книги / Сборник задач и упражнений по импульсной технике
..pdflao второе устойчивое состояние. 8*11. а) Транзистор 7\ выйдет из на сыщения» так как IQ — 0,93 мА < /бн = 1 мА и триггер переключит ся; б) степень насыщения 7\ увеличится, состояние триггера не изме нится; в) запирающее напряжение на базе Т2 возрастет, состояние триггера не изменится; г) запирающее напряжение на базе Т 2 умень шится с 2 В до 1 В; состояние триггера не изменится. 8.12, а) Степень
насыщения Т х уменьшится, так как ток базы |
= |
1,03 мА, |
запираю |
щее напряжение на базе Т 2 возрастет, состояние |
триггера |
не изме |
нится. б) Напряжение запирания транзистора Т 2 будет отсутствовать: Т 2 приоткроется, что может привести к выходу 7\ из насыщения в ак тивный режим. 8.13. Схема будет иметь одно устойчивое состояние, при котором Т 2 открыт, а Тг закрыт. 8.14. Схема будет иметь одно ус
тойчивое состояние, при котором Т х открыт, |
а Т 2 закрыт. 8.15. а) |
Ра |
||||
ботоспособность сохранится, так |
как IQ = |
2,0 |
мА > 1$и = |
1,5 |
мА. |
|
б) |
Нарушится условие открытого |
состояния: IQ |
= 0,46 мА < |
1$и = |
||
= |
0,5 мА. Оба транзистора будут работать в активном режиме: схема |
работает как двухкаскадный усилитель. 8.16. Схема будет иметь одно устойчивое состояние (7\ закрыт, Т 2 открыт) и работать как усилитель. 8,17. Транзистор Т 2 будет закрыт,"так как иК1 близко к нулю. При закорачивании проводником эмиттерного перехода напряжение иН1 не будет изменяться до ик1 да Е к, как это было бы при исправном тран
зисторе. |
8.18. |
Условие |
открытого состояния транзистора Тг будет на |
|
рушено, |
так |
как / бп = |
2 мА > |
= 1,23 мА. Это приведет к тому, |
что два транзистора окажутся в активном режиме: схема как триггер работать не будет. 8.19. Кремниевые транзисторы имеют пороговое напряжение Unop да 0,6 В, а германиевые — 0,2—0,3 В. Остаточное напряжение в режиме насыщения у германиевых транзисторов такое же, как у кремниевых и составляет да0,2 В, что не обеспечивает надеж ного запирания одного из транзисторов остаточным напряжением, по ступающим от второго открытого транзистора. Для обеспечения на дежного запирания применяют дополнительный источник £ см. Кроме того, температурная зависимость параметров германиевых транзисто ров существенно выше, чем кремниевых. 8.20. См. ответ к задаче 8.Д9, 8.21. Проверка работоспособности триггера сводится к проверке вы:. полнения условий запирания и насыщения каждого из транзисторов [см. формулы (8.1) и (8.3)]. Условие закрытого состояния выполняется,
так как по (8.1) 0,2 В + |
10 Ю^6 |
10 • |
10й = . 0,3 В < 0,6 В. Условие |
|
открытого состояния также выполняется, |
так как по (8.3) % .= 1,6 мА > |
|||
i>. ^Gn == 9,5 мА. 8.22. |
Транзистор |
Тг |
будет всегда открыт, так как |
|
иМ2 да |
При подсоединении базы |
Т2 |
к плюсу источника £,( (через |
малое сопротивление) нК2 уменьшаться~не будет, как это было бы при
ксправно.м |
транзисторе ~Т2. |
8.23. < 2 7 |
кОм. 8.24. да860 Ом. 8.25., |
|||
да900 Ом. |
8.26. Проверка условий закрытого состояния |
проводится по |
||||
(8Л) для |
всех |
транзисторов: 0,2 + |
40 |
i0~G 14 |
103 = 0,348 < |
|
< ; 0,6 В. |
Условия открытого состояния труднее всего выполнить для |
|||||
транзисторов Тг |
и T 2t так |
как отпирающее |
напряжение снимается с |
коллектора нагруженного транзистора 7\>. Проверка условий откры
того состояния сводится |
к проверке неравенства ^ /(jn. Ток базы |
|||||
насыщения T l% Т2, |
Т а: |
|
|
|
|
|
30 1 |
ГоГ |
= ° ’5 |
^ок |
базы |
тРаНЗИСТ0Ра |
равен |
= -----' |
15 |
1 мА. |
Для |
определения |
базовых |
|
= |
токов 7\ и Г3 определим напряжение иК2 при закрытом Т 2 без учета
161
падения напряжения на открытом эмиттерном переходе. Напряжение на коллекторе Тв:
ит |
= |
E K — I R 2 R M = |
1 5 - 1 ,8 7 - 1 0 -М . 10* = |
13,1 |
|
В , |
где |
i R2 |
= |
|||||||||||||||||
|
|
— |
Е . |
|
|
|
|
|
|
15 |
|
|
|
|
|
1,88 мА. |
Токи |
базы |
||||||||
|
|
к — ---------------------- ----------i’= |
||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
Ы 03 + |
14*Ю3* 14*103 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
R'1+ Ъ |
|
14* Ю3+ |
14* Ю3 |
|
13,1 |
|
|
|
|
|
||||||||||||
транзисторов |
Т г и Т3 составят |
io i==£6a!S=:' ^ “ = |
|
' = 0,94 |
мА- |
|||||||||||||||||||||
^ |
|
^ |
|
|||||||||||||||||||||||
Так как |
/с = 0,94 м А > /$ п ==0 15 мА, |
то условие открытого |
состояния |
|||||||||||||||||||||||
выполняется. |
8.27. |
40 |
кОм. |
8.29. |
|
Время |
рассасывания |
|
по |
(8.5) |
||||||||||||||||
<п-0 ,1 5 9 .1 0 -.(1 ,2 3 _ 1 )= .0 д аш с . |
г » |
У |
» а 5 |
Г |
° 2.з,ТД |
У |
||||||||||||||||||||
= |
0,159 мкс; |
5 = |
*б |
|
1,23-10-» |
|
|
, Л„ |
„ |
а |
|
подготовки |
по |
|||||||||||||
/би |
|
---------— в |
1,23. |
Время |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
1 • |
10—3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
(8.6) |
п |
да 0,159------------------- * |
0,13 мкс, |
где | U Qз | = |
^см “ *^ко |
= |
||||||||||||||||||||
1 |
' |
|
' |
2,5-JO-3-М О 3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
мкс. |
||||||
= |
3—*100* 10-6* 10* 103= 2 |
В. |
Время опрокидывания /0 « T ft=0,159 |
|||||||||||||||||||||||
Время |
установления |
напряжения |
|
на |
коллекторе |
|
закрывшегося |
|||||||||||||||||||
транзистора по (8.7а) ty3 « |
3 • 200 |
* |
10~12 |
12 |
• |
10 3 |
* |
1 |
|
103 |
Л , |
мкс,- |
||||||||||||||
|
Г ]о~з1{Г ] |
JQ |
5 « 0 ,6 |
|||||||||||||||||||||||
Время |
установления |
напряжения |
на |
коллекторе |
открывающегося |
|||||||||||||||||||||
транзистора |
по |
(8.7а) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
*у0 = |
0,185 .10~6 1п------ „ |
.„„ |
- |
|
„-------- ;------« 0 , 6 |
мкс, |
|
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
1 - |
0,159*10-0 |
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0,185*10-0 |
|
1 — 20 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
где тс = |
0,185 мкс. |
напряжения |
на базе |
закрывающегося |
транзи- |
|||||||||||||||||||||
Время |
установления |
|||||||||||||||||||||||||
стора |
|
по |
(8.76) |
|
= |
3 200 ДО-12 |
12 • 10 3 • 10 . Ю3 |
|
^ |
|
мкс* |
|||||||||||||||
|
ty$ |
|
. 103^ 1 0 |
" о |
3 = |
|
||||||||||||||||||||
8.30. |
F mах = |
275 |
кГц. |
8.31. а) |
324 |
|
кГц; |
|
б) |
266 |
кГц; |
в) |
269 |
кГц. |
||||||||||||
8.32. |
tф = |
<уз = |
0,6 мкс, |
/ф = |
|
tyQ = |
|
0,6 |
мкс. |
8.33. |
|
/р = |
0,037 |
мкс; |
||||||||||||
th = |
0,96 нс; tQ— 0,016 мкс; /уз = |
1 |
мкс; tyo = |
0,32 мкс; fyo = |
6 мкс. |
|||||||||||||||||||||
8.34. |
«160 кГц. 8.35. а) «111 |
кГц; б) |
«3 3 3 |
кГц. 8.36. Чтобы вывести |
транзистор из насыщения в активный режим. В противном случае триг гер не переключится. 8.37. Энергия, потребляемая от генератора за пуска, меньше, так как запускающий импульс действует меньшее вре мя, и время установления напряжений в схеме меньше, так как уско ряющие конденсаторы могут иметь меньшую емкость. 8.38. При боль шой длительности импульса запуска входная цепь будет его дифферен цировать, что приведет к двойному срабатыванию триггера. 8.39. Что бы не было дифференцирования входного запускающего импульса, 8.40. Для дифференцирования входного запускающего импульса. 8.41. Для ограничения положительных остроконечных импульсов, об разующихся в результате дифференцирования входного запускающе го импульса цепочкой Ср/?р. В случае отсутствия диодов работоспособ ность триггера нарушится, если цепочка Ср/?р дифференцирует запус кающий импульс, и не нарушится, если цепь — переходная. 8.42. Из
162
‘условия следует, что б исходном состоянии 7\ открыт. Первый’ за пускающий импульс отрицательной полярности приведет к переклю чению триггера зарядным током Ср1. Так как цепь разрядки СР1 нз-за отсутствия Р р1 разорвана, то разрядки Ср1 не произойдет. Поэтому второй импульс не вызовет переключение триггера. То же самое можно сказать о переключении триггера по второму входу: от одного
импульса |
триггер |
сработает, |
а |
от |
другого — нет. |
8.43. Дио |
ды Д г и |
Д 2 выполняют функцию |
коммутирующих, т. е. обеспечи |
||||
вают прохождение |
импульсов |
запуска |
только на базу |
открытого |
транзистора. Диоды Д 3 и Д4 служат для ускорения разрядки конден саторов С3 и С4, т. е. для увеличения быстродействия. 8.44. Запомина ют предыдущее состояние триггера, т. е. препятствуют прохождению
Рис. 8.17 Рис. 8.18
импульса запуска на базу открывающегося транзистора. 8.45. Тран
зистора Т у |
8.46. Ответ: рис. 8.17. 8.47. Ответ: рис. 8.18. 8.49. « 3 ,3 |
В. |
8.50. Схема |
будет иметь одно устойчивое состояние, при котором |
7\ |
открыт, а Т2 закрыт. 8.51. Для обеспечения постоянства напряжения смещения при опрокидывании триггера. 8.52. В схеме рис. 8.5 ампли туда выходного напряжения уменьшается за счет падения напряже ния на резисторе Дэ. 8.53. В работе схемы рис. 8.6 отсутствует этап рассасывания. 8.54. В схеме рис. 8.6 транзисторы в открытом состоя нии не насыщены. 8.55. Для уменьшения времени установления и повышения нагрузочной.способности. 8.56. За счет уменьшения време ни установления на коллекторе закрывающегося транзистора. 8.57. Наличие источника £ф, имеющего малое внутреннее сопротивление, обеспечивает малое выходное сопротивление триггера # пых. Это приводит к уменьшению падения напряжения на /?вых, и» как следствие, it незначительному уменьшению выходного напряжения при достаточ но больших токах нагрузки. 8.63. Проверка условий заключается в определении напряжения «ба1 в закрытом и открытом состояниях тран
зистора Tv |
В закрытом |
состоянии ибэ1 по (8.12) составляет |
»бэ1 — |
||||||||||||
|
|
20 |
|
|
|
Л |
|
20 |
|
|
|
|
|
|
|
- |
18 • |
103 + |
3,3 |
■ 10»3,3 * 10 — 600 + |
150 IS0 w —0,9 В- Так |
как |
|||||||||
и0э1 < |
|
то транзистор |
Тг |
закрыт. |
В открытом состоянии и$Э1 |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
20 |
|
|
л ^ |
|
20 |
|
|
|
составляет |
«сai |
— 18 • |
103 + |
3,3 |
• 10:* |
|
* 1° 3 |
1,8 • 103 + |
150 ^ |
||||||
« |
1,56 |
В. Так как «6ai > |
^пор» то транзистор открыт. 8.64. Um+ = |
||||||||||||
= |
1,5 В; U m- = |
0,96 |
В. |
8.65. |
Ucр = • |
1,5 В; £/отп = |
0,96 В. 8.66. а) |
||||||||
</Ср & |
2,5 В; |
</отп = |
0,5 |
В; |
б) Ucv = |
2 В; (/оТп — 0,46 В; в) |
£/ср = |
||||||||
* 1 |
В; |
U orn = |
1,46 |
В. |
8.67. a) |
UCp |
не |
изменится, |
U0тп = |
1,1 |
В; |
||||
б) |
^отп не изменится, |
Ucр *=0,66 |
В. 8.68. |
Триггер не будет переклю |
чаться, если емкость конденсатора достаточно велика, так как резистор
163
#э по переменному току закорочен. Если емкость С незначительна, то ухудшатся условия переключения, что приведет к увеличению дли тельности фронтов выходного напряжения. 8.69. Два: в первом состоя нии транзистор Т 1 закрыт, a f 2 открыт, но находится в активной об ласти; во втором Т 2 закрыт, а Тг открыт и находится в активной обла
сти. 8.70. Срабатывание триггера |
|
по (8.17) произойдет при напряже- |
|||||||||
|
|
|
|
5 |
. ю з-f 5 . юз |
|
|
|
|||
НИИ ывх, равном |
и с р » |
24 jp -. 10а |
5 |
~ |
оз + ~ 5 ~ 1 0 3 |
^ |
1 2 В ' |
° ТПУС* |
|||
кание |
произойдет |
в |
соответствии |
с |
(8.18) при мвх равном |
U 0тп « |
|||||
« Ю— |
5 . ]О3 —(-5 -103 |
« |
5 |
В. |
8.71. Входное |
сопротивле |
|||||
1 0 . 1 0 з^_ 5 |
. 1 рз_|. 5 . ~I Q3 |
||||||||||
ние транзистора |
и |
напряжение |
отпирания 1 /пор достаточно |
велики. |
|||||||
8.72. а) Обеспечением напряжения на затворе |изи| < |
|{/nopU б) обес |
||||||||||
печением |изи| > |
|f/nop|. 8.73. Сопротивление резистора |
Яс определя |
ет выполнение условия закрытого состояния транзистора. Для обеспе чения закрытого состояния необходимо, чтобы напряжение ис„ откры
того |
транзистора было |
меньше (УПОр> |
т. |
е. |
« си = Е к — / e R e |
|||||
< |
L/nop. Отсюда |
R D > Е н - |
Цпор _ |
16—5 |
= 1,5 кОм, где /с = |
|||||
7,5 |
|
= з |
||||||||
= |
'пор |
|
по |
/ с |
• 10 |
транзистора |
(см. |
|||
7,5 |
мА, определяется |
характеристикам |
||||||||
рис. 7.13). 8.74. |
И В. 8.76. Транзисторы |
Т 6, |
Т в, |
Т 3 закрыты; |
Т 3, Т3 |
|||||
открыты и рабочие точки находятся |
на пологих участках ВА Х . 8.77. |
Транзисторы Т ь, Т6 закрыты; Т 3 открыт и рабочая точка находится на крутом участке ВАХ; Т2, 7' 4 открыты и рабочие точки находятся на пологих участках ВАХ. 8.78. 12 В. 8.79. а) Не переключится, так как отпирание транзистора Т5 не приведет к изменению напряжения
«сш! б) переключится, так как напряжение мСи2 уменьшится от Е к до |
|
U ост. что приведет |
к запиранию транзистора Т,. 8.80. Транзисторы |
Т г и Т з закрыты, |
Tt открыт и рабочая точка находится на крутом |
участке ВАХ. 8.81. |
Транзисторы Т 3 и Т 2 открыты и рабочие точки на |
ходятся на крутых |
участках ВАХ, Tt закрыт. |
ГЛАВА 9
МУЛЬТИВИБРАТОРЫ
§ 9.1. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ И РАСЧЕТНЫЕ СООТНОШЕНИЯ
В главе рассматриваются схемы мультивибраторов, выпол-. ненных на полупроводниковых приборах и работающих в ав токолебательном и ждущем режимах. Мультивибраторы широ ко применяются как задающие генераторы прямоугольных импульсов, делители частоты следования импульсов, расшири тели импульсов и т. д.
Основная схема мультивибратора представлена на рис. 9.1, а и состоит из двух ключевых каскадов, собранных на транзисторах Тг и Т 2 и связанных между собой конденсатора ми С1 и С2. Если параметры ключевых каскадов (плеч) одина ковы (транзисторы — однотипны, С, = С2; Яг = R3 и т. д.),
164
то мультивибратор называется с и м м е т р и |
ч н ы м ; в про |
тивном случае — н е с и м м е т р и ч н ы м . |
Мультивибра |
тор имеет два выхода с коллекторов транзисторов Tt и Т2. Длительность импульса с коллектора Т2 составляет
|
|
- |
Сх ft, In — K+/l<° R* - uo«* |
(9 . и |
||
|
|
|
|
|
£ к + / » Я , - 1 / ПОр |
’ |
если |
IидЛа С £ и |
и |
С/ бц2 |
= С/пор я* 0 , то |
приближенно |
|
*и2 л; 0,7 Cjtf о. Аналогично, |
#П1 « 0,7 С ^ . Период колеба |
|||||
ний |
мультивибратора |
равен |
|
|||
сумме длительностей импуль |
|
|||||
сов (рис. 9.1, |
б) |
|
|
|
|
|
|
Т = U |
-I- tM. |
(9.2) |
|
Для обеспечения насыщен ного состояния открытого транзистора необходимо, что бы
Ri.t < |
B R JS , |
(9.3) |
|
где S — степень |
насыщения, |
||
обычно S — |
1 , 2 ~ |
2 . |
|
Для повышения термоста |
бильности |
мультивибраторов |
|||
необходимо |
сопротивление |
|||
# i l2 уменьшать, но это |
при |
|||
водит |
к |
необходимости |
сни |
|
жать |
н значение R K. Мини |
|||
мальное |
сопротивление |
огра |
||
ничено |
допустимым коллек |
|||
торным током |
|
#к min 5 s ".
MI дои
Амплитуда импульса выходного напряжения
Um- E K- I mRK- U m * E H. |
(9.4) |
Длительность среза выходного импульса (при открывании транзистора) приближенно оценивается
<ср« ( 2 г З ) т 8 ^ ° ' 3- ; 0-5 , |
(9.5) |
где fa — граничная частота транзистора, та — 1/2 я/а. Дли тельность фронта выходного импульса (при запирании транзи
165
стора) определяется временем зарядки конденсаторов С2 и
С2: |
|
^ф1,2 ^ ЗС1>а /?к1 ,2. |
(9.6) |
Обычно несимметричность схемы достигается изменением емкостей времязадающих конденсаторов Сх и С2. В этом слу чае, считая плечи симметричными, предельное значение скваж ности
QmaX« l + - ^ f Sll!L- |
(9-7) |
Максимальная частота колебаний симметричного мульти вибратора при заданном типе транзистора составляет: F max ^ ^0,15/а. Регулирование частоты (периода) колебаний возмож
но за счет изменения значений С, R, U0m и |
Е0 (р.ис. 9.2): |
= |
(9.8) |
где UCm— амплитуда отрицательного перепада напряжения на базе запираемого транзистора; Е0— напряжение управ ляющего источника.
Регулировка периода за счет изменения амплитуды отрица тельного перепада на базе запираемого транзистора возможна путем потенциометрического съема напряжения с резистора RH(см. рис. 9.2) и применения источника Еф (рис. 9.5)
Кк
(9.9)
U(jm— Еф.
Это позволяет изменять период в широких пределах, но зави симости Т = f (RK) и Т = f (Еф) получаются нелинейные, что
ограничивает применение таких |
регулировок. |
||
Существенным |
недостатком |
схемы |
мультивибратора |
рис. 9.1, а является |
большая длительность |
положительных |
1С6
фронтов коллекторного напряжения в связи с протеканием через коллекторные сопротивления зарядных токов конденса торов Сх и С2 (см. рис. 9.6). Для уменьшения длительности фронта /ф схемы усложняют (рис. 9.3, 9.4, 9.5). В схеме рис. 9.3 применяют корректирующие диоды Дх и Д 2, которые при закрывании транзистора отключают конденсатор от кол
лектора, и С заряжается не через Rк, а через Як. В этом слу чае время установления коллекторного напряжения опреде ляется временем запирания транзистора и зарядом емкости на грузки через сопротивление Як. Недостатком схемы является уменьшение скважности и на грузочной способности, что свя зано с увеличением времени за рядки С и увеличением выход ного сопротивления
£п = 3 Я«С = 6 RKC, |
(9.10) |
||||
где |
Як — коллекторное |
сопро |
|||
тивление |
в |
схеме |
рис. |
9.1, а; |
|
R" = |
Як |
= |
2 Я„ — коллектор |
||
ные |
сопротивления |
в |
схеме |
рис. 9.3.
Для устранения этого недостатка в схему вводят эмиттерные повторители Т 3 и Т4 (рис. 9.4), которые обеспечивают за ряд конденсаторов через свои малые выходные сопротивления. Время зарядки конденсаторов в этом случае составляет
(9.11)
Схема мультивибратора с фиксацией коллекторных по тенциалов (рис. 9.5) дает возможность значительно уменьшить
167
положительные фронты (6.5) и увеличить предельную скваж ность импульсов:
Q ^ 1 |
+ Вт1п М |
' + * ф/£ в) . |
(9 .1 2 ) |
|
\1 —Бф/Е«)1 |
|
|
Длительность импульса в схеме составляет |
|
||
ttt = |
RC In (1 + |
Еф/Е к). |
(9.12а) |
Ждущий мультивибратор (рис. 9.6, а, б) имеет одно устой |
|||
чивое состояние, при котором Т 2 |
открыт, а 7 \ |
закрыт. Тран |
|
зистор Тг открыт, так |
как i62> |
/cin транзистор Тх закрыт, |
а)
|
|
Рис. 9.6 |
|
так как н01 = IK0Ri + |
Uuop. При действии |
запускаю |
|
щего импульса |
на |
выходе схемы формируется |
импульс |
положительной |
полярности длительностью, определяемой по |
формуле (9.1). Для нормальной работы схемы необходимо обес печить неравенство
Тзап > + ^в. (9.13)
где tB —3CiRKi — время восстановления схемы.
В противном случае хронирующий конденсатор Сх не ус певает зарядиться до Е к, что приведет к уменьшению длитель ности выходного импульса.
Схемотехнические особенности монолитных и гибридных интегральных мультивибраторов (ИВМ) состоят в комплекс ном применении мер, имеющих целью: создание выходных им пульсов, близких по форме к идеально прямоугольным; обес печение мягкого самовозбуждения автоколебательных муль тивибраторов; предотвращение пробоя р -л-перехода в тран зисторах.
108
Средства решения первых двух задач в ИМВ совпадают с аналогичными средствами в дискретной технике: улучшение формы выходных импульсов достигается применением коррек тирующих диодов (см. рис. 9.3), а обеспечение мягкого само возбуждения — применением внутриинверторных обратных связей.
В схеме ИМВ (рис. 9.7) корректирующими диодами явля ются Дх и Д 3; нелинейная обратная связь обеспечивается дио дами Д 2 и Д4. В отличие от автономного режима ключа, где об ратная связь обеспечивает активный режим транзисторов, в
ИМВ обратная связь обеспечивает активный режим только в момент включения питания. В автоколебательном режиме тран зисторы работают или в отсечке или в насыщении. Насыщен ный режим обеспечивается соответствующим выбором сопро тивлений резисторов коллекторной и базовых цепей.
169
В ИМВ используются дрейфовые транзисторы, напряжение пробоя эмиттерного перехода которых мало (д# 4 В). Для пре дотвращения пробоя применяют шунтирование перехода крем ниевыми диодами Дг и Д2 (рис. 9.8), у которых прямое паде ние напряжения 0 пр « 0 , 8 В. Это напряжение создается на диодах разрядными токами хронирующих конденсаторов Сг и С 2 и поддерживает транзисторы в закрытом состоянии. Ре зисторы R6 препятствуют быстрому разряду Сг и С2 через ма лые сопротивления открытых Дг и Д2. В некоторых ИМВ та кая защита отсутствует, так как питающие напряжения неве лики (£ „ « 3 В). Регулировка длительности импульса осу ществляется ранее описанными способами путем подключе ния внешних элементов, которые могут быть как дискретными, так и входить в состав серий интегральных схем.
У п р а ж н е н и я и з а д а ч и
§ 9.2. АВТОКОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ РЕЖИМ МУЛЬТИВИБРАТОРОВ
9.1. Какие |
устройства называются м у л ь т и в и б р а |
т о р а м и ? |
|
9.2. Какой |
режим работы называется а в т о к о л е б а- |
те л ь н ы м ?
9.3.Сколько устойчивых состояний имеет мультивибратор
вавтоколебательном режиме?
9.4.Какое состояние в мультивибраторе называется квазиустойчивым?
9.5.Чем определяется период колебаний автоколебатель ного мультивибратора?
9.6.Какой мультивибратор называется а) симметричным, б) несимметричным?
9.7.Почему в автоколебательном мультивибраторе при включении питания £ к один транзистор начинает закрываться,
адругой открываться?
9 .8 . Чем определяется время закрытого состояния тран зистора?
9.9.Чем определяется время открытого состояния транзис
тора?
9.10.Какими элементами схемы (см. рис. 9.1, а) определя ется длительность импульса на коллекторе: а) транзистора Т а; б) транзистора 7\?
9.11.Какими элементами схемы определяется длитель ность паузы выходных импульсов, снимаемых с коллектора Т 2?
170