Заключение

Интегральные микросхемы, содержащие в своем составе многие десятки и сотни тысяч и даже миллионы компонентов, позволили по-новому подойти к проектированию и изготовлению цифровых устройств. Надежность отдельной микросхемы мало зависит от количества элементов и близка к надежности одиночного транзистора, а потребляемая мощность в пересчете на отдельный компонент резко уменьшается по мере повышения степени интеграции. В результате на интегральных микросхемах стало возможным собирать сложнейшие устройства.

Перед выполнением схемотехнического моделирования необходимо оценить возможность изменения основных параметров аналоговых компонентов с помощью упрощенных математических соотношений или экспериментальных результатов для типовых технологических маршрутов. При этом необходимо учитывать, что ВАХ МОП-транзисторов различны в линейной области и области насыщения, в режиме сильной и слабой инверсии, для длинноканальных и короткоканальных транзисторов, а субмикронные МОП-транзисторы чаще всего функционируют либо в режиме слабой инверсии, либо в переходной области между слабой и сильной инверсией.

В данной работе рассмотрена упрощенная модель МОП-транзистора, позволяющая выполнять расчеты малосигнальных параметров и уровня шумов аналоговых схем с учетом конструктивно-технологических характеристик структуры.

Сформулировано положение о том, что при проектировании малошумящих МОП ИС по технологии с минимальной проектной нормой 0,25 мкм целесообразно избегать применения короткоканальных n-МОП-транзисторов и выбирать режим работы, соответствующий слабой или средней инверсии.

Список используемой литературы

1. Бирюков С.А. Цифровые устройства на МОП-интегральных микросхемах. М.: 1990. – 87с.

2. В.А.Гуртов. Твердотельная электроника. М.: 2004. - 312с.

3. Шило В.Л. Популярные цифровые микросхемы. М.: 1993. – 194с.

4. Петров м.Н. Гудков г.В. Моделирование компонентов и элементов интегральных схем. М.: 2011. – 273с.