книги / Теория функций комплексной переменной
..pdf§2 |
ПРИЛОЖЕНИЯ К ЗАДАЧАМ МЕХАНИКИ И ФИЗИКИ |
213 |
|
в однородной среде принимают вид |
|
||
|
rot Е = О, |
div Е = Ц-р, |
(7.78) |
где е — диэлектрическая постоянная среды, ар — плотность ста тических зарядов, создающих данное поле. В дальнейшем будем считать е = 1 и будем рассматривать плоскую задачу, когда за ряды, создающие поле, распределены в пространстве так, что плотность их распределения не зависит от одной из координат (например, от координаты z), а является функцией лишь двух других координат, т.е. р = р(ж, у). Очевидно, при этом вектор Б имеет лишь две отличные от нуля компоненты, которые также являются функциями лишь координат ж, у:
Е (ж,у) = iEx(x,y) + $ Е у(х,у). |
(7.79) |
В силу первого из уравнений (7.78) поле Е является потенци альным:
Е(ж,у) = - g r a d u a l / ) , Ех = ~ , |
Е у = ~ , |
(7.80) |
причем на основании второго из уравнений (7.78) функция v(x, у) удовлетворяет уравнению
Д у = —4тгр(ж,у). |
(7-81) |
Из (7.81) следует, что в области, свободной от зарядов, потен циальная функция v(x,y) является гармонической. Поэтому в этой области можно построить аналитическую функцию комп лексной переменной
f(z) = и(ж, у) + iv{ж, у), |
(7.82) |
для которой потенциальная функция v(ж, у) |
данного электро |
статического поля является мнимой частью.
Функция (7.82) называется комплексным потенциалом элек тростатического поля. Линии уровня г;(ж, у) = С называются эквипотенциальными линиями данного поля. Из формул (7.80) следует, что вектор напряженности Е в каждой точке эквипо тенциальной линии v(x,y) = С направлен по нормали к этой линии. Так как линии v(x,у) = С и и(ж, у) = С взаимно орто гональны, то направление вектора Е совпадает с касательной к линии и(х}у) = С в каждой точке этой кривой. Поэтому линии и(х, у) = С являются силовыми линиями данного поля.
Сопоставим вектору Е |
комплексное число w = Ех + гЕу. То |
||||
гда на основании (7.80) и условий Коши-Римана получим |
|||||
w —Ех + гЕу = |
dv |
.dv |
dv |
.du |
|
дх |
1ду |
dx |
гdx |
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
(du |
■dv |
|
|
|
— г \ |
л__ ) = - » У ' ( г ) . (7.83) |
|
|
|
|
|
[d x |
dx |
214 |
ПРИМЕНЕНИЕ АНАЛИТИЧЕСКИХ ФУНКЦИЙ |
ГЛ. 7 |
Отсюда |
|Е| = \f’(z)\. |
(7.84) |
|
Формулы (7.83) и (7.84) дают выражение компонент вектора напряженности электростатического поля в области, свободной от зарядов, через производную комплексного потенциала.
Пусть заряды, создающие данное электростатическое поле, сосредоточены в некоторой области, ограниченной замкнутой кривой Со1). Тогда интеграл по любому замкнутому контуру С, содержащему Со внутри, от нормальной составляющей на
пряженности электрического поля, согласно теореме Гаусса2), равен суммарному заряду (отнесенному к единице длины ци линдра, в котором распределены заряды в пространстве):
f E„ds = 4тге. |
(7.85) |
С
На основании формул (7.80), (7.37), (7.38), учитывал соотноше ния Коши-Римана, получим
j Ends = j £d d * - % d y .
сс
Так как электростатическое поле всюду потенциально, то цир куляция этого поля по любому замкнутому контуру равна нулю,
/**—/£*+£* =о-
С С
Рассмотрим интеграл по замкнутому контуру С от производной комплексного потенциала:
J |
f-{z)dz = f |
pxdx - ^ |
dy + i j ^ |
dx + pxdy. |
(7 .86) |
С |
С |
|
с |
|
|
Сравнение приведенных выше формул дает |
|
||||
|
J |
f'(z) dz— |
J Ends = |
47ге, |
(7.87) |
|
с |
|
с |
|
|
т. е. заряд, заключенный внутри области, ограниченной конту ром С, определяется интегралом по этому контуру от про изводной комплексного потенциала электростатического поля,
г) Это означает, что в пространстве заряды распределены внутри беско нечного цилиндра, контуром поперечного сечения которого является кри вая Со, причем плотность распределения зарядов не зависит от координаты z вдоль образующей цилиндра, а является лишь функцией координат х, у
впоперечном сечении.
2)См. сноску на с. 212.
216 |
ПРИМЕНЕНИЕ АНАЛИТИЧЕСКИХ ФУНКЦИЙ |
ГЛ. 7 |
динамическим потенциалом*). Поэтому исследование плоского электростатического поля с помощьк} комплексного потенциала может быть проведено теми же методами, что и решение соот ветствующих гидродинамических задач. Так, все примеры тече ний, рассмотренные на с. 203-205, допускают простую электро статическую интерпретацию.
Например, рассмотрим электростатическое поле, описывае мое комплексным потенциалом
f(z) = —г• 2е1пл, |
е > 0. |
(7.93) |
Введя полярные координаты г, <ри учтя, что z = гег(р, получим
v(r, (р) = —2е In\z\ —2е In - , |
u(r, ф) = 2е arg z = 2eip. |
Отсюда следует, что эквипотенциальными поверхностями дан ного поля являются концентрические окружности с центром в начале координат, а силовыми линиями — лучи (р= const. Век тор Е в каждой точке z Ф 0 направлен по лучу ip = const, а по абсолютной величине в силу формулы (7.84) равен
|Е = l/'WI = Ц -
Так как интеграл по любой окружности \z\ = г от нормальной составляющей напряженности данного поля имеет постоянное значение, равное 47ге, то, очевидно, это поле создается точечным зарядом величины е, находящимся в начале координат (в про странстве заряды, создающие данное поле, распределены с по стоянной плотностью е вдоль прямой, перпендикулярной плос кости ху и проходящей через начало координат).
Р а с с м о т р и м н е к о т о р ы е т и п и ч н ы е з а д а ч и э л е к т р о с т а т и к и , к о т о р ы е м о г у т б ы т ь р е ш е н ы с п о м о щ ь ю к о м п л е к с н о г о п о т е н ц и а л а .
а) Определение плотности распределения заряда на идеаль но проводящем проводнике. Пусть боковая поверхность идеаль но проводящего проводника представляет собой бесконечный цилиндр, поперечное сечение которого ограничено контуром С. Предположим, что плотность распределения заряда постоян на вдоль образующих цилиндра и на единицу длины цилин дра приходится заряд е. Требуется определить поверхностную плотность заряда <r(s) на контуре С поперечного сечения. Оче видно, решение данной задачи дается формулой (7.90) при нор
*) Очевидно, то, что потенциальная функция в электростатике являет ся мнимой частью комплексного потенциала, а в гидродинамике потенциал скорости является действительной частью комплексного потенциала, пред ставляет собой несущественное различие, которое может быть устранено введением дополнительного множителя, равного —г. Однако мы придержи ваемся установившейся терминологии, при которой имеет место указанное различие.
§2 ПРИЛОЖЕНИЯ К ЗАДАЧАМ МЕХАНИКИ И ФИЗИКИ 217
мировочном условии (7.88). Тем самым задача сводится к по строению комплексного потенциала f(z), являющегося анали тической функцией вне контура <7, при условии, что мнимая часть f(z) имеет постоянное значение на контуре С и в окрест ности точки z = оо разложение f(z) дается формулой (7.92), где WQO= 0, а коэффициент е равен заряду, приходящемуся на еди ницу длины проводника.
Начнем с простейшего случая, когда проводник представляет собой круговой цилиндр единичного радиуса. Выше было пока зано, что эквипотенциальные линии комплексного потенциала (7.93) представляют собой концентрические окружности с цен тром в начале координат. Поэтому, чтобы удовлетворить усло вию на границе проводника, естественно искать потенциал дан ного поля в виде
f(z) — —iClnz,
где С — постоянная, подлежащая определению. Из условия на бесконечности (7.92) получим С = 2е. Тогда формула (7.90) дает очевидный результат
Если контур поперечного сечения проводника представляет собой произвольную замкнутую кривую С , то осуществив с по мощью функции £ = (p(z) конформное отображение области вне контура С на внешность единичного круга |£| > 1 так, чтобы удовлетворялось условие <£>(оо) = оо, мы сведем задачу к только что решенной. Тем самым комплексный потенциал будет иметь вид
f(z) = —i • 2eln (p(z), |
(7.94) |
а для плотности поверхностных зарядов согласно (7.90) получим выражение
М — — I / ' M l — — |
1 |
_ е |
dz ~ 1 |
|
47Г**' |
27г |
<p(z) dz £, 2 п dz с |
27т |
dQ |£|=1 |
(7.95) В качестве примера рассмотрим задачу об определении плот ности заряда на полосе ширины 2а. Пусть данная полоса пере
секает плоскость ху по отрезку —а < х < а . Функция
“|(с+й
производит конформное отображение внешности единичного круга плоскости £ на плоскость z, разрезанную по отрезку дей ствительной оси —а < х < а. Поэтому формула (7.95) дает
dz - 1 |
„ |
1 |
218 |
ПРИМЕНЕНИЕ АНАЛИТИЧЕСКИХ ФУНКЦИЙ |
ГЛ. 7 |
Так как
J. _ z + yjz2 —а2
**а
и
£2 - 1 = |
^ (z2 - |
а2 + z\Jz2 - |
а2) |
= 2^Z^p~a~ (z + \Jz1 |
—а2) , |
||
то формула (7.96) дает |
|
|
|
|
|||
„(я) = |
££ |
1 |
-------- |
1 |
--------- = ±- -= = L = = . |
(7.97) |
|
|
27г у / а 2 — а;2 |аг + *л/а2 — я2|_а<х<а |
27т \/о2 — х 2 |
|
Заметим, что плотность заряда неограниченно возрастает при приближении к краю пластины. Этот факт имеет простой фи зический смысл. Край пластины имеет бесконечную кривизну, и для того, чтобы зарядить его до некоторого потенциала, надо поместить на него бесконечный заряд.
б) Определение поля бесконечного плоского конденсатора.
Пусть требуется найти электростатическое поле между двумя заряженными до некоторого потенциала идеально проводящи ми непересекающимися цилиндрическими поверхностями, обра зующие которых параллельны между собой, а направляющие проходят через бесконечно удаленную точку плоскости z (рис. 7.3). В этом случае задача состоит в определении в криволиней ной полосе Q комплексного потенциала /(z), представляющего собой аналитическую функцию, мнимая часть которой прини мает постоянные значения v\ и г>2 на кривых С\ и С*2- Очевид но, аналитическая функция w = f(z) осуществляет конформное отображение данной криволинейной полосы плоскости г на по лосу плоскости w, ограниченную прямыми Im w — щ , Im w = = V2 ‘ Тем самым для решения данной задачи достаточно по строить указанное конформное отображение.
Рис. 7.3 |
Рис. 7.4 |
В качестве примера найдем поле конденсатора, изображен ного на рис. 7.4, если значения потенциала на кривых С\ и Сг соответственно равны 0 и 1. Предварительно найдем функцию z = <р(С), осуществляющую конформное отображение верхней
220 |
ПРИМЕНЕНИЕ АНАЛИТИЧЕСКИХ ФУНКЦИЙ |
ГЛ. 7 |
осуществляет конформное отображение полосы 0 < Im w < 1 плоскости w на данную криволинейную полосу Q плоскости z. При этом прямая Im w = 0 переходит в нижнюю обкладку кон денсатора А1Л2, а прямая Im w = 1 — в верхнюю обкладку, представляющую собой ломаную A2A$AI . Из формулы (7.100) при v = Im w = const получим параметрические уравнения по тенциальных кривых данного электростатического поля. Напри мер, в частном случае при а = 1 интеграл (7.100) вычисляется в элементарных функциях:
z = - ( 1 + тгш + е ™ ).
7Г
Тогда параметрические уравнения эквипотенциальной кривой
v = VQ = const (0 ^ VQ ^ |
1) принимают вид |
|
х = |
- ( 1 + пи + |
cosTTVQ • е7™), |
|
£ |
— оо < гг < оо, |
у = |
- ( KVQ + sin7rvo * е7Ги). |
|
|
7Г |
|
В частности, уравнение средней эквипотенциальной линии
(vo = 0 имеет вид
h , h fir 1 \
V = 5 + j e4 >(S* - 1J.
Эквипотенциальные линии, соответствующие различным значе
VQ > i легко определяется
значение |
т тах |
по фор |
муле |
|
|
Яшах = - |
In (------ |
-— ) . |
7Г |
V |
COS 7ГИ0 / |
Полученные резуль таты легко позволяют определить то расстоя ние от края конденса тора, изображенного на рис. 7.5, на котором поле конденсатора с заданной степенью точности мож но считать плоским.
Вообще, методы конформных отображений широко исполь зуются при расчете плоских электростатических и магнито статических линз, применяемых для фокусировки электрон ных пучков, что необходимо для работы многих физических устройств.