книги / Электронные приборы

3.Напряжение сток — исток, при котором насту­ пает насыщение.

4.Напряжение затвор — исток, при котором на­ ступает насыщение.

21.Укажите форму канала и области объемного за­ ряда (заштрихованы) в МДП-транзисторе с индуциро­

ванным каналом при напряжениях на выводах, соответ­ ствующих режиму насыщения. [1. стр. 353]

^ р -ка п а л	р - канал	\
С	И
		1Г

РА

ш

22. Что называется		напряжением	насыщения
МДП-транзистора	с	индуцированным	каналом?
[1, стр. 353]

1.Напряжение сток — исток, при котором образу­ ется канал проводимости.

2.Напряжение затвор — исток, при котором об­ разуется канал проводимости.

3.Напряжение сток — исток, при котором проис­ ходит перекрытие канала.

4.Напряжение затвор — исток, при котором про­ исходит перекрытие канала.

23.Укажите форму канала и области объемного за­ ряда (заштрихованы) в МДП-транзисторе с индуциро­

ванным каналом при напряжениях на выводах, при ко­ торых отсутствует режим насыщения. [1, стр. 353]

	р -капал*		р-капал
С	И	С	И

24.Укажите приближенную зависимость тока стока

врежиме насыщения/с нас от напряжений в МДП-тран­ зисторе с индуцированным р-каналом. [1, стр. 354]

^ С н а с ~ (^ С И н а с ^ З и ) 2-

IQнас~ (^С И нас —

^ З И п о р ) 2, 3 .	/ С иас ~ (^ С И	^ З и ) 2’
4 ’ ^ С н а с ~ ( ^ З И	^ З И пор)2,

25. Укажите связь напряжения насыщения с порого­ вым напряжением в МДП-транзисторе с индуцирован­ ным р-каналом. [1,стр. 354]

1	^ с и н а е =		^ З И	пор*	и си нас =	и зи пор	и з и .
	^ с и	нас =	( ^ З И	^ З И	пор)2,	^ С И нас ~
=	^ З И	пор	U Ш -
26. В чем состоит различие между МДП-транзисто-
р£ми с индуцированным					и встроенным		каналами?
[1, стр. 349; 2, стр. 244]

1. В транзисторе со встроенным каналом канал проводимости существует уже при нулевом напря­ жении затвор — исток.

2.	Различие между	транзисторами отсутствует.
3.	В транзисторе со	встроенным каналом канал

проводимости не может быть перекрыт напряже­ нием затвор — исток.

4.Правильного ответа нет.

27.Какой полярности напряжения затвор — исток яв­ ляются рабочими для МДП-транзистора со встроенным

каналом? [1, стр. 349]

1.Только той же полярности, что и в транзисто­ ре с индуцированным каналом.

2.Только противоположной полярности в сравне­ нии с транзистором с индуцированным затвором.

3.Любой полярности в пределах напряжений, при которых обеспечивается проводимость через канал.

28.Можно ли получить канал проводимости в МДП-

транзисторе при нулевом напряжении затвор — исток, если использовать неидеальную структуру МДП? (См. разъяснение)

1. Можно. 2. Нельзя.

10-3. ОБОЗНАЧЕНИЯ И СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Схемы включения полевых транзисторов ограничены рассмотрением транзистора с управляющим р-п перехо­ дом. МДП-транзисторы из-за отсутствия тока в цепи за­

твора и возможности подачи напряжения разной поляр­ ности (в случае встроенного канала) допускает большое разнообразие рабочих смещений и потому не рассмат­ риваются.

1. Укажите, обозначение в схемах транзистора с управляющим р-п переходом и п-каналом. [2, стр. 385]

2. Укажите обозначение.в схемах транзистора с изо­ лированным затвором обогащенного типа (с индуциро­ ванным каналом) с p-каналом и выводом от подложки. (См. разъяснение)

3. Укажите обозначение в схемах транзистора с изо­ лированным затвором обедненного типа (со встроен­ ным каналом) с n-каналом. (См. разъяснение)

4. Укажите обозначение в схемах транзистора с изо­ лированным затвором обогащенного типа (с индуциро­ ванным каналом) с n-каналом. (См. разъяснение)

5. Укажите обозначение в схемах транзистора с управляющим р-п переходом и р-каналом. [2, стр. 386]

4 ? У

/г

6.Укажите обозначение в схемах транзистора с изо­ лированным затвором обогащенного типа (с индуциро­ ванным каналом) с p-каналом. (См. разъяснение)

Ф й

Ф V

7.Укажите обозначение в схемах транзистора с изо­

лированным затвором обедненного типа (со встроенным каналом) с p-каналом. (См. разъяснение)

^

V

1 ^

^

^

8. Каково рабочее смещение на транзисторе с управ­ ляющим р-п переходом и «-каналом в схеме с общим ис­ током? [1, стр. 344]

г		л i.'©-Л {г©1Л
		Л С__ Л 1!__ л
1	2	J	4

9. Каково рабочее смещение на транзисторе с управ­ ляющим р-п переходом и p-каналом в схеме с общим стоком? (См. разъяснение)

Л	Л	E	t g	c ,	Л	L
t ______ Л Г	Л	Г	...		л ? л	г

10. Каково рабочее смещение на транзисторе с управ­ ляющим р-п переходом и p-каналом в схеме с общим за­ твором? (См. разъяснение)

ГЖЛ СЖЛ ГЖ1 ГЖД

Г М Г Г Г Г1 LXJ

11. Каково рабочее смещение на транзисторе с управ­ ляющим р-п переходом и n-каналом в схеме с общим стоком? [1, стр. 344]

1_©п _i	L ©л +i i+		.1	i, ®-i.i
II I !	Г	J t	]	t	Л

12. Каково рабочее смещение на транзисторе с управ­ ляющим р-п переходом и /г-каналом в схеме с общим за­ твором? [1; стр. 344]

ПЖ1 1ГЖЛ ГЖ71 Г (ЙЛ

Г _ ] И Х Л LJ_ J

13. Каково рабочее смещение на транзисторе с управ­ ляющим р-п переходом и p-каналом в схеме с общим ис­ током? (См. разъяснение)

© Л	г ©	71
Г -	Г Г
' Л	t	7 1

Л1 71 г__.J I!__.71

J

*

Рассматриваются характеристики полевого транзис­ тора с управляющим р-п переходом и характеристики транзистора с одним верхним изолированным затвором; положительные направления напряжений и токов вы­ браны, как в четырехполюснике, при этом характеристи­ ки передачи рассматриваются для основного режима ра­ боты транзистора — режима насыщения.

1. Какие семейства статических характеристик тран­ зистора называются выходными? [1, стр. 346]

1. М ^зи ) при ^си = const.

2* 1с (^си) при t/3H = const.

3. Iс (£/зи) при / 3 = const.

4- /3 (t/си) при Um = const.

2. Какие семейства статических характеристик тран­ зистора называются входными? [1, стр. 346]

1• 7з (^зи) при

= const.

2* (^си) при £/3и == const,

73 (^зи) при / с = const,

4* 7з (^си) при Um = const.

3. Какие семейства статических характеристик тран­ зистора называются характеристиками прямой переда­ чи? [1, стр. 346]

!•	7с (7з) при Ucli = const.
2-	и си {и зи) при /с = const.
3.	/3 (/с) при U3ll = const.
4-	М ^зи) при и си = const.

4. Укажите выходную характеристику транзистора с управляющим р-п переходом и «-каналом. [1, стр. 346; 2, стр. 233]

5.Укажите входную характеристику транзистора с

управляющим р-п переходом и «-каналом при [/си = 0 . [1, стр. 348; 2, стр. 235]

6.Укажите характеристику прямой передачи транзи­

стора с управляющим р-п переходом и «-каналом. [1, стр. 348; 2, стр. 235]

7. Укажите графическую зависимость / C (UCH ), яв­ ляющуюся геометрическим местом точек, соответствую­ щих переходу транзистора с управляющим р-п перехо­ дом и n-каналом в режим насыщения. [1, стр. 346; 2, стр.233]

8. Укажите выходную характеристику транзистора с изолированным затвором и индуцированным «-каналом при UzvO Uзинор • [1. стр. 353; 2, стр. 244]

9. Укажите входную характеристику транзистора с управляющим р-п переходом и n-каналом при Uси >0*

[2, стр. 235]

10. Как изменится выходная характеристика транзи­ стора с управляющим р-п переходом и n-каналом при уменьшении напряжения затвор — исток? [1, стр. 346; 2, стр. 233]

11. Укажите характеристику передачи транзистора с изолированным затвором и индуцированным п-каналом.

[2, стр. 244]

12.Укажите характеристику передачи транзистора с

изолированным затвором и встроенным р-каналом. [1, стр. 349; 2, стр. 244]

13. Как изменится выходная характеристика тран­ зистора с изолированным затвором и встроенным п-ка- налом при увеличении напряжения затвор — исток?

[1, стр. 349; 2, стр. 244]

14.Укажите характеристику, передачи транзистора с

изолированным затвором и встроенным л-каналом. [1, стр. 349; 2, стр. 244]

15. Укажите область насыщения (заштрихована) в семействе выходных характеристик транзистора с управ­ ляющим р-п переходом и п-каналом. [1, стр. 346; 2, сдр. 233]

16. Укажите характеристику передачи транзистора с управляющим р-п переходом и р-каналом. [1, стр. 348; 2, стр. 235]

17.Как изменится выходная характеристика транзи­

стора с изолированным затвором и индуцированным n-каналом при увеличении напряжения затвор — исток? [1, стр. 353; 2, стр. 244]