- •14. Особенности изучения реального кристаллообразования. Выбор метода выращивания монокристаллов.
- •3. Точечные
- •15.Технология получения монокристаллов. Выращивание монокристаллов из расплава. Характеристики метода.
- •16. Методы нормальной направленной кристаллизации. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •17. Метод Бриджмена. Основные параметры. Достоинства и недостатки. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •18. Методы вытягивания кристаллов из расплава. Метод Чохральского. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •19. Методы вытягивания кристаллов из расплава. Метод Киропулуса. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •20. Методы зонной плавки. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •21. Бестигельные методы выращивания монокристаллов. Метод Вернейля. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •22. Бестигельные методы выращивания монокристаллов. Зонная плавка. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •23. Бестигельные методы выращивания монокристаллов. Метод выращивания с пьедестала. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •24. Выращивание кристаллов из растворов. Требование к растворителю. Основные стадии.
- •25. Выращивание кристаллов из растворов. Метод зонной плавки.
- •26. Выращивание кристаллов из растворов. Гидротермальное выращивание. Основные параметры и требования.
- •27.Выращивание из растворов. Метод испарения летучего растворителя.
- •28.Выращивание из растворов. Метод повышения концентрации летучего компонента раствора.
- •29. Выращивание из растворов. Направленная кристаллизация пересыщенных растворов.
- •30. Выращивание монокристаллов из паровой фазы.
- •1.Метод конденсации паров компонентов.
- •2. Метод диссоциации восстановление газообразующих соединений.
- •3.Метод реакции переноса.
- •3.1.Метод переноса в потоке
- •31. Легирование кристаллов в твердой фазе.
- •32. Легирование кристаллов при выращивании из жидкой фазы.
- •33. Технологические неоднородности состава кристаллов и методы их уменьшения.
- •34. Легирование кристаллов при выращивании из газовой фазы.
- •3.Метод газоразр-го легирования.
- •4.Материалы электрода.
- •35. Особенности стеклообразного состояния и строение стекла. Типы стекол. Температурный интервал стеклования. Теория Лебедева.
- •36. Физико-химические основы стекловарения. Вязкость и поверхностное натяжение стекол и расплавов. Технологическая шкала вязкости.
- •1. Технологические параметры, которые определяют технологию варки стекла.
- •37. Сырьевые материалы для производства стекла. Природное сырье и синтетическое. Основное и вспомогательное сырье. Методы получения синтетического оксида кремния.
- •2 Группы:
- •6.5 Ускорители варки стекла.
- •39. Приготовление шихты. Факторы, влияющие на качество шихты.
- •40.Изготовление шихты для изготовления высокооднородных стекол (метод соосаждения, метод гидролиза, топохимический метод)
- •1.Метод соосаждения.
- •2.Метод гидролиза.
- •3.Топохимический метод
- •Стекловарение. Этапы стекловарения. Силикатообразование. Факторы, влияющие на процесс.
- •Стекловарение. Этапы стекловарения. Стеклообразование. Факторы, влияющие на процесс.
- •43. Стекловарение. Этапы стекловарения. Осветление.
- •Стекловарение. Этапы стекловарения. Этап гомогенизации. Факторы, влияющие на процесс.
- •Стекловарение. Этапы стекловарения. Студка. Факторы, влияющие на процесс.
- •Пороки стекла. Газовые, стекловидные, кристаллические пороки. Методы борьбы с пороками.
- •Формование стекла. Стадии процесса формования.
- •48. Непрерывные и циклические процессы формования стекла.
- •49. Технологические характеристики формования. Текучесть стекломассы. Охлаждение и твердение.
- •50. Способы формования стекла. Вытягивание. Прокатка. Прессование. Выдувание. Центробежное формование. Флоат способ.
- •51. Термическая обработка стекла. Отжиг и закалка стекла.
- •52. Методы получения пленок стекла. Нанесение пленок из жидкой фазы. Нанесение пленок из газовой фазы. Структура и свойства пленок стекла. Дефекты пленок.
- •Ситаллы. Катализаторы кристаллизации. Требования к катализаторам. Механизмы действия катализаторов. Фотоситаллы. Термоситаллы.
- •Технологические стадии получения ситаллов.
14. Особенности изучения реального кристаллообразования. Выбор метода выращивания монокристаллов.
1. учет марфологогенистического и технологического подхода.
Марфологогенистический рассматривает рост кристалла как эволюцию развития зародыша.
Технологический объединяет это рассмотрение с условием выращивания и учитывает лимитирующую стадию.
2. изучение роста кристаллов путем анализа не только элементарных стадий, но и как целого.
3. учет специфического роста кристалла, который приспосабливается условием материнской среды.
Ростовые дефекты:
1. дислокации
2. двойники
3. Точечные
4. примесные
5. дефекты упаковки
3 группы причин образования дислокаций при выращивании кристалла:
1. уноследовательные
2. ростовые
3. термические
При разработки технологий выращивания монокристаллов определяет:
1.условие, при котором обеспечивается надежное получение монокристаллов с заданными характеристиками.
2. влияние условий выращивания монокристаллов на возникновения дефектов.
3. условия введения в кристалл легирующих примесей.
4. влияние примесей на возникновения структурных несовершенств.
Для выращивания монокристаллов используются процессы кристаллизации из расплавов, из провой фазы или из растворов. Во всех случаях механизм роста кристалла подчиняется законом повторимого роста. Между кристаллом и окружающей средой есть переходный слой – граница раздела фаз и все атомы, которые учувствуют в процессе некоторое время находятся в слое. В нем устанавливаются сложные химические равновесия и малейшие отклонения от равновесия вызывает резкие изменения в кинетики роста. Состав и природа питающей среды определяет кинетику роста, а изменение состава и внешних условий – возникновение различных несовершенств.
Классификация методов выращивания монокристаллов (по питающей среде):
1. рост кристалла из твердой фазы
2. расплав в чистых веществ и расплав легирующих примесей
3. из растворов кристаллизуемого вещества в чистом расплаве или примесном
4. из газовой фазы, когда она состоит из элементов, образующих кристалл или из хим. Соединений, образующих кристалл.
15.Технология получения монокристаллов. Выращивание монокристаллов из расплава. Характеристики метода.
1.Метод делят на 2 группы:
тигельные
2.безцигельные
Метод основан на создании градиента температур и на механическом перемещении границы раздела кристалл-расплав через градиент темпер-р.
При З=const возможно только Т, при которой ТВ фаза в равновесии в жид. Уменьшение Т вызывает кристаллизацию (рост ТВ фазы) за счет жид и обязательно выделяется скрытая теплота кристалл-ии. Если внешний теплоотвод отсутствует, то теплота возвращается в систему, разогревает ее и рост ТВ фазы прекращается.
Для непрерывного роста ТВ фазы необходим теплоотвод и сохранение градиента темпер-р.
Из выращенных монокристаллов получают подложки и пластины для разл композиций. Кач-во монокристалла определяет кач-во прибора. Часто испол-т монокристаллы элемент-х пп, но есть и потребность и в монокрист-х пп-соед-ий.
Кристалл-я из расплава – это кристалл-я, когда состав расплава не отличается или мало отличается от состава кристл-й фазы.
Высокие Т процесса требуют применение установок высокой мощности. В основе метода лежит направленная кристаллизация расплава, т.е зарождение и рост кристалла при градиенте темпр-р осущест-ся на одной фаз-й границе и теплота от фронта крист-ии отводится в одном направлении.
То позволяет кристалл-ть расплав в виде 1-го монокристалла.
Методы направленной кристалл-ии делятся на 3 группы:
1. метод напрвл-й норм крист-ии - расплавлюят всю заготовку, а затем крист-ют ее с 1-го конца.
2.методы вытягивания кристаллов из расплава – кристалл-т расплав заготовки путем вытягивания на затравку.
3. метод зонной плавки – последовательно расплавляют, а затем кристл-т только небольшую зону заготовки.