Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Многоуровневые функциональные схемы кристаллических лазеров

..pdf
Скачиваний:
7
Добавлен:
13.11.2023
Размер:
23.74 Mб
Скачать

Глава 3

ИНТЕНСИВНОСТЬ ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ Ьп!+-АКТИВАТОРОВ В ЛАЗЕРНЫХ КРИСТАЛЛАХ

Введение

Рассматривая проблему интенсивности переходов Ьп3+-ионов в кристаллах, необходимо указать па классическую работу [1], выполненную более сорока лет тому назад. Ее автор, проанализировав накопленные к тому времени экс­ периментальные данные по интенсивности переходов Ьн3+-нопов, для объясне­ ния их природы рассмотрел три возможных механизма, основанные на квадрупольном, магнитодипольном и вынужденном электродипольном излучении. В частности, им же было показано, что ed-переходы между уровнями, принад­ лежащими одной электронной конфигурации, возможны за счет нецентросимметричпых взаимодействий активаторного иона с кристаллическим окружением. Более детальный апализ проблемы интенсивности переходов Ьп3*-ионов в кристаллах [2] показал, что вероятности вынужденных ed- и /nd-переходов могут значительно превосходить вероятность квадрупольных переходов. По­ следующие многочисленные экспериментальные и теоретические исследования спектральных свойств кристаллов (включая п лазерных) с Ьп3+-актпваторами убедительно подтвердили правильность выводов [1, 2].

Спектрально-генерациоиные свойства известных к настоящему времени ла­ зерных кристаллов с Ьп3+-ионами, как показали исследования, в большинстве случаев обусловлены вынужденными ed-переходамп. В некоторых, пока еди­ ничных случаях существенный вклад могут вносить н md-переходы. С учетом этого факта и построена настоящая глава, центральное место в которой отведе­ но вынужденным ed-переходам. Исходной предпосылкой для отбора экспери­ ментальных данных для нее служили известные лазерные каналы между состоя­ ниями Ьп3+-активаторов, сведения о которых даны в главе 1.

Вероятности ed- и /nd-переходов, согласно [3], выражаются следующими формулами:

Ш *\?} 3hc:igi

AV\d _

‘-- 3hctgi £ | < * | м | / > р .

где <£ | | /> — матричные элементы операторов ed- u /nd-переходов i -*■ j. Един­ ственными величинами в этих формулах, зависящими от свойств кристалла, являются дипольные моменты Р н М. Сумма квадратов матричных элементов в этих формулах для вероятности спонтанных переходов в спектроскопии назы­ вается силой перехода и обозначается

■Su = S l < i |l ; > P -

Р -i)

ij

 

Вероятности переходов между i л / уровнями, или коэффициенты Эйнштейна, через силу перехода тогда выразятся так:

-Ац gi.-1

64лЧ?5

8л3

3/(СЯ

S i*

эдесь g — статистический вес начального уровпя перехода.

Таким образом, в проблеме интенсивности переходов задача определения силы перехода является одной из основных. Причем, как следует из последних формул, пути определения этого параметра могут быть разные. В эксперимен­ тальном плане, конечно, наиболее простыми будут абсорбционные методики.

3.1.Электродипольные переходы

Электродипольные переходы между состояниями 4/^-электроппой конфигурации изолированного Ьп3+-пона запрещены правилами отбора по четности [3]• Этот запрет в той или иной степени может быть снят за счет пецентросимметричных взаимодействий Ьп3+-ионов с окружением, которые вызывают перемешива­ ние состояний противоположной четности [1]. В качестве примера таких взаи­ модействий в кристалле можно рассматривать как статическую (нечетные члены

в разложении потенциала У”рЧу нецентросимметричных цеитров, вызывающие чисто электронные переходы), так л динамическую (нецентросимметричныо ко­ лебания окружения, вызывающие электронно-колебательные переходы) части кристаллического поля. Остановимся здесь только на статической части, кото­ рая определяет основной вклад в вероятность излучательных переходов Ьп3*-ак- тиваторов в нецентроспмметричных центрах.

Состояния <а | и | а'У Ьп3+-иопов в кристалле можно представить в виде линейных комбинаций волновых функций основной 4/^-конфигурации | 4fNJy с волновыми функциями | |3> возбужденных конфигураций противоположной четности:

<М = < 4 ^ | + У

<4;Т " Г1Р><Р1

(3.2)

'

' V

Е

-

Е (Р)

 

 

Р

 

 

 

 

 

У

| В> <Р [ У'.'®4 14f N У>

(3.3)

 

 

' кр

-

 

- - J

E( 4f N J') — Е((£рТ

 

Оператор ad-момента Р можно разложить на ж-, у- и z-компоненты Р (д \ вызы­ вающие переходы с различной поляризацией. Для q = 0 соответствует it-по­ ляризация (z-компонента) и для q = + 1 соответствует а-поляризация (ж, у-

компоненты). Ненулевые матричные элементы оператора Р ^ будут связывать состояния противоположной четности, примешанные в (а | и | а'У:

 

<yN J I У ” ®4

I р> <р I

I

О I Р<“ | а’У =

 

+

 

E{4fN J ) - E $ )

 

+ У

<4fN J \ p M \ P > < Р Ш

ерч | 4 f N J'>

(3.4)

E W N J ' ) - E t f )

Здесь суммирование проводится по всем компонентам состояний конфигурации противоположной четности | р>. В (3.2) — (3.4) члены в знаменателях Е (AfNJ) и Е (Р) — являются энергиями основной и возбужденной конфигураций. Пра­ вую часть выражения (3.4) вычислить сложно, так как для этого необходимо знать не только энергии Е ((3) и волновые функции | р> уровней возбужден­ ных конфигураций, а также и нечетную часть потенциала кристаллического по­ ля, которая ответственна за перемешивание состояний противоположной чет­ ности.

Следующим существенным шагом в теории интенсивностей переходов Ьп8+-ионов в кристаллах необходимо считать независимо и одновременно вы­ полненные работы [4J и [5], в которых сделано допущение, значительным обра­ зом упростившее выражение (3.4). Авторы [4, 5] заменили Е (4f NJ) — Е (Р) и (4f^J') Е (Р) константой 6Е, не зависящей от J, J' и р. Это|допущение]равно-

сильно предположению о том, что расщеплением электронных конфигураций можно пренебречь по сравнению с энергетическим зазором между ними. Тогда энергетический знаменатель в выражении (3.4) выносится за знак суммирова­ ния и оно преобразуется к виду

<а I Р“>I<0 =

2

Y ((, т, q) <4р ч II г/S»,II4/«/'>,

 

(3.5)

 

f , 771

 

 

 

 

здесь t — четное

число, (A}NJ || U\n±q || 4fNJ')> — матричный элемент

+

+ д)-й компоненты неприводимого тензорного оператора ранга t \ \ Y (t, m,

q)

константа, определяемая выражением

 

 

 

У (/, m, q) = V

( -

l)m+e (21+ 1) A tm Г1

*

k ) Z\k, t),

 

V

 

U

- f a + з)

*»/

 

где Z (k, t) — величина, пропорциональная интегралу перекрытия радиальных частей волновых функций состояний, принадлежащих основной и возбужден­ ной электронным конфигурациям противоположной четности, и обратно пропор­ циональная энергетическому зазору между ними; Ацт — нечетный параметр потенциала кристаллического поля <1 7). В зависимости от наличия нечет­ ных членов в разложении потенциала кристаллического ноля в ряд по сфериче­ ским гармоникам и связанного с ними механизма возникновения вынужденных ed-переходов между уровнями Ьн3+-ионов в активаторном центре данной сим­ метрии, 32 кристаллографические группы можно разбить на два класса. В пер­ вый класс войдут все центросимметричиые группы плюс нецентроснмметрпчная

группа О, в которой нечетные члепы с /с

7 отсутствуют, н во второй класс

войдут все пецептроснмметричные группы.

 

Для вынужденных cd-переходов в терминах квантовых чисел получаются следующие правила отбора, характеризующие состояния изолированного иона:

А1 = + 1 , | AL | < 21, AS = 0, | А / | < 21.

Первое правило касается возбужденных конфигураций противоположной чет­ ности, примешиванием которых могут быть вызваны подобные переходы. Вто­ рое и третье правила касаются значений S и L. Здесь необходимо отметить, что спин-орбитальпое взаимодействие приводит к нарушению этих правил отбора. Последнее правило отбора будет «работать» до тех пор, пока / остается хоро­ шим квантовым числом. Обычно для LH3+-IIOHOB это условие выполняется, хотя есть примеры его нарушения из-за/-перемешивания [6]. Если конечное и на­ чальное состояния имеют / = 0 , то для переходов между ними возникают до­ полнительные правила отбора из-за того, что t ограничено четными значениями и к нечетное. Отсюда следует, что А / должно быть четным числом.

3.1.1.Поляризация переходов

В соответствии со значением q в полях пекубической симметрии выводятся пра­ вила отбора по поляризации. Известпо, что в случае полуцелого / уровни в кри­ сталле достаточно характеризовать квантовым чпслом ц. В случае же це­ лого / , например в группах D 3n и C3h, переходы эквивалентные с точки зрения правил отбора по р могут отличаться правилами отбора по неприводимым пред­ ставлениям Tv. Естественно, что в таких ситуациях для характеристики уров­ ней удобнее использовать неприводимые представления, позволяющие полу­ чать более полные правила отбора для любой точечной симметрии.

Пусть Г2 и Го — неприводимые представления, по которым преобразуются компоненты оператора Р, связанные с переходами л- и сг-полярпзащш. Тогда И8 теоретико-групповых соображений можно установить правила отбора по поляризации для переходов Г,- ->■ Г/ в рассматриваемой группе симметрии.

Если Tt- X Г; = S a nr„, то переход

Г*

Г; будет:

П

 

 

 

 

 

jt-поляризации,

если ах Ф 0,

а2 ф 0;

 

О-поляризации,

если

at = 0,

а2 ф 0;

 

л, о-поляризации, если а2 ф 0,

а2 Ф 0;

запрещен, если

а1 =

= 0.

 

 

 

Таблицы неприводимых

представлений,

по которым преобразуются х~, у-

и z-компоненты оператора Р, для некоторых групп симметрии даны в [7]. Для кубических групп, у которых неприводимые представления, по которым пре­ образуются компоненты оператора Р одинаковы, будут иметь место только неполярпзованные переходы.

3.2.Параметры интенсивности Q,

Если просуммировать выражение (3.5) по всем Jz начального и конечного со­ стояний, то анизотропия, связанная с поляризацией, исчезнет и можно получить матричный элемент, определяющий вероятность межмультиплетпого перехода. В этом случае выражение для силы линии запишется следующим об­ разом:

S |< e |p ? V > l* =

2 я ,|< 4 Г /ц г /<|>||4/«'/'>р,

(З.в)

а , а ' , q

t — 2 , 4 , G

 

здесь суммирование производится по штарковским компонентам а и а', при­ надлежащим соответственно / и / ' мультиплетам, <|| £/<f) ||)> — приведенные матричные элементы неприводимых тензорных операторов ранга (и Q( — пара­ метры интенсивности, определяемые выражением

Q, - (2t + 1) 2

| Актр Z (к, t) (2к + 1)-\

к ,

тп

где A hm — нечетные параметры разложения оператора кристаллического по­ ля [6]. Здесь отметим, что для переходов между состояниями ^^-конфигурации приведенные матричные элементы для t > 6 обращаются в нуль.

Здесь необходимо также пояснить, что в [4] использовались параметры ин­ тенсивности Tt, которые с Й( связаны выражением

о

_

 

3 A ( 2 /+ i)

9/1

5,1*

~

*

8л2т

(п2 + 2)2 ’

где J — полный угловой момент начального состояния / -> / ' перехода и m — масса электрона. В (3.6) для удобства вычислений также применено отличное от (3.1) обозначение для силы линии

s = e~2S.

В (3.6) сила линии измеряется в квадратных сантиметрах.

Так как для электронов 4/^-конфигурации реализуется промежуточный тип связи, где волновые функции представляют собой линейные комбинации расселсаундоровских состояний 16], то в (3.6) следует брать эффективный матричный влемент. В этом случае его можно представить как сумму матричных элементов по всем линейным комбинациям состояний, взятых с соответствующими весами.

Многочисленные исследования показали, что матричные элементы <|| UW ||> для данного Ьп3+-иона мало изменяются от того, в какой конденсированной сре­ де он находится. Поэтому их можно считать неизменными и применять при изу­ чении любых кристаллов.

3.2.1.Приведенные матричные элементы

тензорных операторов U (t) (табличные данные)

Расчету приведенных матричных элементов неприводимых тензорных операто­ ров ЕД4>, входящих в выражение для силы линии (3.6), посвящены работы 18— 17]. В этих публикациях приводятся значения <(|| ||)> практически для всех J -*• J' каналов с основного мультиплета и для ряда межмультиплетных пере­ ходов с возбужденных состояний И.п3+-ионов. В табл. 3.1—3.9 представлены более полные данные по | <|| U(C) ||> |2, которые также включают и результаты [8-17] Ч

3.2.2.Вычисление параметров Cit

Сила линии s с параметрами Q( связана системой линейных уравнений типа

(3.6), которые в векторной форме можно записать

s = /1Й,

здесь s — (/-мерный вектор, компоненты которого составлены из значений рас­ четных сил линий б'|'ас'с; q — число рассматриваемых групп лнний (межмультп-

плетиых полос поглощения); 12 — вектор, три компоненты которого соответ­ ствуют параметрам интенсивности А — матрица, представляющая собой соответствующий массив матричных элементов единичных тензорных операто­ ров £7<*>.

Если исследуемая полоса представляет собой суперпозицию линий, связан­ ных с несколькими межмультиплетными абсорбционными переходами (такая ситуация для Ьп3+-нонов в кристаллах встречается часто, на это указывают таблицы штарковских уровней главы 2), то в силу аддитивности интегрального

коэффициента

поглощения такой полосы ее |

||> |2 можно брать как сум­

му квадратов

соответствующих матричных элементов. Из условия минимума

суммы квадратов разностей между расчетными и экспериментально измеренны­ ми силами линий в [18] получено матричное уравнение

Й = (И +И Г^+в,

здесь компоненты вектора й и будут искомыми параметрами интенсивности, дающими минимальное среднеквадратичное отклонение между расчетными s pac4 и экспериментально измеренными s?Kcn, + означает транспорированную матри­ цу. Среднеквадратичная ошибка будет

п

Чг

Ч Е ^расч

£эксп^2 _ _ L _ J

i = 1

 

где р — число определяемых параметров (в нашем случае 3); q, как уже отме­ чалось выше, число анализируемых абсорбционных J —>■J' полос.

Многочисленные расчеты пптенспвностпых параметров люминесценции Ьн3+-активаторов в различных кристаллах, в том числе и лазерных, пока­ зали хорошее согласие вычисленных и измеренных значений сил линнй. В табл. 3.10 сведены известные памданпые по параметрам Й, для лазерных кри­ сталлов.

Анализ интенсивноетных характеристик спектров кристаллов с Ln3+-uouaMU доказал систематическое изменение параметров по лантаноидному ряду для одной и той же матрицы. Этот факт был использован рядом исследователей для оценки £2t соседних Ьп^-ионов в случаях, когда для рассматриваемого иона отсутствовали экспериментальные данные по интенсивности линий в данной1

1 Данные дополнены результатами вычислений [93].

Таблица 3.1. Квадраты приведенных матричных элементов (4fzSLJ\\U для J -*■ Г переходов иона Рг3+ [10, 13]

(S.L.J)

3Р 2

, 3Pi

Ч,

3Ро

lDi

(S'. L', J')

E , C M - 1

«=2

*=4

* = 6

3Рг

24250

0,0635

0

0

3Pi

25 450

0

0

0

Ч6

25 450

0

0

0,5673

3Po

26 050

0

0

0

3Ог

29950

0,5032

0

0

‘G*

36 850

0

0,4366

0

3P4

39 950

0

0,1266

0

3FS

40 400

0

0

0

3F 2

41 750

0,0041

0

0

3Я„

42 500

0

0

0,0003

3HS

44 650

0

0

0

3Я4

46 750

0

0,0064

0

3Pi

1250

0,4232

0

0

4 e

1250

0

0,0257

0,1405

3P 0

1850

0,1929

0

0

'Dz

5 700

0,0011

0,0718

0

J<?4

12 650

0,5640

0,0341

0,0184

15 700

0,5233

0,1170

0,0072

3F3

16 150

0,2584

0,3082

0

3F2

17 550

0,0323

0,3001

0

Зя в

18 250

0

0,5010

0,0544

3Hb

20 450

0

0,1888

0,1316

Зя 4

22 500

6-10-*

0,0362

0,1373

4 6

0

0

0,0004

3Po

600

0

0

0

lD2

4 500

0,0749

0

0

*G*

11400

0

0,0605

0

3Fk

14 450

0

0,2852

0

3F3

14 950

0,5714

0,1964

0

3F 2

16 300

0,2698

0

0

3Ha

17 000

0

0

0,1246

3Hb

19 200

0

0,2857

0,0893

Зя*

21250

0

0,1721

0

3Po

600

0

0

0,0027

lD2

4 500

0

0,1580

1,7190

‘ C 4

11400

0,2669

0,5488

0,7668

3F4

11450

0,0641

0,4751

0,3359

3F3

14 950

0

0,0009

0,0025

3F 2

16 300

0

0,0050

0,0301

Зя ,

17 000

0,0036

0,0132

0,0046

3HS

19200

0,0003

0,0007

0,0019

Зя*

21250

0,0081

0,0447

0,0203

3Dt

3 900

0,0134

0

0

JG*

10 800

0

0,0425

0

3Fi

13 850

0

0,1213

0

3F3

14 350

0

0

0

3F 2

15 700

0,2943

0

0

зя в

16 400

0

0

0,0726

3Я5

18 600

0

0

0

3Я4

20 650

0

0,1713

0

*Gt

6 950

0,3865

0,0493

0,0844

3/ ч

10 000

0,5144

0,0004

0,0147

3F3

10 450

0,0200

0,0168

0

3F2

11850

0,0131

0,0814

0

3Я9

12 550

0

0,0649

0,0058

3Я5

14 750

0

0,0019

0,0004

Зя4

16 800

0,0200

0,0165

0,0493

3Fi

3 050

0,0683

0,1203

0,2844

3F3

3 500

0,0026

0,0031

0,0452

3Pz

4900

0,0002

0,0138

0,0032

(S, и J)

(S', L\ J')

E, C M - 1

*= 2

 

зя„

5 600

0,1927

 

alh

7 800

0,0307

3Fi

4 k

9 850

0,0019

3F3

450

0,0262

 

3Fo

1850

0,0015

 

Зн ъ

2 550

0,6330

 

4 k

4 750

0,0368

3F3

4 k

6 800

0,0162

3F3

1380

0,0212

 

4 k

2 100

0

 

3//5

4 300

0,6285

3F2

*Hi

6 350

0,0658

4 k

700

0

 

4 k

2 900

0

3//о

4 k

4 950

0,5079

4 k

2 200

0,1080

Зя 5

4 k

4 250

0,0002

2 050

0,1096

Таблица 3.2. Квадраты приведенных матричных элементов для J -*■ /' переходов нона Nd3+ (10, 16, 93]

(S, L, J)

(S', L'.J’)

*G‘h

iGv,

 

2*

4

 

2* ’V,

 

v

v .

 

V -/,

 

<F,,,

 

4 »u

 

' Ч г

 

4/v,

*G'k

2* » /.

 

3GVi

 

4Gv,

 

a*«v.

 

v

v.

 

4^V,

 

v

v.

.E, C M -1

450

700

2250

2250

3650

4800

6100

6100

7000

7100

8100

13 500

15 600

17 600

19450

220

1800

1800

3 200

4350

5 600

5 600

*=2

0,0385

0,0191

0,0650

О 1Ю 0,0026

0,1272

0

0,5716

0,0403

0,1973

0

0

0,9882

0,1439

0,0046

0

0,0583

5-10-*

0,0011

0,0005

0,0019

0,1690

t= 4

i= 6

0,1905

0,1865

0,0715

0,3344

0,0044

0,0119

0,0735

0,0103

0,0027

0,0918

0,6805

0,5165

0,3371

0,5278

0,0528

0,4901

0,0508

0

0,3182

0,8460

0,3468

0

0,3487

0,7002

0,0167

0,3040

0,2978

0,6597

0,4048

0,1196

0,2328

0,6421

0,0322

0,1407

0,2035

0,6106

t= 4

*=G

0,1416

0,1363

0,0410

0,1094

0,1561

0,0047

0,1071

0,2521

0,0319

0,2140

0,1561

0,0249

0,2005

0,0008

7-10-6

0,0889

0,0509

0,0934

0,1050

0,0016

0,0591

0,1483

0,1571

0,2341

0,3864

0,0123

0,3554

0,0551

0,0605

0,0403

0,5512

0,0012

0,0004

0,0376

0,2320

0,0516

0,0193

0,1139

0,0087

0,0071

0,1948

0

0,0706

0,0029

(S'. I/, J')

4рч>

< 4

AI»u

44 *

‘4 ,

v v, *Gv, 4(4 вя«/.

vv.

44

vv, **v.

vv.

vv.

*Чг

4Ч г

4H

4G‘/,

*Ищ,

v v.

*■/,

v v,

швч.

v v,

V ./.

4/>v.

4/«/.

4/«/.

4/v,

**»/,

V ./,

4* / .

*F*U

4 f4«

<

4/“/,

4/-/.

E, CM- 1

i=2

*=4

i= 6

6 500

0,0505

0,0522

0,3861

6 650

0,2426

0,0013

0,1141

7 650

0,1011

0,0611

0

13 050

0

0,0266

0,0035

15 150

0

0,2331

0,0589

17 150

0,6392

0,0992

0,0112

19 000

0,0566

0,1612

0,0557

1550

0

0,6763

0,0013

1550

0

0,0014

0,0069

2 950

0,0013

0,0045

0,4826

4100

0,0447

0,0039

0,2966

5 400

0

0

0,0007

5 400

0

0,0626

0,0003

6 300

0,1161

0,0062

0,0113

6 400

0

0,0026

0,0051

7 400

0

0

0,0071

12 850

4-10-»

0,0010

0,0067

14900

0,0032

0,0002

0,0025

16 900

0,0002

8-10-®

0,0170

18 750

0,0068

0,0002

0,0312

0

0,0003

0,1426

0,0862

1400

0,0069

5-10-*

0,3542

2 550

0,0263

0,0496

0,2762

3 850

0,0007

0,0794

0

3 850

0,1372

0,0629

0,0092

4 750

0,0075

0,0296

0,1836

4 850

0,2611

0,0071

0,0800

5 850

0,0790

0,0442

0

11 250

0

0,0016

0,1012

13 350

0

0,0996

0,0372

15 350

0,4291

0,1802

0,0484

17 200

0,0740

0,1803

0,0310

1400

0

0,0002

0,0143

2 550

0,0028

0,0066

0,1331

3 850

0,0007

0,1777

0

3 850

0,0382

0,1015

0,1640

4 750

0,0014

0,0120

0,0022

4 850

0,2683

0,1296

0

5 850

0,4827

0,0427

0

11250

0

0

0,0044

13 350

0

0,0343

0,0477

(S, L, J)

V V.

4*Ч

‘Л /в

%вч.

{S', V, J')

4Ч>

v v.

v v.

vv.

**./•

vv.

v v,

4Ч, *1»,.

4Ч>

« V .

■я.,.

ч?ч.

i f v-

4/«/.

<

4/“/.

v v,

ая . Л

v v . ’

4Л Л

V»,.

< ■

ч«и

“Я . / .

v v.

4 /“ / г

4Чг

v » / .

4 /»/«

v v.

V . / .

4 / « /,

4Ч,

Е, см-1

*= 2

*=4

/= 6

15 350

0

0,2887

0,0967

17 200

0,8971

0,4094

0,0353

1150

0,0854

0,0238

0,0164

2 450

0

0,0563

0,0018

2 450

0,0325

0,0153

0,1252

3 350

0,0683

0,0044

0,2763

3 450

0

0,0028

0,0233

4 450

0

0,0001

0,0078

9 850

0,1289

0,0686

2- 10~s

11950

0,0044

0,0169

0,0029

13 950

0,0042

0,0091

0,0062

15 800

6-10-5

0,0026

0,0103

1300

0

0,0027

0,0012

1300

0,0960

0,0914

0,0750

2 200

0,0477

0,0031

0,0015

2 300

0,0111

0,0496

0,1084

3 300

0

0,0046

0,1128

8 700

0

0,4926

0,4629

10 800

0,0039

0,2185

0,5108

12 800

0,0001

0,0347

0,3653

14 650

0,0010

0,0094

0,0398

0

2* 10~5

0,0004

0

900

0

0,0042

0,0002

1000

1-10-5

0,0005

0

2 000

0,0003

0

0

7 450

0

0

0,3312

9 500

0

0

0,3274

11500

0

9 10-"

0,2119

13 350

0

0,0024

0,2337

900

0,0049

0,0359

0,0042

1000

0,0679

0,0548

0,0897

2 000

0,0067

0,0791

0

7 450

0

0,1551

0,6224

9500

0

0,3278

0,0001

11 500

0,0006

0,2376

0,3102

13 350

0,0010

0,0424

0,4246

100

0,0058

0,0310

0,0056

1100

0

0,0144

0,0230

6 550

0

0,2195

0,0810

8 600

0,0379

0,0072

0,1222

10 600

0,0028

0,0005

0,0272

4/* v ,

is, L, J)

IS'.L'.J')

E , C M - 1

t=2

t= 4

*= G

 

4/v,

12 450

0,0091

0,0076

0,1171

 

1000

0,0784

0,0530

0

V V.

ipv t

6 400

0

0

0,2304

 

 

 

44 ,

8 500

0

0,1811

0,4021

 

10 500

0

0,1688

0,0367

 

4/”/s

 

12 350

0,0008

0,2355

0,3977

 

4 V,

 

5 400

0

0

0,0275

 

* 4 ,

 

7 500

0

0

0,2117

 

4'>v,

 

9 500

0

0,1424

0,4070

 

* 4 ,

 

11350

0

0,2296

0,0563

 

4Jv s

 

2100

0,0196

0,1188

1,4512

4/“/t

4/>Vi

4100

4-10-*

0,0109

0,4182

 

v » /.

 

5 950

0

6-10-*

0,0452

 

4/v,

 

2 000

0,0256

0,1353

1,2379

47«v,

4/«/,

3 850

7-10-5

0,0136

0,4556

 

4/v.

 

1850

0,0194

0,1074

1,1653

AI»u

4/v,

 

 

 

 

Таблица 3.3. Квадраты приведенных матричных

элементов

{^SLJWU^WA.pS'L'J')

для

переходов иона Sm3+ [10, 93]

 

 

 

(S, L, J)

(S', L\ J')

Е, СМ-1

t=2

i= 4

f=G

 

 

1100

0,2085

0,1986

0,0822

 

aB>f,

2 300

0,0221

0,1340

0,3117

 

3 600

0

0,0262

0,2678

 

*B »U

 

5100

0

0,0011

0,0605

 

 

 

*Нии

6 800

0

0

0,0031

 

6 200

0,1947

0

0

 

*Р Чг

 

6 500

0,1427

0,1356

0

 

*РЧг

 

7 200

0,0365

0,2704

0

 

*F4 t

 

8 200

0,0044

0,1151

0,3984

 

*F’f,

 

9200

9-10_5

0,0190

0,3557

 

°РЧг

 

10 600

0

0,0006

0,0527

 

*F»J,

 

1200

0,2983

0,1652

0,0104

 

e* v ,

 

2 500

0,0336

0,1760

0,2588

 

t B »u

 

4000

0

0,0276

0,2768

 

*Н Ч г

 

5 700

0

0,0006

0,0394

 

<

 

5 100

0

0,1395

0

 

*р ч,

 

5 400

0,2443

0,1164

0

 

врч,

 

6100

0,1980

0,0538

0,4172

 

<

 

 

 

 

 

— - •

Соседние файлы в папке книги