книги / Неразрушающий контроль параметров тонких проводящих пленок электромагнитными методами
..pdf202 |
Слисок литературы |
204.Bavall L., Moller E. Eddy current measurement systems with frequency out put, using phaselock techniques // Pap. 1981 spring conf. Amer. soc. nondestruct, testing, 1981.
205.Beleaux D., Vlieger /. Phenomenological theory of he dielectric properties of
206. |
thin films II |
Phys. — 1973. - Vol. 67, N 1. - |
P. 55-77. |
thin |
films // |
Phys. |
||||||
Broudy |
К |
Levinstein H. High-Frequency resistance |
of |
|||||||||
207. |
Rev. — 1954. — Vol. 94, N 2. — P. 285—289. |
|
|
|
thin |
metallic, dielec |
||||||
Campbell D. S., Morley A. K. Electrical conduction in |
||||||||||||
|
tric and |
metallic-dielectric films 11 Rep. Progress Phys. — |
1971. |
— Vol. 34, |
||||||||
2C8. |
N 4. — P. 283—368. |
the |
infra-red |
// |
J. |
Opt. |
Soc. |
|||||
Carli |
B. |
Reflectivity of metallic films in |
||||||||||
209. |
Amer. — 1977. — Vol. 67, N 7. — P. 908—910. |
|
|
films |
of |
high |
infra |
|||||
Carver G. E. Chemically capor deposited molybdenum |
||||||||||||
210. |
red reflectance // Thin Solid Films. — 1979. — Vol. 63, |
N 1. — P. 169— 174. |
||||||||||
Caspers F. Method and apparatus for the electronic measurement of the thick |
||||||||||||
|
ness |
of |
very thin electrically conductive |
films |
on |
a |
nonconductive |
sub |
||||
|
strate. |
— Pat. 449215 (USA), 1985. |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
211.Chanrasin M. K., Voss W. A. Resistivity of thin metal films // IEEE Trans. Microwave Theory Technol. — 1973. — Vol. MTT-22, N 1. — P. 51—52.
212.Chopra K. L., Major S., Pandya D. K. Transparent conductors — a status review // Thin Solid Films. — 1983. — Vol. 102, N 1. — P. 1—46.
213.Cooke M. A review LPCVD metallization for semiconductor devices // Va cuum. — 1985. — Vol. 35, N 2. — P. 67—73.
214. Deutscher G. Conduction mechanisms in inhomogeneous thin films // Thin Solid Films. — 1982. — Vol. 89, N 2. — P. 206—212.
215.Dimmich R., Warkusz F. Optical reflectance and electrical resistance of poly crystalline thin metallic films // Phys. Status. Solidi. — 1982. — Vol. A72,
N1. — P. 117—122.
216.Dobierzewska-Monozymas E. et al. Method for determination of thin films optical constants // Acta Phys. Pol. — 1971. — Vol. A41, N 3. — P. 251—257.
217. |
Doumheller С. E. Theory of the |
optical properties of thin polycrystalline |
me |
|||
218. |
tal layers // J. Phys. — 1974. — Vol. 25, N 1. — P. 198—202. |
|
dis |
|||
Dryer J., Gore D, Speiser R. Electrode and substrate considerations in |
||||||
|
continuous thin film resistance |
// J. Vacuum Sci. Technol. — 1973. |
— |
Vol. |
||
|
10, N 1. — P. 316-318. |
R., Tripathi V. R. Microwave measurement |
of com |
|||
219. Dube |
D. C., Matarajan |
|||||
|
plex |
permittivity of thin |
metal |
films // ind. J. Phys. — 1978. — |
Vol. |
52, |
|
N 5. — P. 405—410. |
|
|
|
|
|
220.Eddy-current characterization of materials and structures // Ed. by G. Birnbaum, G. Free — Philadelphia: ASTM, 1981. — 508 p.
221. Esqueda P., Cotavio |
M., Callorotti R. C. Inductive contactless measurements |
of the conductivity |
of thin films // Thin Solid Films. — 1982. — Vol. 89, |
N 1. — P. 33—38.
222.Fuchs W. H. /., Weiss P. Uniquenen theorems for partial differential equa
tions // Proc. Cambridge Phil. Soc. — 1938. — Vol. 34, N 100. —
P.527—533.
223.Gadenne F. Modifications of the optical and electrical properties of thin gold
films as a function of structure during deposition // Thin Solid Films. — 1979. — Vol. 57, N 1. — P. 77—81.
224.Gadenne F., Vuge G. In situ determination of the optical and electrical pro perties of thin films during their deposition // J. Phys. E. Sci. Instruments. — 1977. — Vol. 10, N 7. — P. 733—736.
225.Harkay /. R., Crowell A. D. Measurement and analysis of temperature-depen- dent of impedance of discontinues metal films on glass substrates // J. Appl. Phys. — 1976. — Vol. 47, N 10. — P. 4504—4508.
226. Heavens Oliver S. Fat future for thin films // Spectrum. — 1978. N 157. — P. 7— 10.
Список литературы |
|
|
|
203 |
||||
227. |
Hill |
Robert М. Electrical conduction in discontinuous metal films II Nature. — |
||||||
. |
1978. |
— Vol. 271, N 5646. — P. 612—613. |
in discontinuous thin and cermet |
|||||
228. |
Hill |
R. |
M., |
Coutts |
T. J. |
Charge |
transfer |
|
|
films |
II |
Thin |
Solid |
Films. |
— 1977. |
— Vol. |
42, N 2. — P. 201—212. |
229.Howard Lorin L., Akert David IV. Low resistance bismuth film reflectance de termined using the complex electrical impedance characteristics // Thin Solid Films. — 1976. — Vol. 35, N 1. — P. L7—L10.
230.lanno N. J., Plaster /. A. Plasma-enhanced chemical vapor deposition of mo lybdenum II Thin Solid Films. — 1987. — Vol. 147. — P. 193—202.
231.Iqbal M. Saleem, Ijaz-Ui-Rehman, Beg. S. In situ resistivity measurements on
thin silver films // Indian J. Pure Appl. Phys. — 1980. — Vol. 18, N 8. —
P.614—615.
232.Ivor M. T. Hatnberg. Indium-thin-oxide thin films: Basic optical properties and application to energy efficient windows. — GSteborg, 1984. — 230 p.
233.Jones R. G. Precise dielectric measurements at 35 GHz using an open mic rowave resonator // Proc. IEEE. — 1976. — Vol. 123, N 4. — P. 285—290.
234.Kljuev V. V. Multifunctional automated nondestructive quality testing // 10th World conf. NDT. — Moscow, 1982. — Plenary papers.
235.Liao Samuel Y. Light transmittance and HF shielding effectiveness of a me tallic film coating on a plastic substrate // IEEE intern, symp. elextromagn. comput., Washington, D. C., 1977. — New York, 1977. — P. 122—138.
236. Lieznerski B. |
W. An A. c. equivalent circuit for thin discontinuous metal |
films // Thin |
Solid Films. — 1978. — Vol. 55, N 3. — P. 361—374. |
237.Marie-Nartine Dyjardin, Marie-Luce Theye. Investigation of the optical properties of Ag by means of thin semitransparent films // J. Phvs. Chem.
Solids. — 1971. — Vol. |
32, N 9. — P. |
2033—2044. |
thin |
238. Meiksin Z. H., Sedehi |
A., Blachere |
J. R. Resistance of semiconductor |
|
films based on a computer model |
of thin films formation // Thin |
Solid |
|
Films. — 1984. — Vol. 115, N 1. — P. 33—41.
239.Miller G. L., Robinson O. A., Wiley J. D. Contactless measurements of semi conductor conductivity by radio frequency-free-carrier power absorption // Rev. Sci. Instruments. — 1976. — Vol. 47, N 7. — P. 799—805.
240.Monreal R., Carcia Moliner F., Flores F. Non local electrodynamics of metal films systems // J. Phys. (Paris). — 1982. — Vol. 43, N 6. — P. 901—913.
241.Moraga L. A., Vilche A. The electrical conductivity of inhomogeneous thin me
tallic films // Thin Solid Films. — 1976. — Vol. 30, N 2. — P. 117— 130.
242.Morris J. E. A. c. properties of discontinuous metal thin films // Thin Solid Films. — 1976. — Vol. 36, N 1. — P. 29—32.
243.Morris J. E., Coutts T. J. Electrical conduction in discontinous metal films: a discussion // Thin Solid Films. — 1977. — Vol. 44, N 1. — P. 3—65.
244. Morton I. P. Optical |
properties of Island |
films of |
metals at long wave |
lengh // J. Appl. Phys. |
— 1969. — Vol. 40, N |
13. — P. |
5383—5386. |
245.Muller R. A., Pomarants M., Knoedler С. M., Abraham D. Inhomogeneous superconducting transition on granual A1 // Phys. Rev. Letters. — 1980. — Vol. 45, N 10. — P. 832—835.
246.Neugebauer C. A., Webb H. B. Electrical conduction mechanism in ultrathin
evaporated metal films // J. Appl. Phys. — 1962. — Vol. 33, N 1. —
P. 74—82.
247.Norrman S. A study of structural and electrical properties of ultrathin metal films. — Goteborg, 1980. — 78 p.<
248.Olson Lay, Doroney John. Aging effect on the conductance of discontinuous copper films // Thin Solid Films. — 1978. — Vol. 53, N 2. — P. 207.
249.Owen Earle W. Digital processing of differential transducer signals // IECI Annu. conf. proc.: Industrial applied microprocessing. Processing measurement and failure mode analyses, Philadelphia, Pa, 1976. — New York, 1976. — P. 106— 111.
204 |
Список литературы |
250.Petretis В., Sovlickas Z., Valinkenas V. Dependence de frequence de la resis tance des coveher minces d’aluminium dans la gamme des ondes cantimetri-
ques H Thin Solid Films. — 1976. — Vol. 37, N 2. — P. 137— 142.
251.Ramay R. L., Kitchen W. J. Microwave transmission through the thin semi conductors and metal films // J. Appl. Phys. — 1968. — Vol. 39, N 8. —
P. 3883—3884.
252.Ramay R. L., Lewis T. S. Properties of thin metal films at microwave fre quences H J. Appl. Phys. — 1968. — Vol. 39, N 3. — P. 1747— 1752.
253.Ruiz-Uzbieta M., Sparrow E. M., Eckert E. R. G. Methods for determining films thickness and optical constants of films and substrates // J. Opt. Soc. Amer. — 1971. — Vol. 61. N 3. — P. 351—359.
254. Sambles J. R., |
Elsorn К■ C., Sharp-Dent |
G. The effect of sample thickness of |
the resistivity |
of aluminium // J. Phys. |
F. Metal Phvs. — 1981. — Vol. 11, |
N 5. — P. 1075—1095. |
|
|
255.Stone I. On the electrical resistance of thin films // Phys. Rev. — 1989. — Vol. 6, N 1. — P. 1—16.
256.Svarstad G. O., Feisel L. D., Morris J. E. Thickness variations of resistance
and activation energy in very thin |
discontinuous metal films // Thin Solid |
Films. — 1983. — Vol. 99. N 4. — P. 379—384. |
|
257. Tallier С. K-, Fichard C. R., Tosser |
A. J. Approximate analytical expression |
for the resistivitv and TCK of thin |
mono-crystalline metallic films // Thin |
Solid Films. — 1980. — Vol. 65, N 2. |
— P. LI—L2. |
258.Thornton J. A. The future of vacuum deposition // Flating and Surface Fi nishing. — 1983. — N 12. — P. 58—60.
259.Vossen J. L. Transparent conducting films // Phvs. Thin Films. — New York etc.. 1977. — Vol. 9. — P. 1—71.
260.Warkusz F. Elastoresistance effect in single-crystal aluminium films // Thin
Solid Films. — 1978. — Vol. 51, N 3. — P. 319—326.
261. Warkusz F. Electrical conductivity at thin metal films. Sine effects // Acta Phys. Polonica. — 1978. — Vol. A54, N 1. — P. 3—38.
262.Warkusz F. Transport properties of thin metal films // Thin Solid Films. — 1984. — Vol. 122, N 2. — P. 105—113.
263.Wissmann P. The electrical resistivity of pure and gas covered metall films // Berlin etc.: Springer Tracts. Mod. Phys. — 1975. — Bd 77. — S. 1—95.
264.Wolfor F. Nansen. Optical characteristics of thin film theory // J. Optical Soc. Amer. — 1973. — Vol. 63, N 7. — P. 793-797.
ОГЛАВЛЕНИЕ
ПРЕДИСЛОВИЕ |
....................................................................................................... |
|
|
|
|
|
|
|
|
5 |
||
1. ОСОБЕННОСТИ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТОНКИХ ПЛЕНОК. |
|
|||||||||||
ПЕРСПЕКТИВЫ |
РАЗВИТИЯ |
НЕРАЗРУШАЮЩИХ |
МЕТОДОВ |
ИХ |
11 |
|||||||
КОНТРОЛЯ |
|
....................................................................................................................... |
|
проводимость |
тонких п л е н о к |
|
|
12 |
||||
1.1. Электрическая |
|
|
|
|||||||||
1.2. Исследование электрофизических параметров пленок контактными |
|
|||||||||||
методами |
|
.............................................................................................................. |
|
проводимость |
пленок на |
высокой |
частоте . |
16 |
23 |
|||
1.3. Электрическая |
. . |
|||||||||||
1.4. Пути |
развития |
иеразрушающнх |
электромагнитных |
методов |
конт |
26 |
||||||
роля параметров тонких пленок |
.................................................................... |
|
|
|
|
|
||||||
2. ТЕОРИЯ |
НЕРАЗРУШАЮЩЕГО |
ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО КОНТ |
28 |
|||||||||
РОЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ СТРУКТУР. . . . |
|
|||||||||||
2.1. Особенности взаимодействия электромагнитных полей с тонкими |
|
|||||||||||
проводящими |
п л е н к а м и ....................................................................................... |
|
|
|
|
|
|
29 |
|
|||
2.1.1. Импеданс квадрата поверхности как обобщающая характери |
|
|||||||||||
стика проводящей пленки |
в электромагнитном п о л е |
......................... |
29 |
|
||||||||
2.1.2. Зависимость |
импеданса |
квадрата |
поверхности |
островковых |
|
|||||||
пленок от частоты поля и их микроструктуры ■....................................... |
|
|
31 |
34 |
||||||||
2.1.3. Граничные условия для модели импедансной поверхности |
. . |
|||||||||||
2.2. Расчет взаимодействия однородных электромагнитных полей с тон |
|
|||||||||||
копленочными |
|
проводящими |
с т р у к т у р а м и .............................................. |
|
|
35 |
36 |
|||||
2.2.1. Поле |
бесконечного с о л е н о и д а ...................................................................... |
|
|
|
|
|||||||
2.2.2. Плоская |
в о л н а .................................................................................................. |
|
|
|
|
|
|
|
41 |
|||
2.2.3. Поле |
открытого р е з о н а т о р а ...................................................................... |
|
|
|
|
44 |
||||||
2.3. Расчет параметров вихретоковых преобразователей при взаимодей |
48 |
|||||||||||
ствии их полей с тонкими проводящими покрытиями и пленками |
. . |
|||||||||||
2.3.1. Приближение плоской |
в о л н ы ...................................................................... |
|
|
|
|
49 |
||||||
2.3.2. Проходной |
п р е о б р а зо в а т е л ь ...................................................................... |
|
|
|
|
54 |
||||||
2.3.3. Накладной |
п р е о б р а з о в а т е л ь ...................................................................... |
|
|
|
|
58 |
||||||
3.ВИХРЕТОКОВЫЕ МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ
СТРУКТУР ....................................................................................................................... |
|
|
|
63 |
3.1. Параметрические накладные преобразователи....................................... |
65 |
|||
3.1.1. Отстройка |
от |
влияния зазора на основе использования |
двух |
|
параметрических |
преобразователей |
различного диаметра. . . . |
65 |
|
3.1.2. Контроль параметров структур по входному импедансу с от |
||||
стройкой от влияния |
з а з о р а ........................................................................... |
|
71 |
|
3.2. Дифференциальные |
накладные |
п р е о б р а зо в а т е л и .......................... |
80 |
|
206 |
ОГЛАВЛЕНИЕ |
|
3.2.1. Расчет параметров дифференциального накладного преобразо |
81 |
|
вателя ............................................................................................................................ |
|
|
3.2.2. Отстройка от влияния з а з о р а ...................................................................... |
88 |
|
3.3. Контроль |
тонкопленочных проводящих дисков параметрическим |
95 |
преобразователем............................................................................................................... |
||
4. ИК-, РАДИОВОЛНОВЫЕ И ЕМКОСТНЫЕ МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ |
105 |
|
РЕЗИСТИВНЫХ |
ТОНКОПЛЕНОЧНЫХС Т Р У К Т У Р ............................................. |
|
4.1. Контроль пленок в ИК -Диапазоне..................................................................... |
106 |
|
4.2. Волноводные и рупорные методы контроля |
109 |
|
4.3. Контроль на основе использования СВЧ-открытого резонаторного |
115 |
|
преобразователя............................................................................................................. |
||
4.4. Емкостные |
ВЧ-методы измерения параметров пленок . . . . |
120 |
5. ПРИБОРЫ |
ВИХРЕТОКОВОГО |
НЕРАЗРУШАЮЩЕГО |
КОНТРОЛЯ |
|
|||||||
ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ПОКРЫТИИ И П Л Е Н О К ................................... |
|
127 |
|
||||||||
5.1. Использование импедансной методики контроля при разработке |
127 |
||||||||||
приборов серии |
В И М П |
................................................................................................ |
|
|
|
|
|
|
|||
5.2. Приборы ВИМП-1 и ВИМП-4 с параметрическими накладными пре |
133 |
||||||||||
образователями |
............................................................................................................. |
|
|
|
|
|
|
|
|||
5.3. Приборы ВИМП-2 и ВИМП-3 для контроля металлизации сталь |
137 |
||||||||||
ных |
лент и |
полупроводниковых |
д и с к о в ............................................................. |
|
|
|
|
||||
5.4. Приборы ВИМП-5, ВИМП-11, ВИМП-12, ВИМП-13 и ВИМП-13М |
141 |
||||||||||
для |
отработки |
технологии нанесения |
тонких |
проводящих |
покрытий |
||||||
5.5. Приборы ВИМП-31 и ВИМП-31М для измерения толщины кон |
|
||||||||||
тактных покрытий на кремниевых д и с к а х ................................................ |
|
|
146 |
|
|||||||
5.6. Цифровые приборы ВИМП-51, ВИМП-51М, ВИМП-52 и ВИМП-53 |
|
||||||||||
для измерения эквивалентной толщины и проводимости квадрата по |
148 |
||||||||||
верхности тонких металлических |
пленок ....................................................... |
|
|
|
|
||||||
6. РАДИОВОЛНОВЫЕ И ЕМКОСТНЫЕ СРЕДСТВА КОНТРОЛЯ ТОН |
155 |
||||||||||
КОПЛЕНОЧНЫХ |
РЕЗИСТИВНЫХ С Т Р У К Т У Р ................................................ |
|
|
||||||||
6.1. Прибор СИМП-1 для контроля |
сопротивления квадрата поверх |
156 |
|||||||||
ности резистивных пленок на ситалловых п о д л о ж к а х ................................... |
|
|
|||||||||
6.2. Емкостное автоматизированное устройство для контроля парамет |
159 |
||||||||||
ров |
тонких резистивных |
п л е н о к ............................................................................ |
|
|
|
|
|
||||
6.3. Прибор СИМП-2 .с рупорным проходным преобразователем для |
162 |
||||||||||
контроля параметров тонкопленочных структур в процессе производства |
|||||||||||
6.4. Прибор СИМП-3 с резонаторными преобразователями для непре |
166 |
||||||||||
рывного контроля высокоомных |
проводящих |
и диэлектрических пленок |
|||||||||
7. ПРОБЛЕМЫ |
ВЫПУСКА, ВНЕДРЕНИЯ |
И |
МЕТРОЛОГИЧЕСКОЙ |
172 |
|||||||
АТТЕСТАЦИИ |
П Р И Б О Р О В ......................................................................................... |
|
освоения |
выпуска |
и |
внедрения |
|||||
7.1. Структурные |
схемы |
разработки, |
173 |
||||||||
п р и б о р о в ........................................................................................................................... |
|
серии |
С И М |
П |
|
|
|
|
|
||
7.1.1. Приборы |
|
|
|
|
|
173 |
|||||
7.1.2. Приборы |
серии |
В И М |
П ............................................................................ |
|
|
|
|
|
176 |
||
7.2. Автоматизация измерений приборами серии В И М П ................................... |
|
измерений |
181 |
||||||||
7.2.1. Автонастройка на оптимальный режим в процессе |
181 |
||||||||||
7.2.2. Автоподстройка нуля в промежутках |
между измерениями . . |
185 |
|||||||||
7.3. Основы метрологической аттестации п р и б о р о в .......................................... |
|
|
187 |
||||||||
Список |
л и т е р а т у р ы ................................................ |
|
|
|
|
|
|
|
191 |
||
ВАЛЕРИИ ВАЛЕНТИНОВИЧ ГАВРИЛИН
НЕРАЗРУШАЮЩИЙ КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНОК ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫМИ МЕТОДАМИ
Редактор Я. Дундина Художник А. Егере
Художественный редактор Я. Егере Технический редактор Л. Мисевича
Корректор А. Тихомирова
ИБ № 3109
Сдано в набор 27.06.90. Подписано в печать 05.04.91. Формат G0X90/16. Бумага тнпогр. Ns 1. Литературная гарнитура. Высокая печать. 13
физ. |
печ. |
л.; |
13 |
уел. печ. л.; |
13,38 уел. кр.- |
||
отт.; |
12,47 |
уч.-нзд. |
л. Тираж 1000 экз. Заказ |
||||
N° 599 |
— |
цех |
N° 3. |
Цена 4 р. |
Издательство |
||
«Зинатне», 226530 |
|
ГСП |
Рига, |
ул. Тургенева, |
|||
19. Лицензия |
N° |
000030. |
Отпечатано в типо |
||||
графии «Рота», 326011 Рига, ул. Блауманя, 38/40.