книги / Электронные приборы
..pdf1. Тонкая база и переходы малой площади, по этому транзисторы могут быть использованы на очень высоких частотах.
2. Переходы большой площади, вследствие чего транзисторы работают на больших мощностях и высоких частотах.
3. Коллектор с очень высоким удельным электри ческим сопротивлением, что повышает его про бивное напряжение.
78. Каковы достоинства транзисторов типа «меза»? [2, стр. 202]
1. Большие площади переходов и поэтому тран зисторы могут работать на больших мощностях. 2. Очень малые площади переходов и, следова тельно, транзисторы имеют высокие граничные частоты, а также обладают большой площадью области коллектора, способствующей теплоотводу от него.
3. Большая площадь базы, что позволяет улуч шить теплоотвод.
4. Очень низкое удельное электрическое сопро тивление коллектора, что улучшает импульсные параметры транзисторов.
79. Чем объясняются лучшие высокочастотные свой ства дрейфового транзистора? [1, стр. 339, 340; 2, стр. 195—197]
1. Малым удельным электрическим сопротивле нием базы.
2. Высоким удельным электрическим сопротивле нием области коллектора.
3. Отсутствием диффузии неосновных носителей в. базе.
4.Малыми емкостью коллекторного перехода и временем движения неосновных носителей в базе.
80.Чем отличается эпитаксиальный транзистор от других дрейфовых транзисторов? [2, стр. 198]
1.Эпитаксиальным (с повышенным удельным электрическим сопротивлением) слоем в объеме эмиттера для увеличения входного сопротивления транзистора.
2.Эпитаксиальным слоем в объеме базы для уве
личения входного |
сопротивления |
транзистора. |
3. Эпитаксиальным |
слоем в объеме |
коллектора |
для увеличения постоянной времени заряда кол лекторной емкости.
4. Эпитаксиальным слоем между коллекторным переходом и объемом коллектора, повышающим пробивную прочность транзистора.
9-2. ОБОЗНАЧЕНИЯ, РЕЖИМЫ РАБОТЫ И СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ
В данном параграфе основное внимание уделено схе мам включения транзисторов и их основным особеннос тям, а также соотношениям между й-параметрами транзистора в различных схемах включения.
Рабочие смещения на выводах транзистора в раз личных схемах включения рассматриваются примени тельно к нормальному активному режиму. Для посто янных эмиттерного, базового и коллекторного токов транзистора за положительное принято основное на правление токов в активном режиме; для переменных составляющих токов в режиме малого сигнала за поло жительное принято направление «в кристалл». Инверс ный режим работы транзистора не рассматривается.
1. Укажите условное обозначение в схемах транзи стора типа р-п-р. [2, стр. 385]
2. Укажите условное обозначение в схемах транзи стора типа п-р-п. [2, стр. 385]
3. Что такое |
режим |
отсечки? [1, стр. 282; 2, стр. 120] |
1. Коллекторный |
переход смещен в прямом на |
|
правлении, |
а эмиттерный — в обратном. |
|
2. Коллекторный переход смещен в обратном на правлении, а эмиттерный — в прямом.
3. Коллекторный и эмиттерный переходы смеще ны в прямом направлении.
4. Коллекторный и эмиттерный переходы смеще ны в обратном направлении.
4. При каком включении |
транзистора входное |
сопротивление усилительного |
каскада меньше? [ 1, |
стр. 320] |
|
1.При включении с общей базой.
2.При включении с нагрузкой по схеме с общим коллектором.
3.При включении с общим эмиттером.
4.При любом включении сопротивление одина ково.
5.Можно ли получить усиление тока при включении
транзистора по схеме с общей базой? |
[1, стр. 319] |
1. Можно. 2. Нельзя. 3. При |
малых нагрузках |
в цепи коллектора можно, при больших — нельзя.
6. Какая из схем включения транзистора обеспечи вает максимальное усиление мощности? [1, стр. 329 (см. разъяснение)]
1.Схема с общей базой.
2.Схема с общим эмиттером.
3.Схема с общим коллектором.
4.Во всех схемах усиление мощности одинаково.
7.Можно ли получить усиление по напряжению при включении транзистора по схеме с общим коллектором? [1,стр. 320 (см. разъяснение)]
1. Можно. 2. Нельзя. 3. Можно только при боль ших сопротивлениях нагрузки.
8. Что такое активный режим транзистора? [ 1, стр. 282; 2, стр. 120]
1. Эмиттерный и коллекторный переходы смеще ны в обратном направлении.
2. Эмиттерный й коллекторный переходы смеще ны в прямом направлении.
3. Эмиттерный переход смещен в прямом на правлении, а коллекторный — в обратном.
.9. В какой схеме включения транзистора усилитель ный каскад имеет минимальное выходное сопротивле ние? (См. разъяснение)
1. В схеме с общей базой. 2. В схеме с общим эмиттером. 3. В схеме с общим коллектором.
10. Каково рабочее смещение на транзисторе типа п-р-п при включении по схеме с общим эмиттером? (См. разъяснение)
11. Каково смещение на транзисторе типа р-п-р при его включении по схеме с общей базой? [1, стр. 281]
12; В какой схеме включения транзистора можно получить усиление тока? [ 1, стр. 320]
1.В схеме с общей базой.
2.В схемах с общим эмиттером и общим коллек тором.
3.В схемах с общим эмиттером и общей базой.
4.В схемах с общим коллектором и общей базой.
13.Что такое режим насыщения транзистора?.. [1, стр. 282; 2, стр. 120]
1. Эмиттерный и коллекторный переходы смеще ны в обратном направлении.
2. Эмиттерный переход смещен в прямом направ
лении, а коллекторный — в обратном.
3. Эмиттерный переход смещен в обратном на правлении, а коллекторный — в прямом.
4. Эмиттерный и коллекторный переходы смеще ны в прямом направлении.
14. Каково рабочее смещениена транзисторе типа р-п-р при включении по схеме с общим эмиттером? [ 1, стр. 281]
15. Каково рабочее смещение на транзисторе типа п-р-п при включении по схеме с общим коллектором? (См. разъяснение)
16. Как связаны входные сопротивления транзистора /гцэ в схеме с общим эмиттером и hue в схеме с общей базой? [1, стр. 321 (см. разъяснение)]
1. |
hll9 ~ |
• |
2. hli9 ~ |
^иб* |
|
|
|
|
‘ +Я216 |
|
|
hjiO |
|
3. |
hlla |
hnfj (1 + |
^21б)- 4. |
^-цз ~ |
||
1 А416 |
17. Как связаны входные сопротивления Лцк в схе ме с общим коллектором и hnэ в схеме с общим эмит тером? [1, стр. 320 (см. разъяснение)]
1• |
huu~ |
~ТТТ— • 2- |
+ h2l9). |
|
|
I “Г Л21Э |
|
3. |
hnB~ |
hll9 h2l9. 4, AllK |
h^9. |
18.Каково рабочее смещение на транзисторе типа
р-п-р в схеме с общим коллектором? [ 1, стр. 281]
19. |
Как подается |
смещение на транзистор типа |
п-р-п |
при включении по |
схеме с общей базой? (См. |
разъяснение) |
|
|
20.Какова связь между полными выходными про
водимостями Л22б в схеме с общей базой |
и Л22э в схеме |
|||
с общим эмиттером? (См. разъяснение) |
|
|||
1. |
Л22е ~ Л 22э (1 + |
h2l9). 2. |
ft226^ - r x |
f - . |
|
|
|
1 + |
“ 213 |
3. |
/t226^ / i 229. 4. |
h226t t |
. |
|
|
|
1 — |
«218 |
|
2 1. Как связаны полные выходные проводимости транзистора Л22к в схеме с общим коллектором и Л22э в схеме с общим эмиттером? [1, стр. 321 (см. разъясне ние)]
1. h22H~ Т~Г7 |
• |
2. Л22к ^ |
h223(1 4" ^21э)> |
|
1Т «218 |
|
|
|
|
О и |
Л82Э |
» |
л и |
-- и |
<3. '(22к------ |
- |
« 22,1----«22Э- |
||
I — «218 |
|
|
' |
|
22. Какова связь между коэффициентами передачи тока в схемах с общим эмиттером Л21Э и общей базой Л21б? [1, стр. 321 (см. разъяснение)]
1 |
. |
Л2хб |
. 2 . |
/г. |
|
^21б |
h.'21Э ' |
|
■21э-' |
|
|||
|
|
1 + «21б |
|
1 + «21Й |
||
3. |
h2ig~ ^2i6(1 + |
Л21б)- |
4. |
h2ia~ |
^21б (1 ^21б)• |
|
23. Укажите, чему равно отношение коэффициентов передачи тока в схемах с общим эмиттером /г2хэ и об щим коллектором Л2|К. [1, стр!. 321 (см. разъяснение)]
1. 1* 2. |
1. 3. /t2x6* 4. |
^21б* |
24. Чему равен коэффициент обратной связи по на пряжению /ii2K в -схеме с общим коллектором? [ 1, стр. 320 (см. разъяснение)]
1« ^12к = ^123- 2. /Т[2к = ^12(5• 3. Лх2к ^ ^128 "Ь ^12б*
4.Л12к ~ 1.
25.Укажите выражение, связывающее коэффициент обратной связи по напряжению в схеме с общей базой через ft-параметры в схеме с общим эмиттером. (См.
разъяснение)
1. |
h126—h123 hll3h223. 2. |
/*хгб— 1^ |
^ |
129* |
3 . |
^Х2б — ^113^223 + ^12Э* |
^12б — |
hj29 |
+ Лцэ Л2!123* |
|
|
|
1+ |
|
Режим
27. Укажите область режима отсечки на выходных характеристиках транзистора типа р-п-р в схеме с об щим эмиттером. [1, стр. 308]
28. Укажите области активного режима и режимов отсечки и насыщения на входных характеристиках тран зистора типа р-п-р в схеме с общей базой. [1, стр. 304; 2, стр. 148]
ц*<0 и«Б°
29. |
Как связаны |
входные |
сопротивления транзисто |
|
ра him в схеме с общей |
базой и |
Лцэ |
в схеме с общим |
|
эмиттером? (См. разъяснение). |
|
|
||
1 . |
hll6 ж hUa(1 + |
h2ia). 2 . hll6 ~ |
7337— ♦ |
|
|
|
|
|
1-+■я21Э |
3.Г1пб: hue 4. h21э).
1— hi19
30.Как связаны полные выходные проводимости транзистора Лггэ в схеме с общим эмиттером и Л226 в
схеме с общей базой? [1, стр. 321 (см. разъяснение)]
1. |
h229~ 737т • |
2. |
h22g ^ |
h22$(1 h2и). |
3. |
h22e~^22б ^21б* |
4, |
Л22э~ |
Л22б (^216-- !)• |
31. Укажите, выражение, связывающее коэффициент обратной связи по напряжению в схеме с общим эмит тером через Л-параметры в схеме с общей базой. [1, стр. 321 (см. разъяснение)]
11 |
h^29 2 |
7337— |
1- hue h22f. |
2. h12a«г h126(1 + h216). |
|
3, |
h12g: |
1 +Л216 |
|
|
|
Лцб ^226 + Л12б. 4 . |
Л12э ~ - 1£ |
- ,8- — Л12б. |
|||
|
|
|
|
1 + |
hil6 |
32. Укажите типичные значения коэффициента пере дачи тока Лгхб транзистора в схеме с общей базой. [1, стр. 319, 321]
1. Лив = 30 -н 50. 2. hm = 0,8 -4- 0,9.
3. fhm = |
(0,95 -ь 0,99). 4. Л21б = — (40 80). |
33.Укажите область режима насыщения на выход
ных характеристиках транзистора |
типа р-п-р в схеме |
с общей базой. [1, стр. 306; 2, стр. |
148] |
Режим ^насыщения •
J»‘° %в
и*
1Э >0
Режим
насыщения
± L & s
34. Укажите область режима отсечки на выходных характеристиках транзистора типа р-п-р в схеме с об щей базой. (См. разъяснение)
|
■4» |
л |
|
|
|
13 >0 |
Тэ >0 |
|
|
1 |
^ Режим |
Режим |
|
|
^ отсечки |
|
|
||
|
|
отсечки |
1э-0 |
|
|
1* '° |
|
ик6 |
|
|
|
J |
||
С |
|
|
|
|
|
'///////А//УУ//////////, |
2 |
|
|
|
Режим 1з>0 |
1э >0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
отсечки |
Режим |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
отсечки |
2э 0 ~UK6 |
|
|
|
У |
||
35. Укажите области активного режима и режимов насыщения и отсечки на входных характеристиках тран зистора типа р-п-р в схеме с общим эмиттером. (См. разъяснение)
9-3. СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ
Рассматриваются характеристики транзистора типа р-п-р в системе Л-параметров. Все характеристики вы черчиваются в основном в первом квадранте. Для эмиттерного, базового и коллекторного токов транзистора за положительное принято основное направление токов в активном режиме. Напряжения отсчитываются отно
сительно |
общего |
вывода при любой схеме включения. |
|||||||
Характеристики рассматриваются в диапазоне изме |
|||||||||
нений напряжений |
на коллекторе, при которых не на |
||||||||
блюдается резкого |
возрастания |
коллекторного |
тока |
||||||
вследствие лавинного умножения |
носителей. |
|
|
||||||
1. Какие |
семейства |
статических |
характеристик |
||||||
транзистора |
называются входными? |
[1, |
стр. 301; 2, |
||||||
стр. 146] |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1. |
1г(U2) при |
и г = |
const. |
2. |
Ix(t/j) при U2 = |
const. |
|||
3. |
U2(h) при |
/ 2 = |
const. |
4. |
Ui (/2) |
при |
1г = const. |
||
2. Какие семейства статических характеристик тран зистора называются выходными? [1, стр. 301; 2, стр. 146]
1. I2(£/2) при /х = const. 2. U2(/j) при /2 = const.
3. I2{Ui) при U2 = const. 4. U2(U\) при /2 = const.
3. Какие из семейств статических характеристик транзистора являются основными? [2, стр. 146]
1. Семейства характеристик входных и передачи тока.