|
|
|||||||||||
го |
при и кФ 0. |
Определив |
вход |
|
V |
Д /б |
г |
д / б / |
2 |
|
|||||||
|
1соста'в1ной, |
|
|
||||||||||||||
ные |
сопротивления |
транзисторов, |
входящих |
в |
м о ж н о |
||||||||||||
из формул табл. 5.4 определить его .входное сопротивление. |
|
||||||||||||||||
|
Крутизна транзистора S определяется по коллекторным и вход |
||||||||||||||||
ным характеристикам рис. 6.22. Зная крутизну транзистора |
Тц — |
||||||||||||||||
За, можно определить Sp из табл. 5.4. |
|
|
|
|
|
|
Коэффициент усиления усилителя Лу и коэффициент передачи делителя для схем рис. 5.15а, б, в определяются из выражений, приведенных в табл. 5.5. Б выражениях, приведенных в табл. 5.5, Rnxy и Sy, можно определить из характеристик транзистора Ту, как это показа,но на рис. 5.21 и 5.22.
Рис. 5.22. Определение |
5 |
по характера стопкам транзистора |
||
iK=f(uK): |
S |
А /, |
Uк = const; |
Uк1 = |
д-77---- (При |
°и б . 9
=Uo—UBUx при определении 5ц; UKi = UBbix—UcT i при
|
определении |
5 У |
для |
схемы |
рис. |
5.1ба, в; |
UUi= UBUX при |
|
||||||||||||
|
определении |
5 У для |
схемы |
рис. б.156 |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
Определение |
величин Ку, а |
|
|
|
|
Т А Б Л И Ц А |
5.5 |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
С х е м а с т а б и л и з а т о р а |
|
|
|
|||||||||
|
Параметр |
|
|
рис. 5.15 а |
рис. 5.15 |
б |
|
|
|
рис. 5.15 в |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SyRK |
|
|
|
Коэффициент уси |
|
SyRK |
|
SyRK |
|
|
|
|
\ |
Гу. мин |
|
гу. МНИ / |
|
|||||||
ления усилителя Ку |
|
1 + |
|
Syfdi |
|
|
|
|
|
|
|
|
SyRK |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 + |
.Sy |
о |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
г у. мин |
|
|
Коэффициент |
пе |
|
UCTI |
|
UCTi |
|
|
|
|
|
|
|
£/СТ1 |
|
|
|||||
редачи делителя |
а |
|
Увых |
^вых Ч" ^СТ1 |
|
|
|
|
^ВЫХ |
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
П р и м е ч а н и е . |
5у*»А/ |
|
/А U* |
при U |
к у |
=const; R |
вх. у |
— входное |
сопротивление |
|||||||||||
|
|
|
/ |
|
к» у/ |
о. э |
|
г^ |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
транзистора Гу в схеме с общим эмиттером; |
|
—динамическое |
сопротивление стабилитро |
|||||||||||||||||
на; |
/? —сопротивление |
коллекторной нагрузки |
|
|
транзистора Г„; |
RU=RV |
— при питании |
|||||||||||||
|
К |
|
_ |
|
|
|
R |
|
R4 |
|
|
|
|
|
У |
|
к |
У |
|
|
|
|
|
|
|
/<=» |
вх. с |
У |
|
|
— при питании усилителя |
по схеме |
рис. |
||||||||
усилителя по схеме рис. 5.17а; |
|
---------------- - |
|
|
||||||||||||||||
|
Л и * Явх. с— при |
|
|
|
|
^вх. с + |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
5 .1 7 6 ; |
питании усилителя |
по схеме рис. 5.17а. |
|
|
|
|
|
|
Сопротивление RK— коллекторная нагрузка транзистора Ту, входящее в выражения табл. 5.5, в данном случае приближенно
равно Ry-
При расчете /Сет и г* можно воспользоваться табл. 5.6.
Т А Б Л И Ц А 5 6
Параметры наиболее распространенных транзисторов
Тип транзистора
П210
П213—П217
МП13—МП14
200т-300
СП О о о о •I* + о ся о о
Лвх. ом |
5, |
5-г 10 |
7000-5-9000 |
10-5-20 |
1500-5-2500 |
150-5-250 |
20-5-50 |
б) Усилитель постоянного тока питается от дополнительного источника рис. 5.176. В этом случае /Сет для всех схем стабилиза торов рис. 5.15 определяется из выражения
/Сет = Рр /(у « «поел "^7р~ |
(5.60) |
ио |
|
Внутреннее сопротивление г< определяется из выражения (5.59).
|
Все величины, входящие в выражение для /Сет и rit находятся |
|
так же, как и в п. 1 а (см. стр. 113). Необходимо отметить, |
что в |
|
этом случае при определении /Су из табл. 5.5 сопротивление RK~- |
||
_ |
RyRex c_ Сопротивление /?Вх определяется, как и в п. 1а |
(см. |
|
/?У+АВХС |
|
стр. 115). |
|
|
у |
в) Усилитель постоянного тока питается от входного напряже |
ния стабилизатора. Коллекторной нагрузкой усилителя постоянно го тока является эмиттерный повторитель (см. рис. 5.17в). В этом случае /Сет и г,- определяются из выражений (5.60) и (5.59). Необ ходимо отметить, что при определении Ку из табл. 5.5 сопротивле ние Rn^Rbxc, RDXC определяется из выражения, приведенного в табл. 5.4.
2. |
Коэффициент сглаживания пульсации /С~ ——— —°ы-х— для |
схем |
I/O ^ВЫХ~ |
стабилизаторов рис. 5.15а, б, в, приближенно равен коэффи |
циенту стабилизации Дет. Если верхнее плечо делителя закорочено емкостью Сь для определения /С~ необходимо в выражение для /Сет подставить а=1. Амплитуду пульсации выходного напряже ния можно определить из выражения
(5.61)
117
3. Минимальное -и номинальное значения кпд стабилизатора при /нмакс определяются из выражений:
^вых.мин
Лмин |
и * макс |
(5.62) |
|
||
|
^вых |
|
Л |
|
|
^0 |
|
|
|
|
О п р е д е л е н и е в е л и ч и н ы в ы х о д н о й е м к о с т и с т а б и л и з а т о р а С1Ъ Величина емкости Сн влияет на переходный процесс в стабилизаторе при скачкообразном изменении тока на
грузки |
[13]: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0,23 Рп |
|
|
|
|
|
|
|
(5.63) |
||
|
|
|
|
|
|
С„> Г1 2 |
|
И |
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
где Рп — коэффициент |
усиления по току |
транзистора |
Тп |
в схеме |
|||||||||||||
с общим |
эмиттером; |
fan — граничная |
частота |
транзистора 7+ в |
|||||||||||||
схеме с общей базой |
(определяется из справочника); г* — внутрен |
||||||||||||||||
нее сопротивление стабилизатора. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
П р и м е р р а с ч е т а т р а н з и с т о р н о г о с т а б и л и з а т о р а н а п р я |
|||||||||||||||||
ж е н и я |
с |
|
н е п р е р ы в н ы м |
р е г у л и р о в а н и е м . |
Исходные |
данные: |
|||||||||||
U1 = 220 в', |
/ = 50 ZVf] |
Смаке — Смин = |
0,1; |
\ Увых — 12,6 e; 1 |
и пых макс = 13 в; |
||||||||||||
(/Вых мин= 12 |
в\J/n макс~ 1 |
Q't | /ц мип= 0,5 й\ |
Лст^ЗОиО; |
Г4^0,01 |
ОМ\ |
Uвых^= |
|||||||||||
= 1 И(6;| / окр макс = |
^окр’мин=0°СДу = +5 |
Мв/°С. |
схему |
(ом. |
рис. 5.15а). |
||||||||||||
Расчет |
силовой части |
стабилизатора: 1. Выбираем |
|||||||||||||||
Усилитель постоянного тока питается по схеме рис. 5.17а. |
|
а |
|
|
|
||||||||||||
2. Задаемся величинами |
/вн=0,01, |
/ н макс =0,02-1=0,02 |
и |
определяем |
|||||||||||||
/ к 11 макс: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Леи макс = |
^н. макс + ^вн ~ 0,02 + 1 = 1,02 а . |
|
|
|
|
|||||||||
Задаемся величиной Uкэн.мип. Так как нагрузкой усилителя является эмит- |
|||||||||||||||||
терный повторитель (см. рис. 5.17а), а |
в качестве Д 3 |
используем |
два диода |
||||||||||||||
Д226 с прямым падением напряжения, равным |
1 в, |
принимаем: |
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
UK . all мин = |
ПДЗ^ДЗмакс + |
(2 + 3) в = |
2 *1 + 2 = |
4 в; |
|
|
|
|||||||
|
Цк. = |
(0 .0 5 - 0 .1)(t/выж. макс + |
all мин) = |
0.1 (13 + |
4) = |
1,7 |
а. |
||||||||||
Из |
(5.30) |
найдем Vо м |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
^омин > ^вых.макс + |
^к . э. И мин+ ^ 0-* = |
13 + 4 + 1 , 7 = |
18,7 |
в . |
||||||||||||
Принимаем |
^омин=19 а. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Из |
(5.31), |
(5.32) найдем |
UQи U0MSLKC: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
.; |
|
|
^ОМИИ |
|
19 |
= 21,1 а; |
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
(1 |
■а мнн) |
( 1 — 0,1) |
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
Ломакс = |
U0 (1 + |
Омакс) = |
21,1 (1 + |
0,1) = |
23,2 |
а. |
|
|
|
3. |
Определяем ориентировочно |
величину г0 -и из (5.33) находим |
макс макс: |
|||
|
|
го « (0,05-г-0.15) U0/I Ku макс = 0,1 ^ ^2 |
= 2 0-М; |
|
||
^омакс макс = |
^омакс + |
( Ль макс |
Ль мин) го = 23,2 + |
(1 — 0,5)-2 = |
24,2 в. |
|
Из |
(5.34) /найдем UKэ и макс: |
|
|
|
||
|
^Лс. э11 макс = |
макс макс ^вых. мин ==24,2 |
-12 = 12,2 в. |
|
||
4. |
Из (5.35) |
найдем |
Рк 11 макс: |
|
|
|
Рки макс = |
Лш макс (^омакс |
^вых мин) = (23,2 |
12) 1,02 = 11,4 |
вт. |
5. По вели4.ина.м UKЭН макс =12,2 в\ Iк Н макс =1,02 а И Як п макс = 1 1,4 зт
выбираем из справочника тип регулирующего транзистора. В качестве Tlt мож но -использовать транзистор П210А.
Рппец = - |
макс — L |
|
|||
|
R(окр. макс |
||||
|
|
85 — 40 |
|
||
|
|
|
30 |
■ = 1 , 5 |
ш . |
|
|
|
|
|
|
Величину |
tu маис и Rt |
определя |
|||
ем из |
табл. 5.3: |
|
|
||
|
макс = |
85°С; R t = 30°СJem . |
|||
Так |
как |
|
Як 11 макс — 11,4 0 Т > |
||
> Я пред = 1,5 |
вт, необходимо из при |
||||
ложения |
выбрать радиатор |
(рис. 5.23). |
|||
Как |
видно из тепловой |
характери |
стики, транзистор П210 с данным ра диатором при температуре окружаю щей среды, равной +40°С, может рас
сеять |
мощность 13,75 вт. Так |
как |
||
Яф ак = |
Я к ц |
макс = |
11,4 ЯГ, ТО данный |
|
транзистор |
с этим |
радиатором |
мог |
бы работать при температуре окру жающей среды +48°С. Следователь
но, температура |
коллекторного пере |
|||||
хода |
транзистора |
П210 |
при |
|||
Як и мако = |
11,4 |
вт |
будет |
|
меньше |
|
предельной |
на 8°С: |
|
|
|
||
6. Исходные |
данные для |
расче |
||||
та выпрямителя: |
|
|
|
|
||
|
(JQ = |
21,1 |
в\ £7QMHH = 19 в; |
|||
^омакс==23,2 в\ |
/о=Лшмакс= 1 *92 Я; |
|||||
Л)мин = |
Ль мин = |
9.5 |
а.; UQ^ |
= 1 ,7 в. |
||
7. |
Из (5.37) |
определяем |
/в п м |
/ б 11 макс:
|- е ------- |
IUU-------- |
» 1 |
1 ^ 3
б)
|
Ль мин |
0,5 |
= 0,016 |
а = 16 ма; |
|
Л>11 мин = |
= “30 |
||||
Римакс |
|||||
|
|
|
|
Ла1 макс |
1,02 |
= 0,051 а = 51 ма. |
|
^би макс = ' |
20 |
Рпмнн |
Найдем величины /дз «и Рз из i(5.38), .(5.39): |
|
|
|
|
|
||||||||||
/* 3 = |
0 “*"1 »5) [/К011 макс — Лзп мин] лпари = |
1.1 (0,04 — 0,016)* 1 = |
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
= |
0,026 |
а = 26 ма\ |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
ип |
|
12 |
|
460 ом. |
|
|
|||
|
|
|
Я з< — Г~ |
:0,026 = |
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
JR3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Определим мощность резистора Рз-' |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
Ряз = |
вых. макс.)2 |
(13)2 |
= =0,37 вт. |
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
460 |
|
|
|||||||
Выбираем резистор Яз типа ОМЛТ-1 — 460 ом. |
|
|
|
|
|
|
|||||||||
Из (5.40) |
найдем величину |
U 12 макс ~ |
/к 12 |
макс.* |
|
|
|
|
|||||||
1 Э12 макс —7бп макс' |
^вых. макс"4 |
л ЛГ1 |
^ [13 |
0,08 |
а = 80 ма; |
|
|||||||||
------^ ---------= 0 ,0 5 1 |
+ |
^QQ = |
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
и,кЭ12 макс = 12,2 в. |
|
|
|
|
|||||
Величину Рк 12 |
макс |
найдем |
из (5.41): |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
Лаамакс = |
^к. э1 2 макс^к1а макс = 12,2*0,08 = |
0,976 вт. |
|
||||||||||
По |
величинам |
/к 12 |
макс=0,08 д; |
|
э 12 макс = 12,2 |
в; |
Рк 12 макс = 0,975 в т |
||||||||
в качестве Г12 выбираем транзистор типа Л216В. |
|
|
|
|
|
||||||||||
Из |
(5.36) |
определяем |
Рпред* |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
_ |
^п. макс |
^окр. макс |
|
|
^ |
|
1 *25 |
вт. |
|
||||
|
|
Рпред = ------------ЁГ------------ = |
------ ы -----= |
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
Я/ |
|
|
36 |
|
|
|
|
||
макс = 85°С; Р/ = 36°С/0т определяем |
из табл. 5.3. |
|
|
|
|
||||||||||
Так |
как |
Р к 12 макс=0,975 вт меньше Р Пред=1,25 вт, транзистор Т12 |
может |
||||||||||||
работать без дополнительного радиатора. |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
Из |
(5.42) |
определим |
/б 12 мин/ 7б 12 макс* |
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
612мин |
|
|
|
п„мпп |
|
|
р12максЯ |
|
|
||||
|
|
|
|
РпмаксРхвмакс |
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
0,5 . |
12 |
= 0,0015 |
а = |
1,5 |
ма; |
|
|
||||
|
|
|
30*30 |
|
30*460 |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
1 б\гъ |
« |
7э12 макс |
0,08 |
|
|
|
а =~4,5 ма. |
|
|||||
|
|
—-----------= |
——- = 0,0045 |
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
P I S M H H |
1 8 |
|
|
|
|
|
|
|
||
Так |
как |
/б 12 макс > |
(03ч-0,5) ма, |
то |
число |
транзисторов, входящих |
в со |
||||||||
ставной, необходимо (увеличить до трех. |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
Д ля выбора транзистора |
Г13 определяем: |
|
|
|
|
|
|
||||||||
7/^3 = (1 “5”1 .5) [/ко12макс — 7б12мин] лпар12 = |
1.1 (0,004 — 0,0015)• 1 = |
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
= |
0,0027 а = 2 , 7 |
ма; |
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
12 |
=4400 ом. |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
f R '3 |
0,0027 |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Прнни.маем/?з |
=4300 |
ом=4,3 ко"м. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
(^вых.макс? |
03)* |
= 0,03 |
вт. |
|
|
|||||
|
|
|
PR = |
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
4300 |
|
|
|
|
|