- •Политехнический колледж № 39
- •Электропроводность полупроводников. Зависимость электропроводности от внешних факторов. Материал полупроводников.
- •Электронные ключи и формирование импульсов.
- •Политехнический колледж № 39
- •Задача. Изобразить схему усилительного каскада на полевом транзисторе
- •Определение и свойства p-n- перехода. Вах p-n- перехода
- •Триггеры, устройство, принцип действия, применение
- •Триггер на логических элементах. Асихронный rs-триггер.
- •Виды электронной эмиссии, применение в электронных приборах.
- •Политехнический колледж № 39
- •Выпрямительные полупроводниковые диоды (определение, уго, прямое и обратное включение)
- •Параметры ппд:
- •Стабилитроны (определение, уго, параметры, включение в цепь)
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Биполярные транзисторы (определение, структура, обозначение, принцип работы)
- •2. Режимы работы усилителя.
- •3. Задача. Коэффициент усиления по току для схемы с общим эмиттером
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Классификация и условное графическое обозначение на схемах полупроводниковых диодов.
- •Параметры ппд:
- •3. Задача. Для биполярного транзистора коэффициент передачи тока
- •Политехнический колледж № 39
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Назначение фото и светоэлементов. Условное графическое обозначение
- •2. Усилитель постоянного тока. Гальваническая межкаскадная связь.
- •3. Задача. Для схемы включения биполярного транзистора с оэ для
- •Политехнический колледж № 39
- •3. Задача. Какое количество электронов вызывает фототок 100 мА,
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Основные параметры биполярных транзисторов.
- •Входные и выходные характеристики транзисторов.
- •Обратная связь в усилителях.
- •Политехнический колледж № 39
- •Политехнический колледж № 39
- •1 Полевые транзисторы с управляемым p-n- переходом
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Биполярные транзисторы (определение, структура, уго, принцип работы).
- •2. Оптроны (схемы, состав, принцип действия, применение)
- •3. Задача. Подсчитать коэффициент усиления трехкаскадного усилителя,
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Условное графическое обозначение на схемах биполярных
- •Политехнический колледж № 39
- •2. Виды эмиссии. Работа электровакуумного диода и триода.
- •Политехнический колледж № 39
- •Упт с преобразователем и без него. Дифференциальный упт.
- •Биполярный дифференциальный каскад. Дифференциальный усилитель:
- •Политехнический колледж № 39
- •Искажения, вносимые усилителем
- •Политехнический колледж № 39
- •3. Задача. Изобразить принципиальную электрическую
- •Политехнический колледж № 39
- •Искажения, вносимые усилителем
- •Политехнический колледж № 39
- •Политехнический колледж № 39
- •Политехнический колледж № 39
- •Планарно-эпитаксиальная технология
- •Политехнический колледж № 39
- •2. Характеристики фотоэлементов: вах, световая, спектральная. Фотоэлектронный умножитель.
- •Политехнический колледж № 39
- •2. Фотодиоды, фототранзисторы, фоторезисторы (определение, уго, принцип действия, параметры и применение)
- •3. Задача. Определить угловую частоту затухающих колебаний w0 и
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Светодиоды: назначение, применение, обозначение на схемах, принцип работы.
- •2. Работа логических элементов «и», «или», «не», «и-не». Таблицы истинности логических элементов.
- •3. Задача 30. Подсчитать индуктивное и емкостное сопротивление для
Политехнический колледж № 39
УТВЕРЖДАЮ Зам директора по УР ___________________
Стрельникова Т.А. |
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 1
Дисциплина: Электронная техника |
СОГЛАСОВАНО Председатель предметной комиссии _________________ Жданова И.М.
|
«___» апреля 2010 г.
|
Группы: ВМ-25, ВМ-21 |
«___» апреля 2010 г. |
Электропроводность полупроводников. Зависимость электропроводности от внешних факторов. Материал полупроводников.
В зависимости от величины удельного электрического сопротивления ρ все материалы делят на: проводники, полупроводники, диэлектрики. Полупроводники, среди которых наиболее широко применяются кремний (Si), германий (Ge), арсенид
галлия, карбид кремния, селен, теллур, сульфиды и т.п. имеют твердую кристаллическую решетку типа алмаза или графита. Три зоны проводимости: 1-валентная зона; 2-зона проводимости; 3-запретная зона. Валентную зону образуют электроны на внешнем уровне. Зону проводимости образуют свободные электроны. Кристаллы Si и Ge имеют кубическую решетку. Каждый атом связан с 4 соседними ковалентными связями и окружен 4 своими и 4 электронами соседних атомов. Ковалентная связь разрывается, электроны уходят из нее, получив необходимую энергию при нагревании или облучении. Электроны становятся свободными носителями заряда. Одновременно образуются незаполненные ковалентные связи – дырки.
Генерация – разрывы ковалентных связей, сопровождающиеся образованием свободных электронов при поглощении энергии.
Рекомбинация-восстановление ковалентных связей при выделении энергии.
При наличии ЭП электроны двигаются в направлении ЭП, а дырки - в противоположном направлении.
Проводимость, обусловленная движением свободных электронов, называется электронной, а проводимость, вызванная движением дырок, - дырочной. Электронную проводимость называют проводимостью n-типа, а дырочную – проводимостью p-типа
Проводимость, осуществляемая одновременно электронами и дырками, называется собственной проводимостью
Для изменения характера проводимости в чистый полупроводник вводят примеси:
Элементы V группы-донорная примесь- (мышьяк, фосфор, сурьма) для преобладания электронной проводимости.
ПП (полупроводник) n-типа
Элементы III группы –акцепторные-(бор, алюминий, галлий, индий) для преобладания дырочной проводимости.
ПП (полупроводник) p-типа
Проводимость в ПП зависит от температуры, степени освещенности, радиации, от вида и % -содержания примесей.
При температуре абсолютного нуля (-2730С) все валентные электроны участвуют в образовании ковалентных связей свободных носителей зарядов нет, ПП подобен идеальному диэлектрику.
Электронные ключи и формирование импульсов.
Т ранзисторные ключи. Ключ коммутирует (включает и выключает) участки электрической цепи. Его действие основано на том, что во включенном состоянии он обладает очень малым, а в выключенном – большим сопротивлением.
В отличие от усилительных схем транзистор ключа работает в нелинейном режиме: с некоторых значений базового напряжения Uб max перестает изменяться вслед за Uб
Ключ устанавливается последовательно с коммутируемым участкам цепи (нагрузкой) или параллельно ему. Когда под действием управляющего напряжения Uупр транзистор заперт (выключен), нагрузка Rн через резистор Rк подключается к источнику питания Eк. Если управляющим напряжением обеспечивается насыщение, нагрузка оказывается зашунтированной его незначительным сопротивлением и напряжение на ней становится равным 0.
При включенном транзисторе нагрузка Rн подключается к напряжению UВХ. При выключенном эта связь обрывается. Данный ключ нормально работает при UВХ > 0.
Ключевые свойства транзистора не являются идеальными (RВКЛ ≠ 0, RВЫКЛ ≠∞). Поэтому для повышения эффективности коммутации ее иногда осуществляют одновременно последовательным и параллельным ключами.
При этом для подключения нагрузки транзистор последовательного ключа включается. А транзистор параллельного ключа выключается.
Задача. Определить коэффициент усиления инвертирующего усилителя, если входное сопротивление R1 =20 кОм, а сопротивление цепи обратной связи R2 =2 МОм
Решение: к=-Rвх/Rос кдб=20lg*Uвых/Uвх, к=-Uвых/Uвх.