7. Методические указания по самостоятельной работе слушателей

По каждому из разделов дисциплины предусматриваются в качестве самостоятельной индивидуальной работы рефераты на следующие темы:

Реферат «3D технология систем в корпусе».

В нем необходимо рассмотреть технологи проектирования и производства систем в корпусе. Провести классификацию способа монтажа, привести примеры систем 2D и 3D компоновки.

Реферат «Верификация систем в корпусе».

Следует рассмотреть методы верификации в современных САПР систем в корпусе, провести аналогию для верификации цифровых и аналоговых модулей для 3D изделий. Отметить комплексный характер верификации.

Реферат «Теплофизическое проектирование систем в корпусе».

Описать существующие методы оценки температурных режимов систем в корпусе, кристаллов, теплофизическое проектирование и способы отвода тепла от кристаллов. Провести поиск и привести краткое описание возможностей САПР теплофизического проектирования.

8. Методические указания слушателям по изучению дисциплины

Рабочая учебная программа предусматривает по дисциплине курс из семи лекций, одна из которых – двухчасовая, самостоятельную работу слушателей в виде рефератов и лабораторный практикум из пяти работ. Основой для изучения дисциплины являются лекции преподавателя, конспекты лекций и образовательные ресурсы по дисциплине.

В первой лекции рассматриваются основы корпусирования ИС, виды и типы корпусов ИС. Назначение корпуса ИС. Обсуждается технологический маршрут и технология корпусирования.

Вторая лекция посвящена методологии проектирования систем в корпусе. В ней даются определение и виды систем в корпусе: цифровые и ВЧ системы в корпусе, особенности их проектирования и технологии изготовления. Следует обратить внимание на принципиальное отличие в подходе проектирования ВЧ и цифровых систем в корпусе.

Этап планировки системы на кристалле. 2D размещение и 3D размещение, разметка корпуса, формирование технологических (технических) условий и ограничений рассматриваются в третьей лекции.

Четвертая лекция тесно связана с четвертой лабораторной работой, в которой исследуются искажения, перекрестные наводки, межкомпонентные связи, а также способы реализации и описания.

В пятой лекции излагаются способы повышения плотности компоновки, 3D технология (die stacking), методы реализации и ограничения. Рассматриваются микрополосковые линии ВЧ систем в корпусе и моделирование межкомпонентных связей. Логически она тесно связана с четвертой лекцией.

Тематика межкомпонентныхсязей и перекрестных наводок продолжается в шестой лекции. Там же рассматривается прототипирование систем в корпусе, физическая верификация и подготовка к производству.

Теплофизическое проектирование и моделирование системы в корпусе рассматривается в заключительной седьмой лекции. Тепловые процессы в ИС, проблемы отвода тепла в 2D и 3D технологии – все это исследуется в пятой лабораторной работе.

Методические указания по выполнению рефератов приведены в разделе «Методические указания по самостоятельной работе слушателей».

Методические указания к лабораторному практикуму приведены в разделе «Лабораторный практикум».

9. Тестовые вопросы

№	Вопрос	Варианты ответа
1	Корпус — это часть … микросхемы, предназначенная для защиты от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов	конструкции	1.1
		системы	1.2
		элемента	1.3
		архитектуры	1.4
2	По виду интеграции модулей в корпусе SiP классифицируются:	SiP-A, SiP-D, SiP-RF	2.1
		PoP, PiP, DS, TSV	2.2
		A, B. C. AB, F	2.3
		I, II, III, IV	2.4
3	Можно выделить … типа корпуса:	два	3.1
		три	3.2
		четыре	3.3
		пять	3.4

4	По области применения SiP классифицируются:	Низкочастотные и высокочастотные	4.1
		Аналоговые и цифровые	4.2
		Смешанные и высокочастотные	4.3
		Низкоэнергопотребляющие и мощные	4.4
5	SiP проектируются на платформе ….	Alegro	5.1
		Encounter	5.2
		Incisive	5.3
		Virtuoso	5.4
6	Микрополосковые линии в RF системs в корпусе описываются … параметрами	H	6.1
		Y	6.2
		Z	6.3
		S	6.4
7	Потребляемая мощность SiP зависит от …, тактовой частоты системы и сложности проекта	напряжения питания	7.1
		окружающей температуры	7.2
		влажности	7.3
		конструкции	7.4
8	Рабочая температура корпуса SiP зависит от варианта исполнения: …, промышленное, военное.	бытовое	8.1
		специальное	8.2
		морское	8.3
		коммерческое	8.4

9	При корпусировании кристаллов используется технологическая документация: схема расположения контактных площадок; … контактных площадок; схема разварки кристалла в корпусе.	таблица координат	9.1
		перечень типов	9.2
		графическое изображение	9.3
		маркировка	9.4
10	Моделирование перекрестных наводок осуществляется в программе анализа целостности сигнала …	Spectre	10.1
		Spice	10.2
		SuperLink	10.3
		HyperLink	10.4
11	Потребляемая мощность SiP зависит от напряжения питания, тактовой частоты системы и …...	выбранного корпуса	11.1
		температуры окружающей среды	11.2
		сложности проекта	11.3
		способа компоновки	11.4
12	Для проверок на прочность соединения кристалл-корпус применяют …... разрушающий контроль.	рентгеновский	12.1
		ультразвуковой	12.2
		неразрушающий	12.3
		разрушающий	12.4
13	Этап …. – подключения контактных площадок кристалла к выводам ИС	разварки	13.1
		контактирования	13.2
		трассировки	13.3
		пайки	13.4
14	В процессе проектирования принимают участие: специалисты по интегральным схемам, проектировщики общей подложки, разработчик …	СБИС	14.1
		программного обеспечения	14.2
		корпуса	14.3
		тестов	14.4
15	Для проектирования систем в корпусе применяют ….методологию.	«снизу-вверх»	15.1
		«сверху-вниз»	15.2
		системную	15.3
		комбинированную	15.4
16	Модули DFT применяются в 3D изделиях для обеспечения …. системы.	программируемости	16.1
		контролируемости	16.2
		маштабируемости	16.3
		платформонезависимости	16.4
17	Все модули входящие в состав SiP должны иметь для планирования и размещения ограничения, определяющее характер их ….	питания	17.1
		подключения	17.2
		местоположения	17.3
		экранирования	17.4
18	Модель ….. соединений (VSIC) включает описание логической схемы, физической реализации и электрических характеристик системы соединений разрабатываемого устройства, в том числе и систему питания	межкристальных	18.1
		высокочастотных	18.2
		системных	18.3
		виртуальных	18.4
19	Моделирование RF-структур может осуществляться на базе программы …..	Hspice	19.1
		Spectre RF	19.2
		Modelsim	19.3
		Ultrasim	19.4
20	После верификации и проведения цикла моделирования с учетом перекрестных шумов, а также термического анализа SiP производится вывод топологической информации в виде ….. файлов	управляющих	20.1
		командных	20.2
		отчетных	20.3
		итоговых	20.4