книги / Многоуровневые функциональные схемы кристаллических лазеров

(S, L , J)	( S ' , L \	J')	Et C M - 1	2	t= 4
	3H5		19 700	0	0,0011	0,0185
	3H ,		22 250	0,1240	0,0116	0,2266
	3 / / o		27 800	0	0,3079	0,0926
	3F2		6100	0,0060	0,0717	0,0417
	3Fз		6 700	0,0105	0,0733	0,3056
	3F,		8 500	0,0034	0,0194	0,0718
	Зи ъ		12 950	0,0738	0,0059	0,5423
	3//4		15500	0,1583	0,0042	0,3783
3F 2	3/ / G		21050	0,0481	0,0752	0,0119
	*F*		650	0,004	0,075	0
	°F,		2450	0,311	0,056	0,044
	3Ih		6 900	0	0,29	0,583
	4h		9400	0,287	0,163	0,074
3F3	3 / / c		15000	0	0,0005	0,258
	3F<		1800	0,002	0,0005	0,167
	3НЪ		6 250	0,629	0,347	0
	41,		8 750	0,081	0,344	0,264
3F,	3HCl		14 350	0	0,316	0,841
	3Я	5	4 450	0,089	0,125	0,905
	4 h		6 950	0,129	0,133	0,213
4 h	*Ih		12 550	0,527	0,718	0,228
	3fh		2 500	0,011	0,48	0,004
3H,	3fh		8100	0,107	0,231	0,638
	3fh		5 600	0,249	0,118	0,608

матрице (например, для иона Pm3+ 119)) нлп когда число наблюдаемых межмультиплетпых переходов было недостаточно для определения Qt (например, для иона Yb3+ [20]).

Изложенная выше процедура вычисления Q(, хотя и широко используется для спектроскопической характеризации активированных кристаллов, однако обладает тем недостатком, что переходы разной интенсивности включаются в расчет с разным весом (тем большим, чем выше интенсивность) в определении условия минимального 8s. В результате у исследователей, оперирующих с раз­ ными массивами s, получаются отличающиеся наборы параметров Q(, дающих хорошее согласие с экспериментом. Один из возможных подходов к устранению указанного недостатка содерлштся в [21].

3.3.Магнитодипольные переходы Ьп3+-ионов

Магнитодипольные		переходы	подчиняются следующим правилам отбора:
М = 0 ,	AL = 0,
AS = 0,	| А /	| < 1 (0	0),

из которых следует, что они разрешены между состояниями одной четности. Сила линии mrf-перехода определяется выражением

$ $ “ (■- S k i! I

IIL + 2SIIч К 1 '> Is-

<зл>

Для расчета матричных элементов оператора md-момента L -+■ 2S между мультиплетами ^-^-конфигурации Ьп3+-ионов в [61 приведены соответствующие фор­ мулы.

Сила осцилляторов md-перехода между мультиплетами Ьп^-ионов

- „ ,Л ‘	7 I <УИ/ и ■L + 2SII 4/" 7'> I*	(3-8>
6тс (2/ +	1) А

Таблица 3.10. Параметры интенсивности Q, генерирующих стимулированное излучение ионов Ln*+ в кристаллах (10~20 см2)

Кристалл		П3				Литература
			Ионы Рг3+
LiYF4		0	8,07		7,32	[22]
BaYb2F8		1,5	8,7		5.9	[23]
LaF3		0,12	1,77		4,78	[24]
		0,13	0,70		10,00	[29'
LiPrPtOi2		1,08	2,01		4,53	[30]
		1,82	2,83		6,54	12
YAlOj		2,00	6,00		7,00	'25
PrPsOn		46,00	28,00		20,00	'26
		1,34	1,19		6,09	'73
			Ионы Nd3+
LiYFt		1,9	2,7		5,0	[27]
LaF,		0,12	1,95		12,3	Г28
		0,35	2,57		2,50	' 24]
BaFt-CeF3		0,94	2,3		2,49	[30]
		0,43	1,32		4,5	[31
BaFj-LuFj		0,67	5,25		4,58	[31
GdFs—CaF2		0,59	2,46		2,91	32
LiNdPtOis		1,35	2,33		4,27	79'
KNdPtO,2		1,38	3,04		4,05	з з :
CaY2Mg2Ge3Oi2		1,31	3,11		5,57	91
		0,93	3,61		4,41	80'
Y20 ,		8,55	2,94		2,89	24'
YAlOj		1,24	4,68		5,85	34'
YsAlsOi2		0,2	2,7		5,0	[18]
		0,37	2,29		5,97	31
Y*SiOs		1,0	2,9		9,3	'28
		0,67	6,19		2,71	35'
YVOt		5,88	4,08		5,11	36'
BaGd(MoOt)t		6,00	8,0		4,0	37
LajBejOi		2,11	4,39		6,04	[80
GdsGa3Oi*		0,0	3,3		3,7	27
		0,05	3,25		3,66	[80
GdGaGe20 7		0,02	6,7		6,7	[90]
		0,907	2,773		5,981	[38]
Gd*(MoO,)s		4,22	2,57		2,35	[90]
GdjSczGasOi2		0,35	2,35		3,23	[39]
NdPsOu		0,53	2,80		3,69	'79'
L113SC2AI3O12		0,22	3,07		5,27	31
Ca2Ga2Si07		0,82	2,41		6,44	[40]
Ca3GazGetOi4		1,88	3,65		5,65	[41]
Csj (Nb. Ga) 2Ga«Oi2		1,91	2,59		3,74	[42
SrjGa2GeiO«		2,32	1,63		4,74	41
Zr02- Y 20 ,		0,23	1,20		1,36	[31	]
LaMgAliiOij		6.55	2,31		3,82	43
7La*03 —9Si02		1.27	3,99		3,06	35	'
La»GabSiOn		2,4	4,6		3,4	'44	'
La3Gas.3Nbo.3O14		2,8	3,2		4,6	'45
LasGas.iTao.jOu		2,65	2,85		3,72	[46	'
LatOiS		6,32	4,55		4,42	'47
			Поны Eu3+
Y»Oj	1	9,86	2,23	I	0,32	[48	]
	1	6,3	0,7	1	0,5	[ 27	]

К ристалл	Q2	Gfl	Л итература

Ионы Dy3+

B aY b 2F 8	0,06	2,3	1,2	'23
LaFa	1,10	1,40	0,9	49
	0/18	0,69	i,i6	30l

Ионы Ho3+

L iY F t	1,16	1,62		1,60	[50
Si^YsFig	1,14	1,71		1,21	51
	1,16	1,97		1,45	92
НаУгЬв	0,93	1,75		1,94	51
B aY b2F 8	0,39	2,3		1,3	23
YAlOa	1,82	2,38		1,53	15:
Y3AI5O12	1,2	5,29		1,48	21
		Ионы Ег3+
L iY F 4	1,92	0,26		1,96	[52'
	2,53	0,36		2,03	53
B aY 2F g	0,42	1,28		1,10	Г51
ВаЕггГв	0,43	1,21		1,1	Г541
BaYb2F8	1,07	0,4		0,94	[56]
	1,5	1,2		0,99	23
	1,08	0,38		0,98	Г551
LaF3	1,07	0,28		0,83	[9]
	0,37	0,51		0,8	30]
S rF ,-E v F j	1,24	2,01		1,34	57
Zr0 2- Y 20 3	2,92	0,78		0.57	89
YAIO3	1,06	2,63		0,78	[34
Y 3A l50i2	0,66	0,81		0,71	21
	0,45	0,98		0,62	58
	0,47	0,96		0,61	'58
LU3AUOI2	0,454	0,971		0,625	’56]
	0,46	1,06		0,72	'58]
	0,47	1,04		0,7	58]
B i4Ge30 i2	0,473	1,014		0,729	56]
	1,64	0,51		0,20	59
	1,66	0,46		0,21	59]
		Ионы Tin3+
BaYbzFg	1,2			1.2	'23]
YAlOs	0,67			) <4	'34
	0,708	12		1./53	’66’
Y3AI5O1!!	0,7		j	) ,	'27
	0,89	m		0,68	’21
	0,90	0,70		0,85	21]

была вычислена в [60]. Некоторые ив этих результатов, касающихся Ln3+-ак­ тиваторов, на межмультиплетных переходах которых возбуждается СИ, при­

ведены в табл. 3.11.	Несмотря на то, что	< A vjy , в некоторых случаях
темпервходы могут	дать заметный вклад в суммарную вероятность A JJ (см.

формулу (1.4)) ивлучательного /-> -7 ' канала. Здесь в качестве примера можно

указать на генерационные межмультиплетные переходы:			bDt -+■ 7Flt%	ионов
Еи8+ [61], Ча 6/ 7	и */,	6/ 8 ионов Но3+ [62], </мА	«/»,. и Чч ,	*/»,.>
ионов Ег3+ [9] и др.	(см. также [48]).

Таблица 3.11. Силы осцилляторов т^-пороходов с основного (S, L, ^-мультинлстив

«лазерных» Ln3+-nouou [СО]

Lll*+-1I0H	(S'. I/, J')		Е, СМ-1		Ln3+-non	(S', и ,	J')	Е, см- 1	,m d
									f j j *10®
р гз+	з я	5	2 320	9,76				3 500
			6 540	0,02	Dy3+	“И * , .			22,68
	*64		6 970	0,49		Ч к ,	*	22 300	5,95
			9 880	0,25		п !г		26 000	0,41
Nd3+	4 /”/«		2 000	14,11		* 1 » , .
			12 700	1,12				26 360	0,09
	ш	9/1
			14 850	0,20		? М ,Ч )аи		29 200	0,69
	»G,,		17 300	0,02	Но3+	ч -		5100	29,47
	2.Г	7*	28 600	0,05		3К 6		21 300	6,39
						Ч ( 7		26 100	0,28
	I u h
Eu3+	~ F \		350	17,73	Егз+	47«/„		29 000	0,12
			19000	1,62				6 600	30,82
			33 400	2,16				27 800	3,69
Т Ь 3+	• F ,		2100	12,11
					Тш3+	зя 5		8 400	27,25
	SGB		26 400	5,03
	BGS		27 800	0,36	Yb3+	ч .		34 900	1,40
	* L 6		29550	0,14		гЧ		10 400	17,76

3.4. Параметры спектроскопического качества лазерных кристаллов с Ьп3+-активаторами

Определив описанными выше методами силы линий sfy и SJJ-, легко по (1.4) вычислить вероятность A JJ>исследуемых межмультиплетных / /' переходов и по (1.2) связанные с ними коэффициенты (5J J >, т. е. получить необходимые сведения об интенсивности люминесценции данного активированного кристал­

ла в соответствующих участках спектра. Метод определения SJJ> связан с про­ ведением, особенно для анизотропных соединений, трудоемких измерений ин­ тегральных коэффициентов поглощения, которые базируются на знании абсо­ лютной концентрации Ьп3+-активатора.

Обширный материал, накопленный при изучении лазерных кристаллов с Ьп3+-ионами [63—66], позволил выявить важные закономерности в поведении

их спектроскопических свойств от параметров		и на основе этой связи разра­
ботать	простые методики определения коэффициентов fyjy [31, 58, 67—71].
3.4.1.	Параметр спектроскопического качества
	для кристаллов с ионами Nd3+	0

Ионы Nd3+, как уже неоднократно отмечалось выше, наиболее используемы_ активаторы в лазерных кристаллах (см. табл. 1.1, 1.3, 1.5, 1.6 и 1.9). Они об_ ладают свойствами [63—66], которые без особых затруднений позволяют воз

буждать СИ при 300 К на переходах	основного *F»/t — Чп/г и дополнительного
*Ftjt —^ 4/ I>/4 генерационных каналов	(см. табл. 1.10).
Анализ, проведенный в работах	[31, 67], показал, что вероятности AJJ>
для каналов люминесценции *F*/t -*~ Ч у зависят главным образом от Q4 и

так как матричный элемент <|| СЛ2>||> для переходов				между этими мультиплета-
ми равен нулю (| Д / |	2,	см. также	табл. 3.2).	Тогда коэффициенты
можно представить в	виде	зависимости	от одного параметра — отношения
XNd № ,) = QJQt .				(3.9)

Оно в [31, 67] было названо параметром спектроскопического качества крис­

Рие. 3.1. Заипашости PJJr (X ) н упрощенная схема люминесцентных

каналов попов Nda+ [67]

Для 1ь/п (Л’) шкала ординат увеличена в десять раз. Длина волны межмультиплетных переходов приведена в микрометрах

таллов с нонами Nd3+. Подставляя (1.4) в (1.2), можно получить аналитические зависимости

	13jj' (Xuci) =	+ bj') Ljj-	(3.10)
		+ by) kjj,
	2

Г

где константы aj и bj равны

<*r = I Cfy. II */(4)II 4 Г > 18

И

Ъг = |< 4л /вц им и 4/^> |p

соответственно. На рис. 3.1 зависимости (3.10) представлены в графическом виде. При их вычислении матричные элементы были взяты из [16]. Из приведен­ ных данных следует, что каждому кристаллу будет соответствовать свои па­ раметр .Хш» который в свою очередь будет определять набор из четырех коэф­ фициентов P/j'. Эти зависимости имеют универсальный характер, в частности они могут характеризовать н неодимовые стекла [74].

Из рис. 3.1 следует, что максимально возможное значение fijj- для основ­

ного канала	*Fi/t — 4/п/з составляет — 0,66 н для дополнительного 4/>,
4/н/а 0,17.	Наибольшая же плотность люминесценции ~ 0,75 может быть

на другом дополнительном канале 4Л/, —

Поскольку для определения параметра X кристаллов с ионами Nd3+ необ­ ходимо знать только отношение то можно не делать полного расчета ин­ тенсивности всех наблюдаемых полос поглощения. Для этого можио выбрать такие состояния, уровни которых расположены достаточно изолировано и пере­

ходы на которые зависят лишь от	и Й„.	В [31, 67] было выбрано два таких
мультиплета — 2Pi/, и 4/»/,> интенсивность		связанных с ними абсорбционных
каналов можно характеризовать

^ (Ч.,„ УЧ) = 0,03670,

п
s'd (4/ V;, 4/»/г) =	-0,0001Q 4 + 0,0452Qe.
Если для seJ (4/»/а,	пренебречь первым слагаемым (его	влияние будет су­
щественным только прп Q4/Q6 л ; 100), то для XNM можно записать
Х т (*Л/,) = 1.23sM(*/.,„ " - Р ./Ж 1 № .. *•?'■/,)•		(3.11)

Удобство применения формулы (3.11) будет заключаться также и в том, что для определения параметра спектроскопического качества требуются не абсолют­ ные значения sca (4/«/:, 2Руа) п sed (4/»/s, 4/»/.), а только их относительные ве­ личины. Поэтому отпадает необходимость определять концентрацию ионов Nd3+ в исследуемых кристаллах, что существенно упрощает эксперимент.

Для оценки величины X кристаллов с нонами Nd3+, а следовательно, для получения информации о коэффициентах (*Ft■/,), можно использовать и люминесцентные измерения [65, 69]. В частности, отношение интегральной

интенсивности люминесценции (как числа фотонов) двух каналов	-+• *Iu/t
и *F*/t -> 4/n/j связано с X^d выражением
XNd (4Л/,) = 0,765YNd - 2,96,
где
^Nd = Ij, "jJIj, “/••

Результаты измерения коэффициентов $JJ>по методам, основанным па оп­ ределении параметра спектроскопического качества XNd (4Fa/„) и параметра интенсивности люминесценции Y^d, неоднократно проверялись по даппым пол­

ного расчета Sjj'- Практически для всех случаев наблюдалось удовлетворитель­ ное совпадение результатов. Различные модификации рассмотренного метода измерения интенсивности люминесценции ионов Nd3* также описаны в [75—77, 80]. В последней публикации проведен анализ влияния типа волновых функ­ ций на расчет <|| ||>.

3.4.2.Параметры спектроскопического качества для кристаллов с ионами Ег3*

Удиэлектрических кристаллов с ионами Ег3+ генерацию СИ можно возбуждать на 13 межмультпплетных каналах (см. раздел 2.1.6), причем на четырех при 300 К с уровней метастабильного состояния 4S*/t (см. табл. 1.10 и рис. 1.13).

Люминесценция	с этого состояния	(4&/* *F*/t,	4/«/._«/г) обусловлена только
erf-переходами,	поскольку А™/> = 0,	так как А /	2. Этот случай полностью

подобен рассмотренному выше для люминесценции ионов Nd3+ (4F>/2 -*■ 41ужущ). Поэтому для коэффициентов $JJ>(4S>jt) попов Er3+ в кристаллах можно по­ строить зависимости fijj' (Хдг) с использованием выражения (3.10). Такие кри­

вые были построены в [58] с применением матричных элементов aj						и bj из [91
(рис. 3.2). Из них,			например, следует, что для возбуждения		СИ с лучшими
энергетическими характеристиками на волнах генерационного					канала 4I?J/» —у
—	4/>/1 желательно		использовать	кристаллы с большим значением парамет­
ра	Хег-	Для этого канала люминесценции предельным значением коэффициен­
та	v.i	будет 88‘.’о.		спектроскопического качества		кристаллов
	Для	определения параметра

с ионами Ег3+ для характеризации люминесценции с уровней мультиплета 4&/, также можно воспользоваться методами, основанными на измерении отношения интегральной интенсивности люминесценции двух межмультиплетных кана­

лов — *S>!t	4 7./,	и 4&/,	47и/:
X	) —	1’26~^Ег	»
ЛЕт\Ъ.и) — UfU5KEr_ 0(36

Рис# 3.2. Зависимости u упрощенная схе­

ма люминесцентных кана­ лов ионов Ег3+ [58]

Для штриховой кривой, соответствующсй каналу 4S z j n-+ 4Л /г, шкала ординат увели­ чил в тысячу раз. Остальные обозначения те же, что и на

рис. 3.1

где
Т ег	— Ij,vJIj,'4r
У	ионов	Ers+ имеются также другие метастабплыгые состояния (см.
рис. 1.13), с		уровней которых берут начало лазерные переходы, например

lF*/t и лежащие ниже по шкале энергии мультиплеты. При определении вероят­ ности

A j j ' — ( A j j '	+ A J !T ) / 5 J ( A j j ' + Ах/')
	г
этих каналов	вкладом А™г уже пренебрегать нельзя (см., например, [551)
и представить	коэффициенты |3jrj' как функции одного параметра спектроско­

пического качества не представляется возможным. Тем не менее можно посту­ пать в духе работ [31, 67], например, при определении отношения коэффициен­

тов pjjVPjjдвух межмультиплетных каналов к п I, для которых Affi = 0. В этом случае имеем

Pj,T	[aj № x tf t -f- a j № x tf t 4- affc)j	/	VJ J ,	\ 3
P	i 4 ,)yv . + 4 4)^ / , + e^	U	w	’
здесь

af- = | <4f xJ || mo || 4/11/' > |2, Хги = QJQa n X4%= Q4/Q«.

В частности, в [55] для каналов			люминесценции ионов Ег3+, начинающихся
с уровней состояния *Р»/„ получено выражение.
Р / , и /,	0 ,0 0 1 8 X ,/t + 0 ,0 2 9	8 Z 4/> - f	0,0164
h , » l =	0,5655Jfi/$ +	0,4651

Для определения X*/, и X*f, необходима информация о трех межмультиплет­ ных абсорбционных переходах. Вопрос о критерии их выбора подробно рассмот­ рен в [55].

3.4.3.Параметр спектроскопического качества дця кристаллов с нонами Pms+

У ионов Р т 3+ люминесценция с уровней состояния 6t \		(~	12400 см-1 [10])	свя­
зана с ^-переходами каналов 6Рг —*■6/ 4_7 (для 6/г1 ->		ь/ 8	вынужденные	пе­
реходы запрещены, так как А /	6). При этом сила линий sjj , а следователь-

Рис. 3.3. Зависимости $J J , (X) и упрощенная схема люминесцентных ка­

налов ионов Р т 3+ [70]

Обозначения те же, что и на рис. 3.1

но, и A ’J J - главным образом зависят от параметров интенсивности й4 и Q«, как

для рассмотренного в разделе	4.1 случая ионов Nd3+ Поэтому	зависимости
fW (Xpm) будут описываться	формулой (3.10), где константам aj-	и bj' соот­

ветствуют квадраты матричных элементов неприводимых тензорных операторов

ранга	4 и	6 между мультнплетами ионов:
a r	= |	<ьРг || UW || Ч у > |2, Ъг = | <5^ ||	Чу > |2.

В [70] зависимости $JJ> (ХРш) были построены в графическом виде (рис. 3.3), расчеты проводились с <|| UW || > из [19]. Экспериментальное определение па­

раметра Хрш по отношению scJj' двух абсорбционных межмультиплетных ка­ налов ионов Р т 3+ или по параметру Урт (см. раздел 4.1) не будет представлять особой трудности.

После [78], где сообщено о возбуждении СИ на волнах межмультиплетных каналов ъРг — Ч ъ и bFx — 5/ с ионов Рва3* в фосфатном стекле, материал, изло­ женный выше, и работа [18] приобрели и прикладной интерес. Авторы [78] на­ деются подыскать кристаллы, в которых паразитное поглощение центров ок­ раски, возникающих от p-излучения изотопа Pm147, не будет создавать пре­ пятствий для процесса генерации этого радиактивного активатора.

В этой главе были затронуты только некоторые из основных аспектов экс­ периментального определения межмультиплетных интенсивностных характе­ ристик люминесценции Ьпзт-активаторов в кристаллах. Рассмотренный по­ луэмпирический метод, основанный на приближении [4, 5], и его модификации у специализирующихся в области физики и спектроскопии лазерных кристал­ лов исследователей в последние годы пользуются большим успехом [27, 51, 64, 65, 66, 81]. Определив межмультиплетвые интенсивностные характеристики ■Ajj' и рj j ’ и проведя неслояшые прецизионные измерения (при надобности ориентационные) распределения плотности люминесценции до линиям спект­ ра, легко вычислить коэффициент Эйнштейна A tj для исследуемого межштар-

ковского перехода i /, а затем и его пиковое поперечное сечение о?,у или эф-

фективное поперечное сечение (в случае наложения однородно уширенных ли­ ний) af.%j

	bi	(3.12)
ij — 4n2n8Av„m
или		(3.13)
Ve, ij —	“1“
„ э ф . — п р	■■ J

которые в некоторых случаях могут сразу указать на возможность возбужде­ ния СИ на волне перехода i -> /. В (3.12) и (3.13) AvJll0M— ширина линии лю­

минесценции;		р\™3т — коэффициенты, характеризующие перекрываппе				со­
седних	линий	межштарконских переходов im -+■ jm с			линией перехода	i —>■/
на волне		и Ьг =	ехр [—EJIcT] — больцмановский фактор, где E t — энер­
гия i-й штаркопской			компоненты	относительно нижайшей в /-мультдплете
и к — достоянная Больцмана.				межмультпплетпых	ed-каналов Ьп3+-попов
В	проблеме интенсивности

в кристаллах остается еще не до конца решенной задача сверхчувствительных

переходов	[81—83],	которым удовлетворяют следующие правила отбора:
| Д / | <	2, I AL	I< 2 и AS = 0.

Измерения показывают, что если й4 п Q6 слабо зависят от данных по сверх­ чувствительным переходам, то с й2 дела обстоят иначе. Для них приведенные матричные элементы <]| £А2) ||)> обычно имеют большие численные значения (см. табл. 3.1—3.9). Отсюда понятно, почему введение данных по сверхчувствитель­ ным переходам приводит к изменению (уменьшению) величин й2 при определе­

нии sjd по методу наименьших квадратов (см. раздел 2.1 и, например, {18, 58]). В некоторых измерениях эта процедура приводила к отрицательным зна­ чениям й2, что в принципе быть не должно. Это имело место, например, для ионов Рг3+ н Dy3+ [34, 81, 85]. Более подробно эта задача обсуждается в [81— 83], в [18, 58, 66, 85, 86] предпрпнпмалпсь попытки ее решения.

В последние годы также достигнуто понимание природы анизотропии лю­ минесценции ионов Ln3+ в кристаллах [66, 86, 87], что существенно облегчи­ ло задачу выявления у них потенциальных возможностей для возбуждения СИ. К сожалению, здесь не было возможности рассмотреть результаты расчета интенсивности межштарковских люминесцентных переходов Ьп3+-активаторов в лазерных кристаллах, поэтому отсылаем читателей к [66, 88], где о них мож­ но получить достаточно подробную информацию.

	ЛИТЕРАТУРА
1.	Van V le c k J .IJ .fi J.		Phys.	Chem. 1937.	Vol. 41. P .67.
2.	B r o e r L .J .F .,	Goiter C. J.,		Boogschagen J. // Physica. 1945. Vol. 11. P.231.
3.	Condon E. U.,	Shortley G. 11. The theory of atomic spectra. Cambridge: Cambridge Uuiv.
4.	press, 1957.	Phys.	Rev. 1962. Vol. 127.		P.750.
	J u d d B . R . f l

5.Ofelt G. S. И 1. Chem. Phys. 1962. Vol. 37. P.511.

6.Wybourne B. G. Spectroscopic properties of rare earth. N. Y.: Wiley. 1965.

7.Prather J. L. Atomic energy levels in crystals: NBS Monogr. Wash. (D. C.)‘. VS Gov. print, off., 1961. Vol. 19.

8.Weber M. J. H Optical properties of ions in crystals / Ed. II, M. Crosswhite, 11. W. Moos.

N. Y.: Wiley, 1967. P. 467.

9.Weber M. J. II Phys. Rev. 1967. Vol. 157. P. 262.

10.CarnallW. T., Fietds P. B ., Raynak K. // J. Chem. Phys. 1968. Vol. 49. P. 4424.

11.Carnall W. T., Fields P. R., Raynak К. II Ibid. P. 4450.

12. C arnallW . 7’., Fields P. R ., Raynak K. // Ibid. P.4447.

13.Weber M . J. // Ibid. Vol. 48. P. 4774.

14.Kuboniwa S ., Hosliina T. // J. Phys. Soc. Jap. 1972. Vol. 32. P. 1059.

15.Weber M . J ., Matsinger B . //., Donlan V. L., Surrat G. Т.Ц J. Chera. Phys. 1972. Vol. 57

P. 562.

16.	Krupke W . F. // IEEE		J.	Quant. Electron. 1974. Vol. 10. P .450.
17.	C a i r d J . A .,	DeShazer L. G., N e l l a J . f f				Ibid.	1975.	Vol. 11.	P.874.
18.	Krupke W . F. // Ibid.		1971. Vol. 7.		P.	153.
19.	Krupke W . F. // Ibid.		1972. Vol. 8.		P. 725.		1965.	Vol. 139.	P.2008.
20.	Krupke W F., Gruber J. B . // Phys.				Rev. A.
21.	Антипенко Б . M ., Томашевич 10. В. // Оптика п спектроскопия.									1978. Т. 44. С. 272.
22 . A d a m J . L . ,		S i l b e y W . A . ,		G a b b eD . R . ff J.			Luminescence. 1985.			Vol. 33. P .391.

23.Антипенко Б . M. И Оптика п спектроскопия. 1984. T. 56, C. 72.

24.Krupke W . F . // Phys. Rev. 1966. Vol. 145. P. 325.

25.	R eisjeld R .U Colloq.	intern. CNRS. 1976. Vol. 255;	P.149.	Vol.31/32. P. 225.
26.	Malta 0 . L ., Gouveia	E. A ., DeSa G. F. // J.Luminescence. 1984.
27.	Krupke W . F. // Proc.	IEEE Region VI ConL, 1974.	N. Y.: IEEE,	1975. P.17.

28.Deb K . A'., Buser R . G., Morrison C. A ., Leavitt R . P. // J. Opt. Soc. Amer. 1981. Vol. 71.

P. 1463.

29.P o pp a la rd oR . Hl . Luminescence. 1976. Vol. 14. P .159.

30.	Leavitt R . P ., Morrison С. А . Ц J. Chem. Phys. 1986.	Vol.	73.	P .749.
31.	Kaminskii A . A ., L i L. И Phys. status solidi A. 1974.	Vol.	26.	P. K21.

32.Kaminskii A . A ., Agamalyan N. R ., Denisenko G. A . et al. // Ibid. 1982. Vol. 70. P. 397.

33.Malinowskii M ., Wolinski W . // Acta phys. polon. A. 1984. Vol. 65. P. 303.

34. Weber M . J V a r i t i m o s T. E., Matsinger В. II. // Phys. Rev. B. 1973. Vol. 8. P. 47.

35.Ткачук A . M ., Пржевусский А . К., Морозова Л . Г . и др. // Оптика и спектроскопия.

1986. Т. 60. С. 288.

36.Lomheim Т. S., DeShazer L. G. И J. Appl. Phys. 1978. Vol. 49. P. 5517.

37. Балакирева T. П ., Брискина Ч. М ., Вакулюк В. В. и др. // Квантовая электрон. 1981.

Т.8. С. 656.

38.Kaminskii A . A ., Mill В . Г., Butashin А . V. et al. // Phys. status solidi A. 1987. Vol. 103.

P.575.

39.Krupke W . F., Shinn M. D., Marion J . E.. et al. // J. Opt. Soc. Amer. B. 1986. Vol. 3.

P.102.

40.	Каминский	А . А .,	Белоконева E. Л., Милль В. В . п д р ./ / Изв. АН СССР. Неорган.
41.	материалы.	1986.	Т. 22. С. 1138.
	KaminsuU A . A ., Belokoneva Е. L., M ill В. V. et al. // Phys. status solidi A. 1984. Vol. 86.

P.345.

42.Каминский А . А ., Белоконева E. Л ., Буташин А . В. и др. // Изв. АН СССР. Неорган.

материалы. 1986. Т. 22. С. 1061.

43.Агладзе Н. И ., Антонов В . А ., Арсеньев П. А . и др. // Журн. прикл. спектроскопии.

1985. Т. 43. С. 798.

44.Kaminskii A . A .. Silvestrova I . М ., Sarkisov S. Е., Denisenko G. А . // Phys. status solidi

A.1983. Vol. 80. P. 607.

45.Каминский А . А ., Милль Б . В . , Белоконева E. Л. и др. // Изв. АН СССР. Неорган.

материалы. 1984. Т. 20. С. 2058.

46.Каминский А . А ., Курбанов К ., Маркосян А . А . и др. // Там же. 1985. Т. 21. С. 1970.

47.	Васильев Е. В .,	Ткачук А . М .,		Хилъко А . В ., Пономарев Н. М. // Оптика		и спектро­
48.	скопия. 1982.	Т. 53.	С. 788.	Vol. 171. P.283.
	Weber М . J. //	Phys.	Rev. 1967.		Phys. 1984. Vol. 81.		P. 698.
49.	Xu Li-W en, Cross white H. M .,			Hessler J . P . // J . Chem.
50.	Ткачук A . M .,	Хилъко А . В., Петров M. В. Ц Оптика и			спектроскопия.	1985.	T. 58.

С.91.

51.Ткачук А . М . И Спектроскопия кристаллов / Отв. ред. А. А. Капляпский. Л.: Наука,

1985. С. 42.

52.	Ткачук А . М.,	Политимова	А . В., Петров М. В. И Оптика и	спектроскопия.	1985.
53.	Т. 59. С .1136.	Хилъко А . В.,	Петров М. В. // Спектроскопия	кристаллов / Отв.	ред.
	Ткачук А. М.,

А.А. Каплянский. Л.: Наука, 1983. С. 106.

54.Ткачук А . М ., Клокишнер С. И ., Политимова А . В. и др. // Оптика и спектроскопия.

1986. Т. 60. С. 1201.

55.	Каминский А. А .,	Соболев Б. II.,	Саркисов С. Э.	и	д р ./ / Изв. АН	СССР.	Неорган.
56.	материалы. 1982.	Т. 18. С. 482.	Chertanov М .	1 . Ц	Phys. status	solidi	В. 1986.
	Kaminskii А . А ..	Kornienko A. A .,
	Vol. 134. P. 717.

57.Ткачук A. M., Клокишнер С. И . Политимова А . В. к др. // Оптика и спектроскопия.

1985. Т. 59. С. 1239.

58.Kaminskii A . A .. Petrosyan A . G., Denisenko G. A. et al. // Phys. status solidi A. 1982.

Vol. 71. P.291.