- •2.1. Общие принципы конструктивного исполнения реле
- •2.2. Электромеханические реле
- •2.3. Конструкции реле, выполняемых на электромагнитном принципе
- •2.4. Промежуточные реле (логические элементы)
- •2.5. Указательные реле
- •2.6. Реле времени
- •2.7. Поляризованные реле
- •2.8. Индукционные реле
- •2.9. Реле тока на индукционном принципе
- •2.10. Индукционные реле тока серий рао и рт-90
- •2.11. Индукционные реле направления мощности
- •2.12. Магнитоэлектрические реле
- •2.13. Измерительные органы на полупроводниковой элементной базе
- •2.14. Типовьп функциональные элемгенты полупроводниковых ио
- •2.15. Аналоговые микросхемы, используемые для построения функциональных элементов ио
- •2.16. Основные схемы включения операционных усилителей, используемые в устройствах рз
- •2.17. Простейшие функциональные элементы, выполняемые на оу
- •2.18. Схемы сравнения двух электрических величин
- •2.19. Измерительные органы тока и напряжения на имс
- •2.20. Измерительные органы (реле) с двумя, входными величинами на интегральных микросхема.
- •2.21. Элементы логической и исполнительной частей устройств рз
- •2.22. Органы логики на имс
Глава вторая
ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ И ЛОГИЧЕСКИХ ОРГАНОВ РЕЛЕЙНОЙ ЗАЩИТЫ
2.1. Общие принципы конструктивного исполнения реле
Элементная база.В устройствах РЗ и электрической автоматики применяются реле, выполняемые на базе электромеханических конструкций, на полупроводниковых приборах, изготавливаемые из отдельных диодов, транзисторов и вспомогательных деталей (резисторов, конденсаторов, трансформаторов). В последнее время широкое распространение получили полупроводниковые реле, основанные на полупроводниковых интегральных микросхемах [З4].
Электромеханические реле и выполняемые на их основе РЗ обладают большими габаритами, значительным потреблением мощности, требуют тщательного и трудоемкого ухода за состоянием подвижных частей и коммутационных контактов, имеют ограниченные возможности в обеспечении повышенных требований в части быстродействия и чувствительности.
В 60-х годах, когда в электронной технике получили широкое применение полупроводниковые приборы, они стали использоваться и в РЗ. Сначала появились реле, построенные из отдельных (дискретных) полупроводниковых приборов, соединяемых с помощью монтажных проводников. Такое исполнение позволяло несколько уменьшить габариты и потребление мощности реле, повысить чувствительность и быстродействие. Однако слабой стороной таких реле оказались многочисленные и трудноконтролируемые пайки в соединительных цепях и большое число полупроводниковых элементов [16].
Новые возможности для совершенствования РЗ появились в 70-х годах в связи с появлением ИМС, которые состоят из большого числа транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов, соединенных по типовым схемам. Все указанные элементы и связи с ними выполняются в объеме и на поверхности полупроводниковой пластины, называемой подложкой, с помощью специальной интегральной технологии. Все полупроводниковые компоненты, входящие в состав микросхемы, являются органической частью полупроводниковой пластины и неотделимы от нее. Поэтому каждая ИМС является самостоятельным неделимым элементом, выполняющим определенную функцию. В микросхемах, используемых в устройствах РЗ, может находиться от нескольких десятков до 100 элементов и более, но несмотря на это размеры ИМС соизмеримы с размером одного транзистора. Элементом реле становится микросхема, что уменьшает число составных частей реле и упрощает схему защиты.
Применение ИМС позволяет существенно сократить габариты, массу, потребляемую мощность и повысить надежность РЗ. Интегральные микросхемы помещены в герметический корпус и защищены от влияния внешней среды, что значительно повышает их надежность; успешно решается задача по снижению габаритов, потребления и стоимости аппаратуры. Построение реле на ИМС существенно упрощает и снижает трудоемкость эксплуатационного обслуживания устройств РЗ в целом. Открываются возможности улучшения всех параметров реле и усовершенствования характеристик срабатывания. Отечественная промышленность серийно выпускает реле и РЗ на ИМС [42-44].
Перспективным направлением дальнейшего совершенствования РЗ является их построение на базе микропроцессоров. В нашей стране ведутся разработки и подготовка к производству РЗ на микропроцессорах.
Структурная схема измерительных органов и их классификация.При всем многообразии измерительных органов (ИО) в их структуре имеются четыре функциональных части, общие для всех разновидностей:
в о с п р и н и м а ю щ а я 1 – входная часть ИО (рис.2.1), которая принимает поступающие от измерительных ТТ и ТН защищаемого объекта сигналы (на рис.2.1 показано реле, реагирующее на два сигнала: токI и напряжениеU) и превращает их в величины, пригодные для использования в данной конструкции реле;
п р е о б р а з у ю щ а я 2 (формирующая), которая, получив сигналы от воспринимающей части, преобразует их в сравниваемые величины;
сравнивающая 3, которая производит сравнение сформированных величин по абсолютному значению или фазе с заданной величиной или между собой и по результату сравнения выдает сигнал о срабатывании или недействии реле;
исполнительная 4, которая усиливает выходной сигнал и воздействует на управляемую цепь.
У реле, работающих с выдержкой времени, имеется пятая функциональная часть, осуществляющая замедление действия реле.
Измерительные органы (реле), реагирующие на электрические величины, можно подразделить на три группы:
измерительные органы (ИО), реагирующие на одну электрическую величину: ток или напряжение;
ИО, реагирующие на две электрические величины: ток и напряжение сети или два напряжения UI иUII, каждое из которых является функцией тока и напряжения сети;
ИО, реагирующие на три электрические величины или более, например: три тока и три напряжения сети или несколько напряжений, представляющих линейные функции токов и напряжения сети.
К первой группе относятся ИО тока и напряжения. Ко второй принадлежат однофазные ИО мощности, сопротивления и некоторые другие. К третьей относятся трехфазные реле мощности, многофазные реле сопротивления и другие устройства.
В данной главе рассматриваются наиболее распространенные принципы устройства основных типов электромеханических реле и ИО, выполненных на интегральных микросхемах, применяемые во всех видах защит.
Принципы действия и устройство ИО, предназначенные для отдельных защит – дифференциальных, дистанционных и других, рассматриваются в главах, посвященных этим защитам.